【数据表NPN硅锗RF晶体管NESG240034NPN硅锗RF晶体管UHF- BAND ，低噪声，低失】,IC型号NESG240034-T1-A,NESG240034-T1-A PDF资料,NESG240034-T1-A经销商,ic,电子元器件-51电子网

数据表

NPN硅锗RF晶体管

NESG240034

NPN硅锗RF晶体管

UHF- BAND ，低噪声，低失真功放

3 - pin电源MINIMOLD （ 34 PKG ）

特点

设备是低噪声，低失真放大的理想选择。

NF = 0.7 dB典型值。 @ V

= 5 V，I

= 15 mA时， F = 1 GHz的

O（1 dB为单位）

= 24 dBm的典型。 @ V

= 5 V，I

C（套）

= 40 mA时， F = 1 GHz的

- OIP

= 35.5 dBm的典型。 @ V

= 5 V，I

C（套）

= 40 mA时， F = 1 GHz的

最大稳定功率增益：味精= 11.5分贝TYP 。 @ V

= 5 V，I

= 40 mA时， F = 1 GHz的

的SiGe HBT技术（ UHS2 ）：F

= 10.0 GHz的

本产品的改进NESG2xxx系列的ESD 。

3针电源minimold （ 34 PKG ）

订购信息

产品型号

NESG240034

订单号

NESG240034-A

包

3 - Pin电源Minimold

（ 34 PKG ）（无铅）

NESG240034-T1

NESG240034-T1-A

QUANTITY

25个

（无卷）

1千件/卷

12mm宽压纹带卷

引脚2（集电极）面对带的穿孔侧

杂志案

供给方式

备注

如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。

样本股数量为25个。

当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签

销售代表查询产品供应及其他信息。

一号文件PU10769EJ02V0DS （第2版）

发布日期2009 NS月

日本印刷

标记<R>表示主要修改点。

2009

"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。

NESG240034

绝对最大额定值（T

= +25°C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

基极电流

注1

符号

CBO

CES

首席执行官

合计

注2

评级

5.5

400

886

150

+150

单位

°C

集电极电流

<R>

总功耗

结温

储存温度

英镑

注意事项1 。

依赖于ESD保护器件。

安装在3.8厘米

9.0厘米

0.8毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

热阻（T

= +25°C)

参数

符号

RTH

J- á

评级

141

单位

° C / W

<R>

特马尔电阻从结点到

记

环境

记

安装在3.8厘米

9.0厘米

0.8毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板

推荐工作范围（T

= +25°C)

参数

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

<R>

集电极电流

数据表PU10769EJ02V0DS

NESG240034

电气特性（T

= +25°C)

参数

DC特性

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

射频特性

增益带宽积

插入功率增益

噪声图（1）

噪声图（2）

相关联的增益（ 2）

反向传输电容

最大稳定功率增益

增益1 dB压缩输出

动力

输出3阶截取点

21e

NF1

NF2

注2

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

CBO

EBO

注1

= 5 V，I

= 0毫安

= 0.4 V，I

= 0毫安

= 5 V，I

= 15毫安

140

180

100

260

= 5 V，I

= 40 mA时， F = 1 GHz的

= 5 V，I

= 40 mA时， F = 1 GHz的

= 5 V，I

= 15 mA时， F = 1 GHz的，

= Z

SOPT

, Z

= 50Ω

= 5 V，I

= 40 mA时， F = 1 GHz的，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 5 V，I

= 15 mA时， F = 1 GHz的，

= Z

SOPT

, Z

= 50Ω

= 5 V，I

= 40 mA时， F = 1 GHz的，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 5 V，I

= 0 mA时， F = 1兆赫

= 5 V，I

= 40 mA时， F = 1 GHz的

= 5 V，I

C（套）

= 40 mA时， F = 1 GHz的，

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

= 5 V，I

C（套）

= 40 mA时， F = 1 GHz的，

F = 1 MHz时，Z

= Z

SOPT

, Z

= Z

LOPT

8.5

8.0

9.5

10.0

10.5

0.7

0.9

10.0

11.0

1.1

11.5

35.5

1.1

1.3

GHz的

DBM

味精

注3

O（1 dB为单位）

OIP

注意事项1 。

脉搏测量： PW

≤

350

S，占空比

≤

集电极基极电容时，发射器接地。

味精=

分类

秩

记号

价值

140 260

数据表PU10769EJ02V0DS

NESG240034

<R>

典型特征（T

= + 25 ℃，除非另有规定）

总功耗

- 环境温度

总功耗P

合计

（ mW）的

886

反向传输电容

与集电极 - 基极电压

反向传输电容C

（PF ）

1 000

1.5

1.4

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

3.8厘米

9.0厘米

0.8毫米（t）的

FR–4

500

100

125

150

环境温度T

(°C)

集电极基极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

= 3 V

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

集电极电流主场迎战

基地发射极电压

100

= 5 V

0.1

0.01

0.001

0.1

0.01

0.001

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

0.0001

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

基极至发射极电压V

(V)

基极至发射极电压V

(V)

集电极电流主场迎战

集电极到发射极电压

400

4.0毫安

3.6毫安

3.2毫安

2.8毫安

2.4毫安

2.0毫安

1.6毫安

1.2毫安

0.8毫安

100

= 0.4毫安

集电极电流I

（MA ）

300

200

集电极到发射极电压V

(V)

备注

该图表显示的标称特性。

数据表PU10769EJ02V0DS

NESG240034

直流电流增益主场迎战

集电极电流

1 000

= 3 V

1 000

= 5V

直流电流增益主场迎战

集电极电流

直流电流增益

100

直流电流增益

0.01

0.1

100

0.001

0.01

0.1

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

增益带宽积

与集电极电流

增益带宽积

与集电极电流

增益带宽乘积F

（千兆赫）

= 5 V,

F = 1 GHz的

增益带宽乘积F

（千兆赫）

= 3 V,

F = 1 GHz的

集电极电流I

（MA ）

100

集电极电流I

（MA ）

100

备注

该图表显示的标称特性。

数据表PU10769EJ02V0DS