0.5W X， Ku波段功率GaAs FET
NE960R575
特点
高输出功率：
27.5 dBm的典型值@ P
1
dB
高线性增益：
9.0分贝TYP @ 14.5 GHz的
高效率：
30 ％ TYP @ 14.5 GHz的
高可靠性
A类操作
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形75
φ
1.8
+0.15
-0.05
2个地方
门
来源
2.7
2.3
0.5
±
0.1
漏
2.7典型值
7.0
3.0 MIN BOTH
LEADS
描述
该NE950R575功率GaAs FET覆盖4 GHz至18
GHz频率范围内用于商业放大器和振荡器
应用程序。
该器件集成的WSi （硅化钨）门和sili-
CON二氧化碳玻璃熔封。 NEC的strigent质量保证
和测试程序保证最高的可靠性和perfor-
曼斯。
+0.06
0.1 -0.02
9.8 MAX
2.3
1.13
0.9最大
电气特性
(T
A
产品型号
包装外形
符号
G
L
P
1dB
P
OUT
特征
线性增益
输出功率（1 dB为单位）
= 25°C)
NE950R575
75
单位
dB
DBM
DBM
%
° C / W
A
V
V
0.18
-2.5
15
0.4
-1.8
25.5
民
8.0
典型值
9.0
27.5
26.5
30
30
0.7
-0.5
最大
测试条件
V
DS
= 9 V
I
DS
= 180 mA设定
F = 14.5 GHz时， RG = 1KΩ
P
IN
- 19 dBm的
1
P
OUT
= P
1dB1
通道到案件
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V，I
DS
= 2毫安
I
GD
= 2毫安
实用
特征
电源输出的固定输入功率
功率附加效率
热阻
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅漏击穿电压
η
添加
R
TH
I
DSS
Vp
BV
GD
注意：
1. V
DS
= 9 V，I
DSQ
= 90 mA时， F = 14.5 GHz的。
电动
特征
美国加州东部实验室
NE960R575
典型的散射参数
(T
A
= 25°C)
NE960R575
V
DS
= 9 V，I
DSQ
= 180毫安
频率
GHz的
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
MAG
0.87
0.84
0.84
0.82
0.81
0.79
0.73
0.69
0.62
0.63
0.76
0.79
0.87
0.87
0.83
S
11
昂
-140
-154
-160
-163
-167
-175
171
147
109
47
0
-21
-45
-53
-60
MAG
4.36
2.98
2.36
2.08
1.99
1.96
2.02
2.20
2.30
2.22
1.62
1.30
0.90
0.60
0.43
S
21
昂
85
68
54
42
33
18
1
-20
-51
-88
-124
-144
-172
166
150
MAG
0.042
0.040
0.040
0.043
0.047
0.055
0.066
0.076
0.083
0.063
0.032
0.017
0.022
0.034
0.037
S
12
昂
23
19
22
32
34
35
30
18
-4
-41
-82
-141
128
101
82
MAG
0.23
0.25
0.30
0.32
0.34
0.36
0.36
0.37
0.38
0.45
0.57
0.61
0.66
0.73
0.75
S
22
昂
-131
-143
-149
-154
-160
-168
178
159
136
95
65
49
27
11
-2
注意S参数，包括连接线。
开始2 GHz时，停止16千兆赫， STEP 1 GHz的
S
11
1.0
0.5
2.0
+135°
S
12
+90°
+45°
16 GHz的
0
0.5
0.5
0.5
∞
+180°
2 GHz的
0°
2 GHz的
16 GHz的
-0.5
-1.0
R
最大
= 1
S
21
+90°
+135°
2 GHz的
+45°
-135°
-90°
R
最大
= 0.1
-45°
-2.0
S
22
1.0
0.5
2.0
+180°
16 GHz的
0°
0
0.5
1.0
2 GHz的
2.0
16 GHz的
∞
-135°
-90°
-45°
-0.5
-1.0
-2.0
R
最大
= 1
R
最大
= 5
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
司令部
4590帕特里克·亨利·道
圣克拉拉，加利福尼亚州95054-1817
(408) 988-3500
电传34-6393
传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大）
互联网： http://WWW.CEL.COM
07/18/2001
数据可能会有更改，恕不另行通知
初步数据表
N沟道的GaAs MES FET
NE960R5系列
0.5瓦X， Ku波段功率GaAs MES FET
描述
该NE960R5系列是0.5瓦的GaAs MES专为中等功率发射器应用的X， Ku波段场效应管
波段微波通信系统。它能够提供0.5瓦特输出功率（ CW）的高线性
增益，高效率，低失真，适合作为驱动放大器为X， Ku波段NEZ系列放大器
等NE961R500和NE960R500是在芯片的形式提供。该NE960R500通孔源具有
接地和PHS（镀金散热片）卓越的射频性能。该NE960R575和NE962R575是
可在一个密封的陶瓷封装。该NE962R575适合振荡器的应用。可靠性
和性能均匀性是由NEC严格的质量控制程序保证。
特点
高输出功率
高线性增益
: P
O（1 dB为单位）
= 27.5 dBm的典型。
：9.0 dB典型值。
高功率附加效率： 30 ％ TYP 。 @V
DS
= 9 V，I
DSET
= 180 mA时， F = 14.5 GHz的
订购信息
产品型号
NE960R500
NE961R500
NE960R575
NE962R575
75
包
00 （ CHIP ）
供给方式
ESD保护套
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。
（样品订购部件号： NE960R500 ， NE960R575 ， NE961R500 ， NE962R575 ）
请小心处理这种装置在无静电工作站，因为这是对静电敏感的
装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件P14387EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1999年7月 CP （ K）
日本印刷
1999
NE960R5系列
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
°
操作中过量的这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损坏。
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
门正向电流
门反向电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
GF
I
GR
P
T
T
ch
T
英镑
评级
15
–7 (9
注1
单位
V
)
V
A
mA
mA
)
W
°C
°C
0.7
+5.0
–5.0
5.0 (4.2
注2
175
-65到+175
注意事项1 。
NE962R575
2.
