NPN硅晶体管NE856M03
特点
新的M03包装：
用最小的晶体管外形封装
薄型/ 0.59毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
低噪声系数：
NF = 1.4分贝1 GHz的
高集电极电流：
I
CMAX
= 100毫安
1.4 ±0.1
0.45
(0.9)
0.45
1
0.2±0.1
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M03
1.2±0.05
0.8±0.1
2
TC
3
0.3±0.1
描述
NEC的NE856M03晶体管是专为低成本放大器
和振荡器应用。低噪声系数，高增益和高
电流能力等同于宽的动态范围和优良的
线性度。 NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M03"包
非常适合当今的便携式无线应用。在NE856
也可在芯片，微x和八个不同的低成本
塑料表面贴装封装形式。
0.59±0.05
+0.1
0.15 -0.05
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
EIAJ
1
注册
符号
f
T
NF
|S
21E
|
2
h
FE2
I
CBO
I
EBO
C
RE3
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
3.电容测量与发射器和壳体连接于所述桥的保护端子。
产品型号
数
包装外形
单位
GHz的
dB
dB
A
A
pF
0.7
7.0
80
民
3.0
NE856M03
2SC5432
M03
典型值
4.5
1.4
10.0
145
1.0
1.0
1.5
2.5
最大
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
正向电流增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
反馈电容在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
美国加州东部实验室
NE856M03
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
20
12
3
100
125
150
-65到+150
产品型号
NE856M03-A
NE856M03-T1-A
QUANTITY
订购信息
注意：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
100
500
V
CE
= 10 V
正向电流增益 -
集电极电流
正向直流电流增益，H
FE
2
4
6
8
10
12
300
200
集电极电流，I
C
（MA ）
80
60
100
70
50
30
20
40
20
10
0
1
2
3
5
7
10
20
30
50
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
NE856M03互调
失真与集电极电流
-80
IM
3
-70
V
CE
= 10 V
V
O
= 100平dBμV / 50
R
G
= R
L
= 50
-60
IM
2
IM
2
， IM
3
（ dB）的
-50
-40
IM
2
F = 90 + 100兆赫
IM
3
f = 2
X
200-190兆赫
-30
20
30
40
50
60
70
集电极电流，I
C
（MA ）
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在哪里可以合理地预期这些产品的故障
造成人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全赔偿
CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
北美的独家代理FOR
NEC
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
互联网： http://WWW.CEL.COM
数据可能会有更改，恕不另行通知
06/10/2002
4590帕特里克·亨利·道
圣克拉拉，加利福尼亚州95054-1817
电话： （ 408 ） 919-2500
传真： （ 408 ） 988-0279
主题：符合欧盟指令
CEL证明，据其所知，下文详述的半导体和激光产品均符合
欧盟（ EU）指令2002/95 / EC限制对使用有害的要求
在电气和电子设备指令（RoHS）物质和欧盟指令的要求
2003/11 / EC号指令的限制五溴和八溴二苯醚。
CEL无铅产品都添加有后缀相同的基本部件编号。后缀表示-A
该器件是无铅的。该-AZ后缀是用来指定含有铅它们是设备
从RoHS指令（ * ）的要求豁免。在所有情况下，设备具有无铅端子。
这些后缀的所有器件符合RoHS指令的要求。
此状态是根据欧盟指令的CEL的理解和材料的知识
进入其产品作为披露该信息之日起。
限用物质
每个符合RoHS
铅（以Pb计）
MERCURY
镉
六价铬
PBB
多溴二苯醚
每个符合RoHS的浓度限制
（值尚未固定的）
< 1000 PPM
< 1000 PPM
< 100 PPM
< 1000 PPM
< 1000 PPM
< 1000 PPM
含有浓度
在CEL设备
-A
未检出
未检出
未检出
未检出
未检出
未检出
-AZ
(*)
如果您有任何其他问题，对我们的设备，并符合环保
标准，请不要犹豫，请联系您当地的销售代表。
在其网站或其他通信concerting物质提供的CEL信息：重要信息和免责声明
其产品的内容代表的知识和信念，它提供的日期。 CEL基于其上的信息，知识和信仰
由第三方提供，不作任何陈述或保证此类信息的准确性。正在努力更好
集成来自第三方的信息。 CEL已经采取并将继续采取合理的措施来提供有代表性的，准确的
对传入的材料和化学品的信息，但可能还没有进行破坏性测试或化学分析。 CEL和CEL
供应商认为某些信息是专有的，因此CAS号码等有限的信息可能不可用的
释放。
在任何情况下，所产生的这种信息CEL的责任，不得超过争议的CEL部分（ S）由CEL出售总价款
客户在年度基础上。
见CEL条款及细则担保和责任进一步澄清。
初步数据表
NPN硅晶体管NE856M03
特点
新的M03包装：
用最小的晶体管外形封装
薄型/ 0.59毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
低噪声系数：
NF = 1.4分贝1 GHz的
高集电极电流：
I
CMAX
= 100毫安
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M03
1.2±0.05
0.8±0.1
2
TC
3
1.4 ±0.1
0.45
(0.9)
0.45
1
0.2±0.1
0.3±0.1
描述
该NE856M03晶体管被设计为低成本放大器
和振荡器应用。低噪声系数，高增益和高
电流能力等同于宽的动态范围和优良的
线性度。 NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M03"包
非常适合当今的便携式无线应用。在NE856
也可在芯片，微x和八个不同的低成本
