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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第343页 > NESG2101M05
NEC的硅锗NPN
NESG2101M05
高频三极管
特点
高击穿电压SiGe技术
V
首席执行官
= 5 V （绝对最大值）
高输出功率：
P
1dB
= 21 dBm的在2 GHz
低噪声系数：
NF = 0.9 dBm的在2 GHz
最大稳定功率增益：
味精= 17分贝2 GHz的
LOW PROFILE M05包装：
SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
M05
描述
NEC的NESG2101M05用捏造NEC的高电压
硅锗工艺（ UHS2 -HV ） ，并且被设计为
广泛的应用，包括低噪声放大器器，
中等功率放大器器和振荡器
NEC s
低廓，在佛罗里达州牵头的风格M05封装提供高
高频性能的紧凑型无线设计。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
P
1dB
G
L
NF
G
a
RF
NF
G
a
味精
|S
21E
|
2
f
T
C
re
I
CBO
DC
I
EBO
h
FE
注意事项：
参数和条件
在1 dB压缩点的输出功率
V
CE
= 3.6 V，I
CQ
= 10 mA时， F = 2 GHz的
线性增益，V
CE
= 3.6 V，I
CQ
= 10 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
最大稳定增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
增益带宽积为V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
反向传输电容
2
在V
CB
= 2 V，I
C
= 0 mA时， F = 1兆赫
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 15毫安
3
NESG2101M05
M05
单位
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
GHz的
pF
nA
nA
130
190
14.5
11.5
14
11.0
民
典型值
21
15
0.9
13.0
0.6
19.0
17.0
13.5
17
0.4
0.5
100
100
260
1.2
最大
1.味精= S
21
S
12
2.集电极基极电容用电容表（自动平衡电桥法）时，发射器引脚连接到测量
后卫脚。
3.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
美国加州东部实验室
NESG2101M05
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
2
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
13.0
5.0
1.5
100
500
150
-65到+150
热阻
符号
R
第j个-C
参数
结到外壳热阻
单位
° C / W
评级
待定
订购信息
产品型号
QUANTITY
供给方式
NESG2101M05 -T1 3千件/卷引脚3 （珍藏） ，引脚4 （发射极）
面对穿孔
磁带的侧
8毫米宽压纹带卷
注意：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
2.安装在38× 38 ×0.4毫米（ t）的环氧玻璃基板
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
总功耗对比
环境温度
总功率耗散，P
合计
（ mW）的
安装在PCB聚酰亚胺
(38
×
38毫米， t为0.4毫米）
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容，C
re
（PF ）
1.0
F = 1 MHz的
700
600
500
0.8
400
0.6
300
200
0.4
0.2
100
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度，T
A
(°C)
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 1 V
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 2 V
集电极电流IC （MA ）
10
集电极电流IC （MA ）
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001
0.001
0.0001
0.4
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
基地发射极电压，V
BE
(V)
NESG2101M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 3 V
100
V
CE
= 4 V
10
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
集电极电流IC （MA ）
集电极电流IC （MA ）
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001
0.001
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
100
90
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
集电极电流IC （MA ）
80
70
60
50
40
30
20
10
500
A
400
A
350
A
300
A
250
A
200
A
150
A
100
A
I
B
= 50
A
1
2
3
4
5
6
直流电流增益，H
FE
450
A
100
0
10
0.1
1
10
100
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，L
C
（MA ）
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 2 V
1 000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 3 V
直流电流增益，H
FE
直流电流增益，H
FE
100
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
集电极电流，L
C
（MA ）
NESG2101M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
V
CE
= 4 V
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
直流电流增益，H
FE
15
100
10
5
10
0.1
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
集电极电流，L
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
15
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
15
10
10
5
5
0
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
集电极电流，L
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