NE961R500
推荐工作条件
参数
漏源极电压
增益压缩
通道温度
符号
V
DS
GCOMP
T
ch
测试条件
分钟。
典型值。
9.0
马克斯。
9.0
3.0
+130
单位
V
dB
°C
电气特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明，使用NEC标准测试夹具）。
°
参数
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅漏击穿电压
门源打破
注2
电压
热阻
在P输出功率
in
= +19 dBm的
输出功率为1 dB增益
注1
压缩点
功率附加效率P
O（ 1分贝）
线性增益
注1
注1
注1
符号
I
DSS
V
p
BV
gd
BV
gs
R
th
P
OUT
P
O（1 dB为单位）
测试条件
V
DS
= 1.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V，I
D
= 2毫安
I
gd
= 2毫安
I
gs
= 2毫安
渠道情况
F = 14.5千兆赫，V
DS
= 9.0 V
R
g
= 1 k
I
DSET
= 180 MA（ RF OFF）
分钟。
0.18
–2.5
15
9.0
25.5
8.0
典型值。
0.4
–1.8
26.5
27.5
马克斯。
0.7
–0.5
30 (35
注3
单位
A
V
V
V
)
° C / W
DBM
DBM
η
添加
G
L
30
9.0
%
dB
注意事项1 。
除了NE962R575
2.
只有NE962R575
3.
NE961R500
备注
DC和RF性能是100％的测试。
2
初步数据表P14387EJ1V0DS00
NE960R5系列
典型的S参数
[NE960R575]
测试条件： V
DS
= 9 V，I
DSET
= 180毫安
频率
GHz的
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
S
11
ANG 。 （度）
–140
–154
–160
–163
–167
–175
171
147
109
47
0
–21
–45
–53
–60
S
21
ANG 。 （度）
85
68
54
42
33
18
1
–20
–51
–88
–124
–144
–172
166
150
S
12
ANG 。 （度）
23
19
22
32
34
35
30
18
–4
–41
–82
–141
128
101
82
S
22
ANG 。 （度）
–131
–143
–149
–154
–160
–168
178
159
136
95
65
49
27
11
–2
MAG 。
0.87
0.84
0.84
0.82
0.81
0.79
0.73
0.69
0.62
0.63
0.76
0.79
0.87
0.87
0.83
MAG 。
4.36
2.98
2.36
2.08
1.99
1.96
2.02
2.20
2.30
2.22
1.62
1.30
0.90
0.60
0.43
MAG 。
0.042
0.040
0.040
0.043
0.047
0.055
0.066
0.076
0.083
0.063
0.032
0.017
0.022
0.034
0.037
MAG 。
0.23
0.25
0.30
0.32
0.34
0.36
0.36
0.37
0.38
0.45
0.57
0.61
0.66
0.73
0.75
开始2 GHz时，停止16千兆赫， STEP 1 GHz的
S
11
1.0
0.5
2.0
+135°
16 GHz的
0.5
1.0
2.0
∞
±180°
2 GHz的
+45°
S
12
+90°
0
0°
2 GHz的
16 GHz的
–0.5
–1.0
R
马克斯。
= 1
S
21
+90°
+135°
2 GHz的
+45°
0.5
S
22
1.0
2.0
–2.0
–135°
–90°
R
马克斯。
= 0.1
–45°
±180°
16 GHz的
0°
0
0.5
1.0
2 GHz的
2.0
16 GHz的
∞
–135°
–90°
–45°
R
马克斯。
= 5
–0.5
–1.0
–2.0
R
马克斯。
= 1
4
初步数据表P14387EJ1V0DS00
QQ：2880707522 复制
