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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第63页 > NESG2021M05-T1-A
数据表
NEC的硅锗NPN
NESG2021M05
高频三极管
特点
高击穿电压SiGe技术
V
首席执行官
= 5 V （绝对最大值）
低噪声系数：
NF = 0.9分贝2 GHz的
NF = 1.3分贝5.2 GHz的
最大稳定增益：
味精= 22.5分贝在2 GHz
LOW PROFILE M05包装：
SOT- 343的足迹，用的0.59毫米的高度
为更好的RF性能扁平引线型
无铅
M05
描述
NEC的NESG2021M05使用NEC's高压制成
硅锗工艺（ UHS2 -HV ） ，并且被设计为
广泛的应用，包括低噪声放大器器，
中等功率放大器器和振荡器。
NEC's低廓，在佛罗里达州牵头的风格M05封装提供高
高频性能的紧凑型无线设计。
NESG2021M05
M05
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
GHz的
pF
nA
nA
130
190
20
15.0
20.0
17.0
民
典型值
1.3
10.0
0.9
18.0
22.5
19.0
9.0
17.0
25
0.1
0.2
100
100
260
1.2
最大
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
G
a
NF
G
a
RF
味精
|S
21E
|
P
1dB
OIP
3
f
T
C
re
I
CBO
I
EBO
h
FE
注意事项：
1.味精= S
21
S
12
DC
2
参数和条件
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 3 mA时， F = 5.2千兆赫，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 3 mA时， F = 5.2千兆赫，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
噪声系数在V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
在V相关的增益
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
， ZL = Z
LOPT
最大稳定增益
1
在V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
在1dB压缩点的输出功率
V
CE
= 3 V，I
C
= 12 mA时， F = 2 GHz的
输出3阶截取点在V
CE
= 3 V，I
C
= 12 mA时， F = 2 GHz的
增益带宽积为V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
反向传输电容
2
在V
CB
= 2 V，I
C
= 0 mA时， F = 1 GHz的
集电极截止电流在V
CB
= 5V ，我
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
直流电流增益在V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
3
2.集电极基极电容用电容表（自动平衡电桥法）时，发射器引脚连接到测量
后卫脚。
3.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
μs,
占空比
≤
2 %.
美国加州东部实验室
NESG2021M05
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
2
T
J
T
英镑
参数
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
13.0
5.0
1.5
35
175
150
-65到+150
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
热阻
符号
R
第j个-C
参数
结到外壳热阻
单位
° C / W
评级
待定
订购信息
产品型号
QUANTITY
供给方式
铅免费
引脚3 （珍藏） ， 4针
（发射极）面对穿孔
磁带的侧
8毫米宽压纹带卷
NESG2021M05 -T1 -A 3千件/卷
注意：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
2.安装在1.08厘米
2
×1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板。
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
总功耗对比
环境温度
总功率耗散，P
合计
（ mW）的
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
2
（ 1.08厘米
×
1.0毫米（ t））的
200
175
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容，C
re
（PF ）
0.3
F = 1 MHz的
250
0.2
150
100
0.1
50
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度，T
A
(°C)
集电极 - 基极电压，V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 1 V
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
V
CE
= 2 V
集电极电流IC （MA ）
集电极电流IC （MA ）
10
1
0.1
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.4
0.01
0.001
0.0001
0.4
基地发射极电压，V
BE
(V)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基地发射极电压，V
BE
(V)
NESG2021M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
35
V
CE
= 3 V
200
A
30
集电极电流IC （MA ）
集电极电流IC （MA ）
180
A
160
A
140
A
120
A
100
A
25
20
15
80
A
60
A
40
A
0.01
0.001
0.0001
0.4
10
5
I
B
= 20
A
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
1
2
3
4
5
6
基地发射极电压，V
BE
(V)
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 2 V
直流电流增益，H
FE
100
直流电流增益，H
FE
1
