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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第210页 > NESG220033-T1B-A
数据表
NPN硅锗RF晶体管
NESG220033
NPN硅锗RF晶体管
UHF- BAND ，低噪声，低失真功放
3 -PIN MINIMOLD （ 33 PKG ）
特点
设备是低噪声，低失真放大的理想选择。
NF = 0.75 dB典型值。 @ V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 1 GHz的
P
O（1 dB为单位）
= 21.5 dBm的典型。 @ V
CE
= 5 V，I
C（套）
= 40 mA时， F = 1 GHz的
- OIP
3
= 35 dBm的典型。 @ V
CE
= 5 V，I
C（套）
= 40 mA时， F = 1 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 14.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
的SiGe HBT技术（ UHS2 ） ：F
T
= 12.5 GHz的
本产品的改进NESG2xxx系列的ESD 。
3针minimold （ 33 PKG ）
订购信息
产品型号
NESG220033
订单号
NESG220033-A
包
3引脚Minimold
（ 33 PKG ） （无铅）
NESG220033-T1B
NESG220033-T1B-A
QUANTITY
50个
（无卷）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3 （珍藏）面对侧穿孔
带的
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
基极电流
注1
符号
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
I
B
I
C
P
合计
注2
评级
5.5
13
5.5
36
200
480
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
j
T
英镑
注意事项1 。
依赖于ESD保护器件。
2.
安装在3.8厘米
×
9.0厘米
×
0.8毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10766EJ03V0DS （第3版）
发布日期2009 NS月
日本印刷
标记<R>表示主要修改点。
2009
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
NESG220033
热阻（T
A
= +25°C)
参数
特马尔电阻从结点到
记
环境
符号
RTH
J- á
评级
260
单位
° C / W
记
安装在3.8厘米
×
9.0厘米
×
0.8毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
推荐工作范围（T
A
= +25°C)
参数
符号
I
C
分钟。
典型值。
40
马克斯。
单位
mA
<R>
集电极电流
电气特性（T
A
= +25°C)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声图（1）
噪声图（2）
相关联的增益（ 1）
相关联的增益（ 2）
反向传输电容
最大稳定功率增益
增益1 dB压缩输出
动力
输出3阶截取点
f
T
S
21e
NF1
NF2
G
a
1
G
a
2
C
re
注2
2
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V，I
E
= 0毫安
V
EB
= 0.4 V，I
C
= 0毫安
V
CE
= 5 V，I
C
= 10毫安
140
180
100
100
260
nA
nA
V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= 50
Ω
V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 5 V，I
C
= 10 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= 50
Ω
V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CB
= 5 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
V
CE
= 5 V，I
C
= 40 mA时， F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V，I
C（套）
= 40 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 5 V，I
C（套）
= 40 mA时， F = 1 GHz的，
Δ
F = 1 MHz时，Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
11.0
10.0
12.0
12.5
13.0
0.75
0.9
12.0
13.5
0.7
14.0
21.5
35
1.15
0.9
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
pF
dB
DBM
DBM
味精
注3
P
O（1 dB为单位）
OIP
3
注意事项1 。
脉搏测量： PW
≤
350
μ
S，占空比
≤
2%
2.
集电极基极电容时，发射器接地。
3.
味精=
S
21
S
12
h
FE
分类
秩
记号
h
FE
价值
FB
R7B
140 260
2
数据表PU10766EJ03V0DS
NESG220033
典型特征（T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
（ mW）的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
1.1
1 000
3.8厘米
×
9.0厘米
×
0.8毫米（t）的
FR–4
F = 1 MHz的
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
500
480
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
环境温度T
A
(°C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 5 V
10
1
0.1
0.01
0.001
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
200
1 700
μ
A
1 500
μ
A
1 300
μ
A
1 100
μ
A
900
μ
A
100
700
μ
A
500
μ
A
50
300
μ
A
I
B
= 100
μ
A
0
0
1
2
3
4
5
集电极电流I
C
（MA ）
150
集电极到发射极电压V
CE
(V)
备注
该图表显示的标称特性。
数据表PU10766EJ03V0DS
3
NESG220033
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 3 V
1 000
V
CE
= 5 V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
直流电流增益
FE
100
直流电流增益
FE
1
100
10
10
1
0.1
10
100
1 000
1
0.1
1
10
100
1 000
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
15
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
V
CE
= 3 V,
F = 1 GHz的
V
CE
= 5 V,
F = 1 GHz的
15
10
10
5
5
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
备注
该图表显示的标称特性。
4
数据表PU10766EJ03V0DS
NESG220033
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
35
30
25
20
15
|S
21e
|
2
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
10
味精
MAG
MAG
味精
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
35
30
25
20
15
|S
21e
|
2
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
10
味精
V
CE
= 3 V,
I
C
= 40毫安
V
CE
= 3 V,
I
C
= 10毫安
MAG
MAG
味精
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
35
30
25
20
15
|S
21e
|
2
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
10
味精
MAG
MAG
味精
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
35
30
25
20
15
|S
21e
|
2
10
5
0
0.1
1
频率f（ GHz）的
10
味精
V
CE
= 5 V,
I
C
= 40毫安
V
CE
= 5 V,
I
C
= 10毫安
MAG
MAG
味精
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
20
V
CE
= 3 V,
F = 1 GHz的
15
味精
MAG
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
20
V
CE
= 5 V,
F = 1 GHz的
15
味精
MAG
10
|S
21e
|
5
2
10
|S
21e
|
2
5
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
备注
该图表显示的标称特性。
数据表PU10766EJ03V0DS
5
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NLV14040BDR2G
NDL7911PD509
NTE74H76
NLB-300_07
NE68139-T1-A
N37160C1EN1S
NAND512R3A0CN6T
NCP1442FR4
NM93C46TLN
NMC27C512AQE170
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供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NESG220033-T1B-A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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RENESAS/瑞萨
2443+
23000
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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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53200
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