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0.5W X, Ku波段功率GaAs FET
NE960R575
特点
高输出功率:
27.5 dBm的典型值@ P
1
dB
高线性增益:
9.0分贝TYP @ 14.5 GHz的
高效率:
30 % TYP @ 14.5 GHz的
高可靠性
A类操作
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形75
φ
1.8
+0.15
-0.05
2个地方
来源
2.7
2.3
0.5
±
0.1
2.7典型值
7.0
3.0 MIN BOTH
LEADS
描述
该NE950R575功率GaAs FET覆盖4 GHz至18
GHz频率范围内用于商业放大器和振荡器
应用程序。
该器件集成的WSi (硅化钨)门和sili-
CON二氧化碳玻璃熔封。 NEC的strigent质量保证
和测试程序保证最高的可靠性和perfor-
曼斯。
+0.06
0.1 -0.02
9.8 MAX
2.3
1.13
0.9最大
电气特性
(T
A
产品型号
包装外形
符号
G
L
P
1dB
P
OUT
特征
线性增益
输出功率(1 dB为单位)
= 25°C)
NE950R575
75
单位
dB
DBM
DBM
%
° C / W
A
V
V
0.18
-2.5
15
0.4
-1.8
25.5
8.0
典型值
9.0
27.5
26.5
30
30
0.7
-0.5
最大
测试条件
V
DS
= 9 V
I
DS
= 180 mA设定
F = 14.5 GHz时, RG = 1KΩ
P
IN
- 19 dBm的
1
P
OUT
= P
1dB1
通道到案件
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V,I
DS
= 2毫安
I
GD
= 2毫安
实用
特征
电源输出的固定输入功率
功率附加效率
热阻
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅漏击穿电压
η
添加
R
TH
I
DSS
Vp
BV
GD
注意:
1. V
DS
= 9 V,I
DSQ
= 90 mA时, F = 14.5 GHz的。
电动
特征
美国加州东部实验室
NE950R575
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25
°C)
符号
V
DS
V
GS
P
t
I
D
I
GF
I
GR
T
CH
T
英镑
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
总功耗
漏电流
栅电流(正向)
栅电流(反向)
通道温度
储存温度
单位
V
V
W
mA
mA
mA
°C
°C
评级
15
-7
3.0
600
5.0
-5.0
175
-65到+175
推荐工作极限
符号
V
DS
T
CH
G
COMP
参数
漏源极电压
通道温度
输入功率
单位最小值典型值
V
°C
DBCOMP
9
最大
9
130
3
注意:
1.操作中过量的这些参数中的任何一个,可能会导致
在永久性损坏。
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
输出功率和效率
随输入功率
30
60
300
漏电流和线性增益
随输入功率
12
输出功率P
OUT
( dBm的)
20
30
200
8
15
F = 14.5千兆赫( 1音)
V
DS
= 9 V,I
DSQ
= 180毫安
R
G
= 1 K
5
10
15
20
25
15
150
F = 14.5千兆赫( 1音)
V
DS
= 9 V,I
DSQ
= 180毫安
R
G
= 1 K
6
10
0
100
5
10
15
20
25
4
输入功率, P
IN
( dBm的)
输入功率, P
IN
( dBm的)
栅极电流随输入功率
1.5
F = 14.5千兆赫( 1音)
V
DS
= 9 V,I
DSQ
= 180毫安
R
G
= 1 K
栅极电流,我
G
(MA )
1.0
0.5
0.0
-0.5
5
10
15
20
25
输入功率, P
IN
( dBm的)
线性增益,G
L
( dB)的
ê FFI效率,
η
添加
(%)
25
45
漏电流,我
D
(MA )
250
10
NE960R575
典型的散射参数
(T
A
= 25°C)
NE960R575
V
DS
= 9 V,I
DSQ
= 180毫安
频率
GHz的
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
MAG
0.87
0.84
0.84
0.82
0.81
0.79
0.73
0.69
0.62
0.63
0.76
0.79
0.87
0.87
0.83
S
11
-140
-154
-160
-163
-167
-175
171
147
109
47
0
-21
-45
-53
-60
MAG
4.36
2.98
2.36
2.08
1.99
1.96
2.02
2.20
2.30
2.22
1.62
1.30
0.90
0.60
0.43
S
21
85
68
54
42
33
18
1
-20
-51
-88
-124
-144
-172
166
150
MAG
0.042
0.040
0.040
0.043
0.047
0.055
0.066
0.076
0.083
0.063
0.032
0.017
0.022
0.034
0.037
S
12
23
19
22
32
34
35
30
18
-4
-41
-82
-141
128
101
82
MAG
0.23
0.25
0.30
0.32
0.34
0.36
0.36
0.37
0.38
0.45
0.57
0.61
0.66
0.73
0.75
S
22
-131
-143
-149
-154
-160
-168
178
159
136
95
65
49
27
11
-2
注意S参数,包括连接线。
开始2 GHz时,停止16千兆赫, STEP 1 GHz的
S
11
1.0
0.5
2.0
+135°
S
12
+90°
+45°
16 GHz的
0
0.5
0.5
0.5
+180°
2 GHz的
2 GHz的
16 GHz的
-0.5
-1.0
R
最大
= 1
S
21
+90°
+135°
2 GHz的
+45°
-135°
-90°
R
最大
= 0.1
-45°
-2.0
S
22
1.0
0.5
2.0
+180°
16 GHz的
0
0.5
1.0
2 GHz的
2.0
16 GHz的
-135°
-90°
-45°
-0.5
-1.0
-2.0
R
最大
= 1
R
最大
= 5
北美的独家代理FOR
射频,微波&光电半导体
美国加州东部实验室
司令部
4590帕特里克·亨利·道
圣克拉拉,加利福尼亚州95054-1817
(408) 988-3500
电传34-6393
传真( 408 ) 988-0279
24小时传真点播: 800-390-3232 (美国和加拿大)
互联网: http://WWW.CEL.COM
07/18/2001
数据可能会有更改,恕不另行通知
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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