10
100
100
10
0.1
10
0.1
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
集电极电流，L
C
（MA ）
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 3 V
增益带宽积
与集电极电流
30
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
直流电流增益，H
FE
25
20
15
100
10
5
0
10
0.1
集电极电流，L
C
（MA ）
1
10
100
1
集电极电流，L
C
（MA ）
10
100
NESG2021M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
增益带宽积
与集电极电流
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
增益带宽积
与集电极电流
30
25
20
15
10
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
30
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
25
20
15
10
5
0
5
0
1
10
100
1
10
100
集电极电流，L
C
（MA ）
集电极电流，L
C
（MA ）
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
40
插入功率增益， MAG ，
味精与频率
40
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE =
1 V
I
C
= 10毫安
35
30
25
20
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安
味精
35
30
25
20
|S
21e
|
2
味精
MAG
MAG
|S
21e
|
15
10
5
0
0.1
2
15
10
5
0
0.1
1
10
100
1
10
100
频率f （ GHz）的
频率f （ GHz）的
插入功率增益， MAG ， MSG
与频率的关系
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 3 V
I
C
= 10毫安
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
30
V
CE
= 1 V
F = 1 GHz的
40
35
30
25
20
|S
21e
|
2
味精
MAG
25
味精
MAG
20
15
|S
21e
|
2
15
10
5
0
0.1
10
5
0
1
10
100
1
10
100
频率f （ GHz）的
集电极电流，I
C
（MA ）
NESG2021M05
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
30
30
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
V
CE
= 1 V
F = 3 GHz的
25
味精
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
25
味精
MAG
MAG
20
20
15
15
10
|S
21e
|
2
10
|S
21e
|
2
5
5
0
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
25
V
CE
= 1 V
F = 5 GHz的
30
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
V
CE
= 2 V
F = 1 GHz的
味精
MAG
20
25
15
20
MAG
10
|S
21e
|
15
2
5
10
|S
21e
|
0
2
5
-5
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
25
味精
插入功率增益， MAG ， MSG
与集电极电流
插入功率增益， IS
21e
I
2
（ dB）的
最大可用增益， MAG （分贝）
最大稳定功率增益，味精（分贝）
30
V
CE
= 2 V
F = 3 GHz的
30
MAG
25
味精
20
MAG
20
15
|S
21e
|
2
15
10
10
|S
21e
|
2
5
5
0
1
10
100
0
1
10
100
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
数据表
NESG2021M05
NPN硅锗RF晶体管的低噪声，高增益放大
扁平引脚4引脚薄型超级Minimold （ M05 ）
特点
该器件是低噪声，高增益低电流扩增的理想选择。
NF = 0.9 dB典型值。 ，G
a
= 18.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz的
NF = 1.3 dB典型值。 ，G
a
= 10.0分贝TYP 。 @ V
CE
= 2 V，I
C
= 3 mA时， F = 5.2 GHz的
最大稳定功率增益：味精= 22.5分贝TYP 。 @ V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
高击穿电压技术，硅锗Tr的。采用： V
首席执行官
（绝对最大额定值） = 5.0 V
扁平引脚4引脚薄型超minimold （ M05 ）封装
R09DS0034EJ0300
修订版3.00
2012年6月20日
<R>
订购信息
产品型号
NESG2021M05
NESG2021M05-T1
备注
订单号
NESG2021M05-A
NESG2021M05-T1-A
包
扁平引线4针thin-
类型夜宵minimold
（ M05 ， 2012 PKG ）
（无铅）
QUANTITY
50个
（无卷）
3千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚3 （珍藏） ， 4针
（发射极）面对穿孔
磁带的侧
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样本股数量为50个。
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
注意：
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
记
T
j
T
英镑
评级
13.0
5.0
1.5
35
175
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0034EJ0300牧师3.00
2012年6月20日
第12页1
NESG2021M05
<R>
电气特性（T
A
= +25°C)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积
插入功率增益
噪声图（1）
噪声图（2）
相关联的增益（ 1）
相关联的增益（ 2）
反向传输电容
