Ku波段介质
功率GaAs MESFET
特点
A类操作
高输出功率
P
OUT
26.5 dBm的
G
1dB
- 7分贝
高功率附加效率
线性增益（dB ）
NE9000系列
NE9001系列
NE9002系列
典型的线性增益与频率
24
21
18
NE9000
15
NE9001/9002
描述
该NE9000 ， NE9001 ， NE9002和被0.5微米凹陷
门中等功率的GaAs FET的商用和空间
放大器和振荡器应用到20GHz 。芯片组态
可用的口粮是： NE900000 ， 400一个一个细胞模
m
门的宽度;在NE900100 ， 750一单元模
m
门
宽度;和NE900200 ，在1500 2细胞模
m
总闸门
宽度。该系列芯片的形式或各种可用
密封陶瓷封装。该NE900000 ， NE900100 ，
和NE900200是没有环绕模具标准源 -
金属化，而NE900000G ， NE900100G ，并
NE900200G有环绕式源金属。该
系列产品是合格的空间。
12
9
6
3
2.0
10.0
频率（GHz ）
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
NE900089A
89A
单位最小典型最大
mA
V
V
V
mS
mS
mS
° C / W
W
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
%
20.5
20
23
25
9
8
7
7
27
27
27
26
19.5
20.5
19.5
20.5
22
23
25.5
26.5
80
-1.5
120
-3.5
150
-5
NE900000
NE900000G
NE900075
00 （ CHIP ） ， 75
最小典型最大
80
-1.5
120
-3.5
150
-5
-2
-3.5
-5
-2
25
25
50
100
180
0.8
180
0.8
100
1.5
50
3
-3.5
-5
NE900100
NE900100G
NE900175
00 （ CHIP ） ， 75
最小典型最大
150
225
300
NE900200
NE900200G
NE900275
00 （ CHIP ） ， 75
最小典型最大
300
450
600
符号
I
DSS
V
P
包装外形
参数和条件
饱和漏极电流在
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0
夹断电压在V
DS
= 2.5 V,
I
DS
= 2.5毫安
I
DS
= 5毫安
I
DS
= 10毫安
跨在V
DS
= 2.5 V,
I
DS
= 50毫安
I
DS
= 90毫安
I
DS
= 180毫安
热电阻（通道到案例）
总功耗
输出功率在测试点
P
IN
= 11 dBm时， V
DS
= 8V ，我
D
= 50mA时
F = 8 GHz的
P
IN
= 12 dBm时， V
DS
= 8V ，我
D
= 50毫安
F = 14.5 GHz的
P
IN
= 15 dBm时， V
DS
= 8V ，我
D
= 90毫安
F = 14.5 GHz的
P
IN
= 19 dBm时， V
DS
= 8 V，I
D
= 180毫安，
f = 14.5
输出功率在1 dB压缩
点，
V
DS
= 8 V，I
D =
50毫安， F = 8 GHz的
V
DS
= 8 V，I
D
= 50 mA时， F = 14.5 GHz的
V
DS
= 8 V，I
D
= 90 mA时， F = 14.5 GHz的
V
DS
= 8 V，I
D
= 180 mA时， F = 14.5 GHz的
增益为1 dB压缩点
V
DS
= 8 V，I
D
= 50 mA时， F = 8 GHz的
V
DS
= 8 V，I
D
= 50 mA时， F = 14.5 GHz的
V
DS
= 8 V，I
D
= 90 mA时， F = 14.5 GHz的
V
DS
= 8 V，I
D
= 180 mA时， F = 14.5 GHz的
功率附加效率
V
DS
= 8 V ，在P
1dB
条件。
g
m
R
TH（ C-C ）
P
T
P
TEST
P
1dB
G
1dB
η
添加
美国加州东部实验室
NE9000 ， NE9001 ， NE9002系列
绝对最大额定值
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
V
GS
I
D
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
NE900000 ， NE900075 / 89
NE900100 ， NE900175
NE900200 ， NE900275
栅电流
NE900000 ， NE900075 / 89
NE900100 ， NE900175
NE900200 ， NE900275
单位
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
评级
20
-9
150
300
600
1.3
2.6
5
总功耗， PT （ W）
3
功率降额曲线
NE9002
2
NE9001
1
I
G
NE9000
0
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形75
φ
1.8
+0.15
-0.05
2个地方
门
来源
2.7±0.3
2.3±0.1
0
50
100
150
200
外壳温度，T
A
(°C)
包装外形89A
0.5 ± 0.1
2.03 ± 0.2
S
4.0 MIN （各导联）
0.51
漏
2.7典型值
7.0
+0.06
0.1 -0.02
9.8 MAX
3.0 MIN BOTH
LEADS
D
G
S
1.02
2.3
1.13
1.6 MAX
0.9最大
NE900000 （ CHIP ）
（单位
m)
50
400
0.1