20
V
CE
= 4 V
F = 2 GHz的
40
35
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
V
CE
= 1 V
I
C
= 50毫安
味精
30
25
20
15
10
5
0
0.1
MAG
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
15
10
2
|S21e|
5
0
1
10
100
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
频率f （ GHz）的
NESG2101M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 2 V
I
C
= 50毫安
味精
30
25
20
15
2
|S21e|
10
5
0
0.1
MAG
插入功率增益， MAG ，
味精与频率
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
40
35
味精
30
25
20
15
2
|S
21e
|
10
5
0
0.1
MAG
V
CE
= 3 V
I
C
= 50毫安
40
35
1
10
100
1
10
100
频率f （ GHz）的
频率f （ GHz）的
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 4 V
I
C
= 50毫安
味精
30
25
20
15
|S
21e
|
10
5
0
0.1
2
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
30
V
CE
= 1 V
F = 1 GHz的
25
味精
MAG
40
35
MAG
20
15
|S
21e
|
2
10
5
0
1
10
100
1
10
100
频率f （ GHz）的
集电极电流，I
C
（MA ）
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 2 V
F = 1 GHz的
25
味精
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
30
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
25
30
MAG
20
20
味精
15
MAG
15
|S
21e
|
2
10
10
|S
21e
|
5
2
5
0
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
NEC的硅锗NPN
NESG2101M05
高频三极管
特点
高击穿电压SiGe技术
V
首席执行官
= 5 V （绝对最大值）
高输出功率：
P
1dB
= 21 dBm的在2 GHz
低噪声系数：
NF = 0.9 dBm的在2 GHz
最大稳定功率增益：
味精= 17分贝2 GHz的
LOW PROFILE M05包装：
SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
M05
描述
NEC的NESG2101M05用捏造NEC的高电压
硅锗工艺（ UHS2 -HV ） ，并且被设计为
广泛的应用，包括低噪声放大器器，
中等功率放大器器和振荡器
NEC s
低廓，在佛罗里达州牵头的风格M05封装提供高
高频性能的紧凑型无线设计。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
P
1dB
G
L
NF
G
a
RF
NF
G
a
味精
|S
21E
|
2
f
T
C
re
I
CBO
DC
I
EBO
h
FE
注意事项：
参数和条件
在1 dB压缩点的输出功率
V
CE
= 3.6 V，I
CQ
= 10 mA时， F = 2 GHz的
线性增益，V
CE
= 3.6 V，I
CQ
= 10 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
最大稳定增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
增益带宽积为V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
反向传输电容
2
在V
CB
= 2 V，I
C
= 0 mA时， F = 1兆赫
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 15毫安
3
NESG2101M05
M05
单位
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
GHz的
pF
nA
nA
130
190
14.5
11.5
14
11.0
民
典型值
21
15
0.9
13.0
0.6
19.0
17.0
13.5
17
0.4
0.5
100
100
260
1.2
最大
1.味精= S
21
S
12
2.集电极基极电容用电容表（自动平衡电桥法）时，发射器引脚连接到测量
后卫脚。
3.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
美国加州东部实验室
NESG2101M05
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
2
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
13.0
5.0
1.5
100
500
150
-65到+150
热阻
符号
R
第j个-C
参数
结到外壳热阻
单位
° C / W
评级
待定
订购信息
产品型号
QUANTITY
供给方式
NESG2101M05 -T1 3千件/卷引脚3 （珍藏） ，引脚4 （发射极）
面对穿孔
磁带的侧
8毫米宽压纹带卷
注意：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
2.安装在38× 38 ×0.4毫米（ t）的环氧玻璃基板
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
总功耗对比
环境温度
总功率耗散，P
合计
（ mW）的
安装在PCB聚酰亚胺
(38
×
38毫米， t为0.4毫米）
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容，C
re
（PF ）
1.0
F = 1 MHz的
700
600
500
0.8
400
0.6
300
200
0.4
0.2
100
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度，T
A
(°C)
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 1 V
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 2 V
集电极电流IC （MA ）
10
集电极电流IC （MA ）
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001
0.001
0.0001
0.4
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
基地发射极电压，V
BE
(V)
NESG2101M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 3 V
100
V
CE
= 4 V
10
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
集电极电流IC （MA ）
集电极电流IC （MA ）
10