塑料表面贴装封装形式。
0.59±0.05
+0.1
0.15 -0.05
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
EIAJ
1
注册
符号
f
T
NF
|S
21E
|
2
h
FE2
I
CBO
I
EBO
C
RE3
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
3.电容测量与发射器和壳体连接于所述桥的保护端子。
产品型号
数
包装外形
单位
GHz的
dB
dB
A
A
pF
0.7
7.0
80
民
3.0
NE856M03
2SC5432
M03
典型值
4.5
1.4
10.0
145
1.0
1.0
1.5
2.5
最大
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
正向电流增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
反馈电容在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
美国加州东部实验室
NE856M03
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
20
12
3
100
125
150
-65到+150
注意：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
100
500
V
CE
= 10 V
正向电流增益 -
集电极电流
正向直流电流增益，H
FE
2
4
6
8
10
12
300
200
集电极电流，I
C
（MA ）
80
60
100
70
50
30
20
40
20
10
0
1
2
3
5
7
10
20
30
50
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
NE856M03互调
失真与集电极电流
-80
IM
3
-70
V
CE
= 10 V
V
O
= 100平dBμV / 50
R
G
= R
L
= 50
-60
IM
2
IM
2
， IM
3
（ dB）的
-50
-40
IM
2
F = 90 + 100兆赫
IM
3
f = 2
X
200-190兆赫
-30
20
30
40
50
60
70
集电极电流，I
C
（MA ）
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在哪里可以合理地预期这些产品的故障
造成人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全赔偿
CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
北美的独家代理FOR
NEC
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
互联网： http://WWW.CEL.COM
数据可能会有更改，恕不另行通知
06/10/2002
初步数据表
NPN硅晶体管NE856M03
特点
新的M03包装：
用最小的晶体管外形封装
薄型/ 0.59毫米封装高度
- 更好的RF性能扁平引线型
低噪声系数：
NF = 1.4分贝1 GHz的
高集电极电流：
I
CMAX
= 100毫安
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形M03
1.2±0.05
0.8±0.1
2
TC
3
1.4 ±0.1
0.45
(0.9)
0.45
1
0.2±0.1
0.3±0.1
描述
该NE856M03晶体管被设计为低成本放大器
和振荡器应用。低噪声系数，高增益和高
电流能力等同于宽的动态范围和优良的
线性度。 NEC新的低姿态/扁平引脚风格"M03"包
非常适合当今的便携式无线应用。在NE856
也可在芯片，微x和八个不同的低成本
塑料表面贴装封装形式。
0.59±0.05
+0.1
0.15 -0.05
引脚连接
1.发射器
2.基
3.收集
电气特性
(T
A
= 25°C)
EIAJ
1
注册
符号
f
T
NF
|S
21E
|
2
h
FE2
I
CBO
I
EBO
C
RE3
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量，脉冲宽度
≤
350
s,
占空比
≤
2 %.
3.电容测量与发射器和壳体连接于所述桥的保护端子。
产品型号
数
包装外形
单位
GHz的
dB
dB
A
A
pF
0.7
7.0
80
民
3.0
NE856M03
2SC5432
M03
典型值
4.5
1.4
10.0
145
1.0
1.0
1.5
2.5
最大
参数和条件
增益带宽在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
噪声系数在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
正向电流增益在V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0
反馈电容在V
CB
= 3 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
美国加州东部实验室
NE856M03
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
评级
20
12
3
100
125
150
-65到+150
注意：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
100
500
V
CE
= 10 V
正向电流增益 -
集电极电流
正向直流电流增益，H
FE
2
4
6
8
10
12
300
200
集电极电流，I
C
（MA ）
80
60
100
70
50
30
20
40
20
10
0
1
2
3
5
7
10
20
30
50
集电极到发射极电压，V
CE
(V)
集电极电流，I
C
（MA ）
NE856M03互调
失真与集电极电流
-80
IM
3
-70
V
CE
= 10 V
V
O
= 100平dBμV / 50
R
G
= R
L
= 50
-60
IM
2
IM
2
， IM
3
（ dB）的
-50
-40
IM
2
F = 90 + 100兆赫
IM
3
f = 2
X
200-190兆赫
-30
20
30
40
50
60
70
集电极电流，I
C
（MA ）
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在哪里可以合理地预期这些产品的故障
造成人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全赔偿
CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
北美的独家代理FOR
NEC
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
互联网： http://WWW.CEL.COM
数据可能会有更改，恕不另行通知
06/10/2002
QQ：2881677436 复制