NE900100 / NE900200 （ CHIP ） *
（单位
m)
52
D
550
50
430
228
D
D
53
G
S
50
62
130
440
240
G
G
S
S
62
142
S
131
模具厚度： 110 160
m
建议结合面积。
S
50
Glassivated区
镀环绕式（可选）
116
80
操作注意事项
芯片连接
芯片粘接可以完成与金戈（ 390
±
10℃）在预成型件
一个形成气体环境。环氧芯片粘接不推荐。
合
栅极和漏极键合线应是半硬金丝（ 38％
伸长率）为30微米或更小的直径。
粘接应与楔形尖端具有一个锥度来进行
大约15°。管芯附着和接合时间应保持在一
最低限度。作为一般规则，在焊接操作应保持在
一个300℃至10分钟便可曲线。如果较长时间是必需的，所述温度
TURE应该降低。
注意事项
用户必须操作在一个干净，干燥的环境中。该芯片通道
被glassivated仅机械保护和不妨碍
需要一个干净的环境。
接合设备应定期检查为源
浪涌电压，应妥善接地，在任何时候。实际上，所有
测试和装卸设备必须接地，以尽量减少
静电放电的可能性。
NE9000 ， NE9001 ， NE9002系列
典型的小信号散射参数
NE900000
V
DS
= 8 V，I
D
= 50毫安
频率
（兆赫）
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
16000
17000
18000
MAG
.96
.90
.87
.85
.82
.79
.75
.73
.72
.71
.72
.73
.74
.75
.74
.71
.65
S
11
昂
-42
-59
-73
-85
-94
-103
-112
-120
-128
-134
-140
-144
-147
-149
-151
-152
-155
MAG
3.00
2.71
2.48
2.28
2.10
1.94
1.79
1.64
1.51
1.38
1.27
1.17
1.09
1.04
1.01
1.03
1.10
S
21
昂
148
136
125
114
105
96
88
80
73
67
62
58
54
51
48
45
40
MAG
.04
.04
.05
.06
.06
.07
.07
.07
.07
.07
.07
.07
.07
.08
.09
.10
.11
S
12
昂
69
66
62
58
55
53
52
52
53
55
58
63
69
74
78
81
82
MAG
.80
.78
.76
.74
.72
.71
.70
.70
.70
.71
.71
.71
.71
.71
.70
.69
.68
S
22
昂
-11
-12
-13
-17
-20
-24
-28
-32
-34
-36
-38
-39
-40
-41
-43
-47
-53
NE900100
V
DS
= 8 V，I
D
= 90毫安
频率
（兆赫）
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
16000
17000
18000
MAG
.91
.82
.77
.75
.74
.74
.73
.72
.72
.72
.72
.73
.73
.74
.73
.71
.67
S
11
昂
-63
-81
-97
-110
-120
-129
-135
-141
-145
-148
-150
-152
-153
-155
-157
-161
-167
MAG
4.54
3.70
3.14
2.75
2.44
2.17
1.93
1.70
1.50
1.34
1.21
1.13
1.08
1.05
1.03
1.00
.93
S
21
昂
137
124
111
100
91
83
77
71
67
62
58
55
51
48
44
41
36
MAG
.05
.05
.06
.06
.07
.07
.07
.07
.07
.07
.07
.08
.08
.09
.10
.12
.13
S
12
昂
63
55
51
48
47
48
49
52
55
60
65
70
74
78
80
82
82
MAG
.47
.46
.44
.43
.41
.40
.39
.39
.40
.41
.43
.46
.47
.49
.49
.46
.41
S
22
昂
-26
-33
-38
-43
-47
-53
-58
-64
-70
-76
-81
-86
-90
-94
-98
-102
-109
NE9000 ， NE9001 ， NE9002系列
NE900200典型的小信号散射参数
+90
+120
S21
1.5 GH
Z
S12
18 GH
Z
S12
1.5 GH
Z
S22
18 GHz的
+60
S11
18 GHz的
+30
+150
±180
S22
1.5 GHz的
0
S21
18 GH
Z
-150
S11
1.5 GHz的
-30
-120
-90
-60
NE900200
V
DS
= 8 V，I
D
= 180毫安
频率
GHz的
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
S
11
MAG
0.910
0.879
0.850
0.836
0.830
0.827
0.823
0.824
0.822
0.820
0.824
0.818
0.815
0.815
0.813
0.811
0.815
0.811
昂
-88.000
-106.000
-129.000
-143.000
-153.000
-160.000
-165.000
-170.000
-174.000
-178.000
176.000
172.000
167.000
163.000
160.000
157.000
154.000
153.000
MAG
S
21
AN
123.000
112.000
93.000
79.000
69.000
60.000
52.000
44.000
36.000
29.000
22.000