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001
0.001
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
100
90
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
集电极电流IC （MA ）
80
70
60
50
40
30
20
10
500
A
400
A
350
A
300
A
250
A
200
A
150
A
100
A
I
B
= 50
A
1
2
3
4
5
6
直流电流增益，H
FE
450
A
100
0
10
0.1
1
10
100
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，L
C
（MA ）
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 2 V
1 000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 3 V
直流电流增益，H
FE
直流电流增益，H
FE
100
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
集电极电流，L
C
（MA ）
NESG2101M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
V
CE
= 4 V
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
直流电流增益，H
FE
15
100
10
5
10
0.1
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
集电极电流，L
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
15
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
15
10
10
5
5
0
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
集电极电流，L
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
20
V
CE
= 4 V
F = 2 GHz的
40
35
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
V
CE
= 1 V
I
C
= 50毫安
味精
30
25
20
15
10
5
0
0.1
MAG
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
15
10
2
|S21e|
5
0
1
10
100
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
频率f （ GHz）的
NESG2101M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 2 V
I
C
= 50毫安
味精
30
25
20
15
2
|S21e|
10
5
0
0.1
MAG
插入功率增益， MAG ，
味精与频率
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
40
35
味精
30
25
20
15
2
|S
21e
|
10
5
0
0.1
MAG
V
CE
= 3 V
I
C
= 50毫安
40
35
1
10
100
1
10
100
频率f （ GHz）的
频率f （ GHz）的
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 4 V
I
C
= 50毫安
味精
30
25
20
15
|S
21e
|
10
5
0
0.1
2
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
30
V
CE
= 1 V
F = 1 GHz的
25
味精
MAG
40
35
MAG
20
15
|S
21e
|
2
10
5
0
1
10
100
1
10
100
频率f （ GHz）的
集电极电流，I
C
（MA ）
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 2 V
F = 1 GHz的
25
味精
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
30
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
25
30
MAG
20
20
味精
15
MAG
15
|S
21e
|
2
10
10
|S
21e
|
5
2
5
0
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
NEC的硅锗NPN
NESG2101M05
高频三极管
特点
高击穿电压SiGe技术
V
首席执行官
= 5 V （绝对最大值）
高输出功率：
P
1dB
= 21 dBm的在2 GHz
低噪声系数：
NF = 0.9分贝2 GHz的
最大稳定功率增益：
味精= 17分贝2 GHz的
LOW PROFILE M05包装：
SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
M05
描述
NEC的NESG2101M05使用NEC's高压制成
硅锗工艺（ UHS2 -HV ） ，并且被设计为
广泛的应用，包括低噪声放大器器，
中等功率放大器器和振荡器
NEC's低廓，在佛罗里达州牵头的风格M05封装提供高
高频性能的紧凑型无线设计。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
P
1dB
G
L
NF
G
a
NF
G
a
味精
|S
21E
|
2
f
T
C
re
I
CBO
DC
I
EBO
h
FE
注意事项：
RF
参数和条件
在1 dB压缩点的输出功率
V
CE
= 3.6 V，I
CQ
= 10 mA时， F = 2 GHz的
线性增益，V
CE
= 3.6 V，I
CQ
= 10 mA时， F = 2 GHz的
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 7毫安， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
最大稳定增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
增益带宽积为V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
反向传输电容
2
在V
CB
= 2 V，I
C
= 0 mA时， F = 1兆赫
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 15毫安
3
NESG2101M05
M05
单位
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
GHz的
pF
nA
nA
130
190
14.5
11.5
14
11.0
民
典型值
21
15
0.9
13.0
0.6
19.0
17.0
13.5
17
0.4
0.5
100
100
260
1.2
最大
1.味精= S
21
S
12
2.集电极基极电容用电容表（自动平衡电桥法）时，发射器引脚连接到测量
后卫脚。
3.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
μs,
占空比
≤
2 %.
