初步数据表
NEC的NPN硅锗晶体管NESG2046M33
针对低噪声，高 - 获得扩增
特点
非常适用于低噪声，高增益放大应用：
NF = 0.8 dB典型值。 ，G
a
= 11.5分贝TYP 。 @ V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
高击穿电压技术
FOR SIGE晶体管
:
V
首席执行官
（绝对最大额定值） = 5.0 V
3 -PIN SUPER LEAD - LESS MINIMOLD （ M33 ）包装
订购信息
产品型号
NESG2046M33-A
NESG2046M33-T3-A
QUANTITY
50个（非卷轴）
10千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚2 （碱）所面对的带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值
(T
A
=+25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
13
5
1.5
40
130
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
记
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
美国加州东部实验室
NESG2046M33
包装尺寸
3 -PIN SUPER LEAD - LESS MINIMOLD （ M33 ）
（单位：毫米）
0.64±0.05
0.44±0.05
（底视图）
0.285
0.84±0.05
2
0.57
3
0.125
T7
1.发射器
2.基
3.收集
0.125
0.15
0.15
0.4最大。
引脚连接
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在这些产品的故障可合理
可以预期会导致人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险和
同意完全赔偿CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
0.11
0.15
1
09/09/2004
NEC化合物半导体器件的业务合作伙伴，公司
4590帕特里克·亨利·道
圣克拉拉，加利福尼亚州95054-1817
电话： （ 408 ） 919-2500
传真： （ 408 ） 988-0279
主题：符合欧盟指令
CEL证明，据其所知，下文详述的半导体和激光产品均符合
欧盟（ EU）指令2002/95 / EC限制对使用有害的要求
在电气和电子设备指令（RoHS）物质和欧盟指令的要求
2003/11 / EC号指令的限制五溴和八溴二苯醚。
CEL无铅产品都添加有后缀相同的基本部件编号。后缀表示-A
该器件是无铅的。该-AZ后缀是用来指定含有铅它们是设备
从RoHS指令（ * ）的要求豁免。在所有情况下，设备具有无铅端子。
这些后缀的所有器件符合RoHS指令的要求。
此状态是根据欧盟指令的CEL的理解和材料的知识
进入其产品作为披露该信息之日起。
限用物质
每个符合RoHS
铅（以Pb计）
MERCURY
镉
六价铬
PBB
多溴二苯醚
每个符合RoHS的浓度限制
（值尚未固定的）
< 1000 PPM
< 1000 PPM
< 100 PPM
< 1000 PPM
< 1000 PPM
< 1000 PPM
含有浓度
在CEL设备
-A
未检出
未检出
未检出
未检出
未检出
未检出
-AZ
(*)
如果您有任何其他问题，对我们的设备，并符合环保
标准，请不要犹豫，请联系您当地的销售代表。
在其网站或其他通信concerting物质提供的CEL信息：重要信息和免责声明
其产品的内容代表的知识和信念，它提供的日期。 CEL基于其上的信息，知识和信仰
由第三方提供，不作任何陈述或保证此类信息的准确性。正在努力更好
集成来自第三方的信息。 CEL已经采取并将继续采取合理的措施来提供有代表性的，准确的
对传入的材料和化学品的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析。 CEL和CEL
供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码等有限的信息可能不可用的
释放。
在任何情况下，所产生的这种信息CEL的责任，不得超过争议的CEL部分（ S）由CEL出售总价款
客户在年度基础上。
见CEL条款及细则担保和责任进一步澄清。
初步数据表
NEC的NPN硅锗晶体管NESG2046M33
针对低噪声，高 - 获得扩增
特点
非常适用于低噪声，高增益放大应用：
NF = 0.8 dB典型值。 ，G
a
= 11.5分贝TYP 。 @ V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
高击穿电压技术
FOR SIGE晶体管
:
V
首席执行官
（绝对最大额定值） = 5.0 V
3 -PIN SUPER LEAD - LESS MINIMOLD （ M33 ）包装
订购信息
产品型号
NESG2046M33-A
NESG2046M33-T3-A
QUANTITY
50个（非卷轴）
10千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚2 （碱）所面对的带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值
(T
A
=+25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
13
5
1.5
40
130
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
记
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
美国加州东部实验室
NESG2046M33
包装尺寸
3 -PIN SUPER LEAD - LESS MINIMOLD （ M33 ）
（单位：毫米）
0.64±0.05
0.44±0.05
（底视图）
0.285
0.84±0.05
2
T7
1.发射器
2.基
3.收集
0.57
3
0.125
0.125
0.15
0.15
0.4最大。
引脚连接
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在这些产品的故障可合理
可以预期会导致人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险和
同意完全赔偿CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
0.11
0.15
1
09/09/2004
NEC化合物半导体器件的业务合作伙伴，公司
初步数据表
NEC的NPN硅锗晶体管NESG2046M33
针对低噪声，高 - 获得扩增
特点
非常适用于低噪声，高增益放大应用：
NF = 0.8 dB典型值。 ，G
a
= 11.5分贝TYP 。 @ V
CE
= 1 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
高击穿电压技术
FOR SIGE晶体管
:
V
首席执行官
（绝对最大额定值） = 5.0 V
3 -PIN SUPER LEAD - LESS MINIMOLD （ M33 ）包装
订购信息
产品型号
NESG2046M33-A
NESG2046M33-T3-A
QUANTITY
50个（非卷轴）
10千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚2 （碱）所面对的带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售网络的CE 。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值
(T
A
=+25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
13
5
1.5
40
130
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
记
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
美国加州东部实验室
NESG2046M33
包装尺寸
3 -PIN SUPER LEAD - LESS MINIMOLD （ M33 ）
（单位：毫米）
0.64±0.05
0.44±0.05
（底视图）
0.285
0.84±0.05
2
T7
1.发射器
2.基
3.收集
0.57
3
0.125
0.125
0.15
0.15
0.4最大。
引脚连接
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在这些产品的故障可合理
可以预期会导致人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险和
同意完全赔偿CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
0.11
0.15
1
09/09/2004
NEC化合物半导体器件的业务合作伙伴，公司
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