初步数据表
NEC的硅锗NPN
NESG2021M16
高频三极管
特点
高击穿电压SiGe技术
V
首席执行官
= 5 V （绝对最大值）
低噪声系数：
NF = 0.9分贝2 GHz的
NF = 1.3分贝5.2 GHz的
最大稳定增益：
味精= 22.5分贝在2 GHz
LOW PROFILE M16包装：
6引脚无铅减Minimold
M16
描述
NEC的NESG2021M16使用NEC's高压制成
硅锗工艺（ UHS2 -HV ） ，并且被设计为
广泛的应用，包括低噪声放大器器，
中等功率放大器器和振荡器。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
G
a
NF
G
a
RF
味精
|S
21E
|
P
1dB
OIP
3
f
T
C
re
I
CBO
I
EBO
h
FE
注意事项：
1.味精= S
21
S
12
2.集电极基极电容时，发射器接地。
3.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
μs,
占空比
≤
2 %.
DC
2
NESG2021M16
M16
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
15.0
20.0
17.0
民
典型值
1.3
10.0
0.9
18.0
22.5
19.0
9
17
20
25
0.1
0.2
100
100
130
190
260
1.2
最大
参数和条件
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 3 mA时， F = 5.2千兆赫，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 3 mA时， F = 5.2千兆赫，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
最大稳定增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
在1dB压缩点的输出功率
V
CE
= 3 V，I
CQ
= 12 mA时， F = 2 GHz的
增益带宽积为V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
反向传输电容
2
在V
CB
= 2 V，I
E
= 0 mA时， F = 1 GHz的
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
3
输出3阶截取点在V
CE
= 3 V，I
CQ
= 12 mA时， F = 2 GHz的dBm的
GHz的
pF
nA
nA
美国加州东部实验室
NESG2021M16
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
2
T
J
T
英镑
参数
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
13.0
5.0
1.5
35
175
150
-65到+150
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M16
6引脚无铅减Minimold
注意：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
2.安装在1.08厘米
2
×1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板。
1.0±0.05
0.8
+0.07
-0.05
0.15±0.05
0.125
+0.1
-0.05
订购信息
产品型号
Quan-
tity
供给方式
引脚1 （珍藏） ，引脚6
（发射极）所面临的射孔
磁带和灰面
0.4
1
1.2
+0.07
-0.05
0.8
NESG2021M16 - T3 -A 10千件
REEL
2
0.4
3
0.5±0.05
引脚连接
4.基地
1.集热器
5.发射
2.辐射源
6.发射器
3.辐射源
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在这些产品的故障可合理
可以预期会导致人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险和
同意完全赔偿CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
4
5
6
zE
11/13/2003
NEC化合物半导体器件的业务合作伙伴，公司
4590帕特里克·亨利·道
圣克拉拉，加利福尼亚州95054-1817
电话： （ 408 ） 919-2500
传真： （ 408 ） 988-0279
主题：符合欧盟指令
CEL证明，据其所知，下文详述的半导体和激光产品均符合
欧盟（ EU）指令2002/95 / EC限制对使用有害的要求
在电气和电子设备指令（RoHS）物质和欧盟指令的要求
2003/11 / EC号指令的限制五溴和八溴二苯醚。
CEL无铅产品都添加有后缀相同的基本部件编号。后缀表示-A
该器件是无铅的。该-AZ后缀是用来指定含有铅它们是设备
从RoHS指令（ * ）的要求豁免。在所有情况下，设备具有无铅端子。
这些后缀的所有器件符合RoHS指令的要求。
此状态是根据欧盟指令的CEL的理解和材料的知识
进入其产品作为披露该信息之日起。
限用物质
每个符合RoHS
铅（以Pb计）
MERCURY
镉
六价铬
PBB
多溴二苯醚
每个符合RoHS的浓度限制
（值尚未固定的）
< 1000 PPM
< 1000 PPM
< 100 PPM
< 1000 PPM
< 1000 PPM
< 1000 PPM
含有浓度
在CEL设备
-A
未检出
未检出
未检出
未检出
未检出
未检出
-AZ
(*)
如果您有任何其他问题，对我们的设备，并符合环保
标准，请不要犹豫，请联系您当地的销售代表。
在其网站或其他通信concerting物质提供的CEL信息：重要信息和免责声明
其产品的内容代表的知识和信念，它提供的日期。 CEL基于其上的信息，知识和信仰
由第三方提供，不作任何陈述或保证此类信息的准确性。正在努力更好
集成来自第三方的信息。 CEL已经采取并将继续采取合理的措施来提供有代表性的，准确的
对传入的材料和化学品的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析。 CEL和CEL
供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码等有限的信息可能不可用的
释放。
在任何情况下，所产生的这种信息CEL的责任，不得超过争议的CEL部分（ S）由CEL出售总价款
客户在年度基础上。
见CEL条款及细则担保和责任进一步澄清。
数据表
NPN硅锗RF晶体管
NESG2021M16
NPN硅锗RF晶体管
低噪声，高增益放大
6 -PIN LEAD - LESS MINIMOLD （ M16 1208 PKG ）
特点
设备是低噪音，低电流扩增高增益的理想选择
NF = 0.9 dB典型值。 ，G
a
= 18.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
NF = 1.3 dB典型值。 ，G
a
= 10.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 3 mA时， F = 5.2 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 22.5分贝TYP 。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
高击穿电压技术，硅锗Tr的。采用： V
首席执行官
（绝对最大额定值） = 5.0 V
6针引线少minimold （ M16 ， 1208 PKG ）
<R>
订购信息
产品型号
NESG2021M16
订单号
NESG2021M16-A
包
6引脚无铅减Minimold
（ M16 ， 1208 PKG ）
NESG2021M16-T3
NESG2021M16-T3-A
（无铅）
QUANTITY
50个
（无卷）
10千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 （珍藏） ，引脚6 （发射极）所面临的
带的穿孔侧
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
2
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
评级
13.0
5.0
1.5
35
175
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
记
安装在1.08厘米
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10393EJ03V0DS （第3版）
发布日期2009 NS月
日本印刷
标记<R>表示主要修改点。
2003, 2009
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
QQ：2880707522 复制