美国加州东部实验室
NESG2101M05
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
2
T
J
T
英镑
参数
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
13.0
5.0
1.5
100
500
150
-65到+150
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
热阻
符号
R
第j个-C
参数
结到外壳热阻
单位
° C / W
评级
待定
订购信息
产品型号
NESG2101M05-T1-A
QUANTITY
3千件/卷
供给方式
引脚3 （珍藏） ， 4针
（发射极）所面临的带孔
磁带的口粮方
8毫米宽的压花
TAPING
注意：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
2.安装在38× 38 ×0.4毫米（ t）的环氧玻璃基板
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
总功耗对比
环境温度
反向传输电容，C
re
（PF ）
700
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
1.0
F = 1 MHz的
总功率耗散，P
合计
（ mW）的
600
500
400
300
200
安装在PCB聚酰亚胺
(38
×
38毫米， t为0.4毫米）
0.8
0.6
0.4
0.2
100
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度，T
A
(°C)
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 1 V
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 2 V
集电极电流IC （MA ）
1
0.1
集电极电流IC （MA ）
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
10
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.4
0.01
0.001
基地发射极电压，V
BE
(V)
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
NESG2101M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
100
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 4 V
V
CE
= 3 V
集电极电流IC （MA ）
集电极电流IC （MA ）
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.4
0.01
0.001
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
100
90
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
集电极电流IC （MA ）
80
70
60
50
40
30
20
10
500
A
400
A
350
A
300
A
250
A
200
A
150
A
100
A
直流电流增益，H
FE
450
A
100
I
B
= 50
A
0
1
2
3
4
5
6
10
0.1
1
10
100
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，L
C
（MA ）
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 2 V
1 000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 3 V
直流电流增益，H
FE
直流电流增益，H
FE
100
100
10
0.1
集电极电流，L
C
（MA ）
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
NESG2101M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
V
CE
= 4 V
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
直流电流增益，H
FE
15
100
10
5
10
0.1
1
10
100
0
集电极电流，L
C
（MA ）
1
集电极电流，L
C
（MA ）
10
100
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
15
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
15
10
10
5
5
0
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
集电极电流，L
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
V
CE
= 4 V
F = 2 GHz的
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
40
V
CE
= 1 V
I
C
= 50毫安
35
20
味精
30
25
20
15
15
MAG
10
2
|S21e|
10
5
0
0.1
5
0
1
10
100
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
频率f （ GHz）的
NESG2101M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 2 V
I
C
= 50毫安
插入功率增益， MAG ，
味精与频率
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
40
35
V
CE
= 3 V
I
C
= 50毫安
40
35
味精
30
25
20
15
味精
30
25
20
15
MAG
MAG
2
|S21e|
10
5
0
0.1
2
|S
21e
|
10
5
0
0.1
1
10
100
1
10
100
频率f （ GHz）的
频率f （ GHz）的
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 4 V
I
C
= 50毫安
35
味精
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
30
V
CE
= 1 V
F = 1 GHz的
40
25
MAG
味精
30
25
20
15
|S
21e
|
2
MAG
20
15
|S
21e
|
2
10
10
5
0
0.1
5
0
1
10
100
1
10
100
频率f （ GHz）的
集电极电流，I
C
（MA ）
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 2 V
F = 1 GHz的
25
味精
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
30
30
MAG
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
25
20
20
味精
MAG
15
|S
21e
|
2
15
10
10
|S
21e
|
2
5
5
0
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
数据表
NESG2101M05
NPN硅锗RF晶体管中等输出功率放大（ 125毫瓦）
扁平引脚4引脚薄型超级Minimold （ M05 ）
R09DS0036EJ0300
修订版3.00
2012年6月20日
特点