最大稳定功率增益
增益1 dB压缩输出
动力
三阶互调
失真输出截获
点
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
f
T
S
21e
NF
NF
G
a
G
a
C
re
注2
味精
注3
P
O（1 dB为单位）
OIP
3
2
测试条件
V
CB
= 5 V，I
E
= 0
V
EB
= 1 V，I
C
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 5毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 2 V，I
C
= 3 mA时， F = 5.2千兆赫，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 2 V，I
C
= 3毫安， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 2 V，I
C
= 3 mA时， F = 5.2千兆赫，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CB
= 2 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 10 mA时， F = 2 GHz的
V
CE
= 3 V，I
C
= 12 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
V
CE
= 3 V，I
C
= 12 mA时， F = 2 GHz时，
Z
S
= Z
SOPT
, Z
L
= Z
LOPT
分钟。
130
20
17.0
15.0
20.0
典型值。
190
25
19.0
0.9
1.3
18.0
10.0
0.1
22.5
9.0
17.0
马克斯。
100
100
260
1.2
0.2
单位
nA
nA
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
pF
dB
DBM
DBM
注意事项： 1，脉冲测量： PW
≤
350
μ
S，占空比
≤
2%
2.集电极基极电容，当发射器接地
3.味精=
S
21
S
12
h
FE
分类
<R>
秩
记号
h
FE
价值
FB / YFB
T1G
130 260
R09DS0034EJ0300牧师3.00
2012年6月20日
第12页2
NESG2021M05
典型特征（T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
总功耗
- 环境温度
总功耗P
合计
（ mW）的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
反向传输电容C
re
（PF ）
250
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
（ 1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t））的
200
175
0.3
F = 1 MHz的
0.2
150
100
0.1
50
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 2 V
集电极电流I
C
（MA ）
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
CE
= 3 V
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
35
30
25
20
15
10
5
I
B
= 20
μ
A
200
μ
A
180
μ
A
160
μ
A
140
μ
A
120
μ
A
100
μ
A
80
μ
A
60
μ
A
40
μ
A
集电极电流I
C
（MA ）
0.0001
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
1
2
3
4
5
6
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
备注
该图显示的标称特性。
R09DS0034EJ0300牧师3.00
2012年6月20日
第12页3
NESG2021M05
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 1 V
1 000
V
CE
= 2 V
直流电流增益主场迎战
集电极电流
直流电流增益
FE
100
直流电流增益
FE
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
集电极电流I
C
（MA ）
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1 000
V
CE
= 3 V
直流电流增益
FE
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
（MA ）
备注
该图显示的标称特性。
R09DS0034EJ0300牧师3.00
2012年6月20日
第12页4
NESG2021M05
增益带宽积
与集电极电流
30
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
增益带宽积
与集电极电流
30
25
20
15
10
5
0
1
V
CE
= 2 V
F = 2 GHz的
25
20
15
10
5
0
1
V
CE
= 1 V
F = 2 GHz的
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
增益带宽积
与集电极电流
30
增益带宽乘积F
T
（千兆赫）
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.1
1
10
100
|S
21e
|
2
味精
MAG
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安
25
20
15
10
5
0
1
V
CE
= 3 V
F = 2 GHz的
10
集电极电流I
C
（MA ）
100
频率f（ GHz）的
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
插入功率增益，
MAG ， MSG与频率的关系
插入功率增益| S
21e
|
2
（ dB）的
最大可用功率增益MAG （分贝）
最大稳定功率增益MSG（分贝）
40
35
30
25
20
|S
21e
|
2
15
10
5
0
0.1
1
10
味精
MAG
V
CE
= 2 V
I
C
= 10毫安
40
35
30
25
20
|S
21e
|
2
15
10
5
0
0.1
1
10
味精
MAG
V
CE
= 3 V
I
C
= 10毫安
100
100
频率f（ GHz）的
频率f（ GHz）的
备注
该图显示的标称特性。
R09DS0034EJ0300牧师3.00
2012年6月20日
第12页5
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