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数据表
NEC的NPN硅晶体管NE851M33
特点
低相位失真,低电压工作
理想选择OSC应用
3 -PIN SUPER LEAD - LESS MINIMOLD ( M33 )包装
订购信息
产品型号
NE851M33-A
NE851M33-T3-A
QUANTITY
50个(非卷轴)
10千件/卷
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚2 (碱)所面对的带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价,请联系您最近的销售网络的CE 。
单位样本数量为50个。
绝对最大额定值
(T
A
=+25C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
评级
9.0
5.5
1.5
100
130
150
65
+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
T
j
T
英镑
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
观察时处理,因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
美国加州东部实验室
NE851M33
电气特性
(T
A
=+25C)
参数
DC特性
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
射频特性
增益带宽积( 1 )
增益带宽积( 2 )
插入功率增益( 1 )
插入功率增益( 2 )
噪声系数
反向传输电容
f
T
f
T
|S
21e
|
2
|S
21e
|
2
NF
C
re
注2
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 15 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 15 mA时, F = 2 GHz的
V
CE
= 1 V,I
C
= 10 mA时, F = 2 GHz时,
Z
S
= Z
选择
V
CB
= 0.5 V,I
C
= 0 mA时, F = 1兆赫
3.0
5.0
3.0
4.5
4.5
6.5
4.0
5.5
1.9
0.6
2.5
0.8
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
pF
I
CBO
I
EBO
h
FE
注1
V
CB
= 5 V,I
E
= 0毫安
V
EB
= 1 V,I
C
= 0毫安
V
CE
= 1 V,I
C
= 5毫安
100
120
600
600
145
nA
nA
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注意事项1 。
脉搏测量: PW
350
μs,
占空比
2%
2.
集电极基极电容,当发射器接地
h
FE
分类
记号
h
FE
价值
FB
E7
100 145
NE851M33
典型特征
(T
A
= + 25C ,除非另有规定编)
总功耗
- 环境温度
反向传输电容C
re
(PF )
250
总功耗P
合计
( mW)的
200
150
100
50
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
( 1.08厘米
2
×
1.0毫米( t))的
反向传输电容
与集电极 - 基极电压
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
F = 1 MHz的
130
0
25
50
75
100
125
150
0
2
4
6
8
10
环境温度T
A
(C)
集电极基极电压V
CB
(V)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
100
集电极电流I
C
(MA )
10
1
0.1
0.01
V
CE
= 1 V
集电极电流I
C
(MA )
100
10
1
0.1
0.01
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
V
CE
= 2 V
0.001
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.001
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.0001
0.4
0.0001
0.4
基极至发射极电压V
BE
(V)
基极至发射极电压V
BE
(V)
集电极电流主场迎战
集电极到发射极电压
60
集电极电流I
C
(MA )
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
400
A
360
A
320
A
280
A
240
A
200
A
160
A
120
A
80
A
I
B
= 40
A
6
7
集电极到发射极电压V
CE
(V)
备注
该图表显示的标称特性。
NE851M33
典型特征
(T
A
= + 25C ,除非另有规定编)
直流电流增益主场迎战
集电极电流
1,000
V
CE
= 1 V
1,000
直流电流增益主场迎战
集电极电流
V
CE
= 2 V
直流电流增益
FE
直流电流增益
FE
100
100
10
0.1
1
10
100
10
0.1
1
10
100
集电极电流I
C
(MA )
集电极电流I
C
(MA )
备注
该图表显示的标称特性。
NE851M33
包装尺寸
3 -PIN SUPER LEAD - LESS MINIMOLD ( M33 )
(单位:毫米)
0.64±0.05
0.44±0.05
(底视图)
0.285
0.84±0.05
2
0.57
3
0.125
E7
1.发射器
2.基
3.收集
0.125
0.15
0.15
0.4
0.11
NE封装代码: M33
SOT号: -
引脚连接
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备,设备或系统的使用在这些产品的故障可合理
可以预期会导致人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险和
同意完全赔偿CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
0.15
1
06/07/2004
NEC化合物半导体器件的业务合作伙伴,公司
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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