15.000
10.000
4.000
1.000
-5.000
-7.000
-11.000
MAG
0.057
0.065
0.070
0.075
0.077
0.082
0.081
0.086
0.091
0.100
0.108
0.117
0.129
0.146
0.160
0.187
0.207
0.241
S
12
昂
48.000
41.000
34.000
32.000
30.000
33.000
34.000
38.000
42.000
45.000
45.000
48.000
48.000
49.000
50.000
48.000
48.000
45.000
MAG
0.286
0.274
0.267
0.281
0.303
0.331
0.368
0.406
0.443
0.484
0.524
0.554
0.584
0.601
0.623
0.631
0.635
0.638
S
22
昂
-56.000
-68.000
-82.000
-92.000
-102.000
-108.000
-114.000
-120.000
-125.000
-130.000
-134.000
-137.000
-141.000
-144.000
-146.000
-151.000
-156.000
-162.000
K
0.240
0.323
0.496
0.629
0.751
0.809
0.914
0.892
0.904
0.827
0.739
0.719
0.671
0.588
0.534
0.454
0.437
0.369
MAG
1
19.300
18.044
16.430
15.075
14.108
13.148
12.647
11.933
11.187
10.414
9.674
8.956
8.137
7.300
6.604
5.670
4.949
4.153
4.852
4.143
3.077
2.413
1.983
1.693
1.490
1.342
1.196
1.100
1.002
0.920
0.840
0.784
0.732
0.690
0.647
0.627
(
K ±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
NE9000 ， NE9001 ， NE9002系列
典型的小信号散射参数
+90
+120
+60
S21
2 GH
Z
+30
+150
S22
18 GH
Z
S12
18 GH
Z
±180
S21
18 GH
Z
S12
2 GH
Z
0
S11
18 GH
Z
S11
2 GH
Z
S22
2 GH
Z
-150
-30
-120
-90
-60
NE900275
V
DS
= 8 V，I
D
= 180毫安
频率
GHz的
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
S
11
MAG
0.900
0.900
0.870
0.860
0.850
0.850
0.830
0.770
0.690
0.560
0.440
0.480
0.690
0.820
0.900
0.920
0.940
昂
-123.000
-146.000
-161.000
-172.000
-180.000
172.000
162.000
151.000
135.000
108.000
56.000
-19.000
-69.000
-97.000
-115.000
-126.000
-136.000
S
21
MAG
3.670
2.760
2.140
1.820
1.610
1.510
1.500
1.520
1.600
1.770
1.880
1.770
1.480
1.110
0.860
0.650
0.540
昂
95.000
76.000
54.000
46.000
26.000
16.000
1.000
-12.000
-34.000
-51.000
-80.000
-116.000
-146.000
-175.000
162.000
141.000
127.000
MAG
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.060
0.070
0.080
0.090
0.100
0.090
0.070
0.050
0.040
0.040
0.050
S
12
昂
24.000
15.000
3.000
3.000
1.000
-1.000
-3.000
-5.000
-16.000
-26.000
-51.000
-85.000
-121.000
-165.000
158.000
114.000
89.000
MAG
0.230
0.250
0.280
0.320
0.370
0.410
0.450
0.480
0.510
0.540
0.590
0.610
0.610
0.570
0.560
0.580
0.590
S
22
昂
-97.000
-117.000
-131.000
-143.000
-152.000
-161.000
-170.000
-178.000
173.000
162.000
147.000
128.000
108.000
85.000
65.000
48.000
36.000
K
0.325
0.397
0.698
0.850
0.974
0.972
1.051
1.162
1.227
1.311
1.259
1.408
1.392
1.624
1.416
1.498
1.020
MAG
1
17.865
16.628
15.523
14.819
14.287
14.008
12.595
10.931
10.140
9.594
9.681
9.136
9.522
8.835
9.487
7.938
9.472
(
K ±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
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