该设备是用于中等输出功率，高增益放大和低失真，低噪音的理想选择，高
增益放大
P
O（1 dB为单位）
= 21 dBm的典型。 @ V
CE
= 3.6 V，I
Cq
= 10 mA时， F = 2 GHz的
NF = 0.6 dB典型值。 ，G
a
= 19.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 17.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
高击穿电压技术，硅锗Tr的。采用： V
首席执行官
（绝对最大额定值） = 5.0 V
扁平引脚4引脚薄型超minimold （ M05 ）封装
<R>
订购信息
产品型号
NESG2101M05
订单号
NESG2101M05-A
包
扁平引脚4引脚薄型
晚饭minimold
（ M05 ， 2012 PKG ）
（无铅）
QUANTITY
50个
（无卷）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3 （珍藏） ， 4针
（发射极）面对穿孔
磁带的侧
NESG2101M05 -T1 NESG2101M05 -T1 -A
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
注意：
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
T
j
T
英镑
评级
13.0
5.0
1.5
100
500
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
安装在38厘米
2
×
0.4毫米（t）的聚酰亚胺的PCB
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0036EJ0300牧师3.00
2012年6月20日
分页： 13 1
NESG2101M05
<R>
电气特性（T
A
= +25°C)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声图（1）
噪声图（2）
相关联的增益（ 1）
相关联的增益（ 2）
反向传输电容
最大稳定功率增益
增益1 dB压缩输出
动力
线性增益
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
f
T
S
21e
NF
NF
G
a
G
a
C
re
注2
味精
注3
P
O（1 dB为单位）
G
L
2
测试条件
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 2 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 2 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的，
Z
S
= Z
SOP
吨，Z
L
= Z
LOPT
V
CB
= 2 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 50 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 3.6 V，I
Cq
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 3.6 V，I
Cq
= 10 mA时， F = 2 GHz的
分钟。
130
14
11.5
11.0
14.5
典型值。
190
17
13.5
0.9
0.6
13.0
19.0
0.4
17.0
21
15
马克斯。
100
100
260
1.2
0.5
单位
nA
nA
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
pF
dB
DBM
dB
注1.脉冲测量： PW
≤
350
μ
S，占空比
≤
2%
2.集电极基极电容，当发射器接地
3.味精=
S
21
S
12
h
FE
分类
<R>
秩
记号
h
FE
价值
FB / YFB
T1J
130 260
R09DS0036EJ0300牧师3.00
2012年6月20日
分页： 13 2
NESG2101M05
典型特征（T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
（ mW）的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
700
600
500
400
300
200
100
0
25
50
安装在PCB聚酰亚胺
(38
×
38毫米， t为0.4毫米）
1.0
F = 1 MHz的
0.8
0.6
0.4
0.2
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
（MA ）
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 4 V
集电极电流I
C
（MA ）
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
备注
该图显示的标称特性。
R09DS0036EJ0300牧师3.00
2012年6月20日
第13 3
NESG2101M05
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
100
90
500
μ
A
450
μ
A
400
μ
A
350
μ
A
300
μ
A
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
I
B
= 50
μ
A
1
2
3
4
5
6
集电极电流I
C
（MA ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 2 V
直流电流增益
FE
100
直流电流增益
FE
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 3 V
1 000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 4 V
直流电流增益
FE
直流电流增益
FE
100
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
备注
该图显示的标称特性。
R09DS0036EJ0300牧师3.00
2012年6月20日
第13 4
NESG2101M05
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
15
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
15
10
10
5
5
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽积
与集电极电流
20
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
15
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
V
CE
= 4 V
F = 2 GHz的
15
10
10
5
5
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
0
1
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
备注
该图显示的标称特性。
R09DS0036EJ0300牧师3.00
2012年6月20日
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NTE74HC175
NAND256R3A2CZB6T
NJM2871BF
NJM2506M
NL6448BC26-09C
NTE8098
NTD14N03RG
NTC1970-20MHZ
NRA10
供货商
型号
厂家
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