NPN硅晶体管RF
NE856系列
NEC的NPN硅高
高频三极管
特点
高增益带宽积：
f
T
= 7 GHz的
E
低噪声系数：
在1 GHz 1.1分贝
高集电极电流：
百毫安
高可靠性金属化
低成本
00 （ CHIP ）
V
CC
= 10 V，I
C
7毫安
味精
4.0
20
噪声系数NF （ dB）的
3.5
3.0
2.5
G
A
15
MAG
10
最大相关增益，最大稳定增益，
相关的增益， MAG ，味精，G
A
（ dB）的
ERS
的mb吨
:
描述
TE艺术NU简
NO克对
r
n.
SE
n
等人DESIG
L E A OL 1。· W I T A中文E E瓦特
P
n
f
a
FO
他该D
对于办公室支持
T
DED ES
ROM男人SAL
f
COM调用
re
一个SE
PLE ILS ：
（E T） 63 5
d
85
NE 5639R
NE 8
NEC的NE856系列NPN硅外延晶体管是
专为低成本放大器和振荡器应用。低
噪声系数，高增益和高电流能力等同于
宽动态范围和出色的线性度。在NE856系列
提供以低成本优良的性能和可靠性。这是
通过NEC的钛/铂/金金属系实现
TEM和他们的直接氮化物钝化的基面处理。
在NE856系列是在芯片的形式和一个Micro -X可
包用于高频应用。它也可用于
几个低成本塑料封装形式。
32（ TO-92 ）
34 （ SOT 89 STYLE）
18 （ SOT 343 STYLE）
NE85600
噪声系数和增益
与频率的关系
30 （ SOT 323 STYLE）
33 （ SOT 23 STYLE）
5
B
35 （ MICRO- X）的
19 （ 3 PIN超超
MINI模）
NF
民
2.0
1.5
1.0
0.4 0.5
1.0
2
3
4
5
频率f （ GHz）的
39 （ SOT 143 STYLE）
39R （ SOT 143R STYLE）
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认
这是最新版本。
发表日期： 2005年6月28日
NE856系列
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
NE85600
NE85618
NE85619
NE85630
NE85632
EIAJ
1
注册号码
2SC5011
2SC5006
2SC4226
2SC3355
包装外形
00 （ CHIP ）
18
19
30
32
符号参数和条件单位最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
f
T
增益带宽积为
GHz的
7.0
6.5
6.5
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
GHz的
3.0 4.5
4.5
NF
噪声系数为
V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
dB
1.1
1.4
1.4
1.3
1.4
dB
2.1
2.1
2.2
2.2
V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 2 GHz的
G
A
在相关的增益
V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
2
at
正向电流增益
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 15 V，I
E
= 0毫安
发射Cuto FF电流
在V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
反馈电容
3
at
V
CB
= 3 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
V
CB
= 10 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
总功耗
热电阻（J -A ）
dB
dB
dB
dB
13
7
11
7
9
50
13
7
120 300
80
μA
μA
pF
pF
mW
° C / W
1.0
1.0
1.0
1.0
0.7
0.5
1.0
700
0.5
0.9
150
833
100
1000
150
833
120 160
1.0
1.0
1.5
0.7
40
110 250
1.0
1.0
1.5
0.65 1.0
600
210
1.0
1.0
12.5
6.5
12
12
6
12
6
50
10
10
|S
21E
|
2
9.5
h
FE
50 120 300
120 300
I
CBO
I
EBO
C
re
P
T
R
号（j -a）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
参数和条件
增益带宽积为
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
噪声系数为
V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
在相关的增益
V
CE
= 10 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
2
at
正向电流增益
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
= 15 V，I
E
= 0
mA
发射Cuto FF电流
在V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
反馈电容
3
at
V
CB
= 10 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
总功耗
热阻（J为A）
NE85633
NE85634
2SC3356
2SC3357
33
34
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
7.0
1.4
2.0
6.5
1.4
2.1
9
10
11.5
9.5
7
50
μA
μA
pF
mW
° C / W
0.55
120
300
1.0
1.0
1.0
200
625
0.65
50
120
300
1.0
1.0
1.0
2000
4
62.5
4
0.5
50
9
120
300
1.0
1.0
1.0
580
590
0.5
50
3.4
13.5
8.5
13
7
120
300
1.0
1.0
0.9
200
500
NE85635
NE85639/39R
2SC3603
2SC4093
35
39
最小值典型值最大值最小值典型值最大值
7.0
9.0
1.5
2.1
符号
f
T
NF
单位
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
G
A
|S
21E
|
2
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
re
P
T
R
号（j -a）的
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲宽度
≤
350
μs,
占空比
≤
2％的脉冲。
3. C
re
测量采用三端电容桥装有
后卫电路。发射端应连接到保护终端。
4. 2.5厘米
2
X 0.7毫米陶瓷基板（无限散热器） 。
QQ：2881677436 复制
