C波段中功率的GaAs MESFET NE850R599A
特点
高输出功率：
0.5 W
高线性增益：
9.5分贝
高效率（ PAE ） ：
38%
SUPERIOR互调失真
行业标准包装
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形99
5.2±0.3
1.0±0.1
4.0 MIN两条引线
门
φ2.2±0.2
4.3±0.2
4.0±0.1
来源
描述
该NE850R599A是一个中等功率GaAs MESFET DE-
签署到一个1 / 2W的输出级或更高的驱动器
功率器件。设备没有内部匹配和能
可使用的频率从高频到8.5的GH
Z
。当量
在一个芯片封装的性能可以通过使用仅可获得
1细胞的NE8500100芯片。在这一系列中使用的芯片
提供卓越的可靠性和一致的性能，这
NEC的微波半导体是已知的。
漏
0.6±0.1
5.2±0.3
11.0±0.15
15.0±0.3
+.06
0.1 -.02
最大0.2
1.7±0.15
5.0最大
6.0±0.2
1.2
推荐工作极限
符号
V
DS
T
CH
G
COMP
R
G
参数
漏源极电压
通道温度
增益压缩
栅极电阻
单位最小值
V
°C
dB
K
9
TYP MAX
10
130
3.0
1
电气特性
(T
C
产品型号
包装外形
符号
特征
电源输出的固定输入功率
功率附加效率
漏源电流
门源电流
线性增益
饱和漏极电流
捏-O FF电压
跨
热电阻（通道到外壳）
= 25°C)
NE850R599A
99
单位
DBM
%
A
mA
dB
mA
V
mS
° C / W
220
-3.0
150
60
-1.6
9.5
430
-1.0
民
25.5
典型值
26.5
38
140
1.6
P
IN
= 7 dBm的
2
V
DS
= 2.5 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V ;我
DS
= 2毫安
V
DS
= 2.5 V ;我
DS
= I
DSS
最大
测试条件
P
IN
= 18.5 dBm的
1
V
DS
= 10 V ;我
DSQ
= 100毫安
F = 7.2 GHz的;
G
= 1 K
实用
特征
P
OUT
η
添加
I
DS
I
GS
G
L
电动
特征
s
I
DSS
V
P
g
m
R
TH
美国加州东部实验室
NE850R599A
绝对最大额定值
1
(T
C
= 25
°C
除非另有说明）
符号
V
DSX
V
GDX
V
GSX
I
DS
I
GS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源极电压
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
°C
评级
15
-18
-12
I
DSS
3.0
3.0
175
-65到+175
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
输出功率与输入功率
V
D
= 10 V ， F = 7.2 GHz的
I
D
= 100 mA设定
RG = 1kΩ的
输出功率P
OUT
（ dBm的）
30
P
OUT
25
I
D
（MA ）
I
D
20
140
120
100
注意：
1.操作超过这些参数可能导致任一
永久性损坏。
15
10
15
20
输入功率， P
IN
（ dBm的）
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
01/14/2000
数据可能会有更改，恕不另行通知
C波段中功率的GaAs MESFET NE850R599A
特点
高输出功率：
0.5 W
高线性增益：
9.5分贝
高效率（ PAE ） ：
38%
SUPERIOR互调失真
行业标准包装
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形99
5.2±0.3
1.0±0.1
4.0 MIN两条引线
门
φ2.2±0.2
4.3±0.2
4.0±0.1
来源
描述
该NE850R599A是一个中等功率GaAs MESFET DE-
签署到一个1 / 2W的输出级或更高的驱动器
功率器件。设备没有内部匹配和能
可使用的频率从高频到8.5的GH
Z
。当量
在一个芯片封装的性能可以通过使用仅可获得
1细胞的NE8500100芯片。在这一系列中使用的芯片
提供卓越的可靠性和一致的性能，这
NEC的微波半导体是已知的。
漏
0.6±0.1
5.2±0.3
11.0±0.15
15.0±0.3
+.06
0.1 -.02
最大0.2
1.7±0.15
5.0最大
6.0±0.2
1.2
推荐工作极限
符号
V
DS
T
CH
G
COMP
R
G
参数
漏源极电压
通道温度
增益压缩
栅极电阻
单位最小值
V
°C
dB
K
9
TYP MAX
10
130
3.0
1
电气特性
(T
C
产品型号
包装外形
符号
特征
电源输出的固定输入功率
功率附加效率
漏源电流
门源电流
线性增益
饱和漏极电流
捏-O FF电压
跨
热电阻（通道到外壳）
= 25°C)
NE850R599A
99
单位
DBM
%
A
mA
dB
mA
V
mS
° C / W
220
-3.0
150
60
-1.6
9.5
430
-1.0
民
25.5
典型值
26.5
38
140
1.6
P
IN
= 7 dBm的
2
V
DS
= 2.5 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V ;我
DS
= 2毫安
V
DS
= 2.5 V ;我
DS
= I
DSS
最大
测试条件
P
IN
= 18.5 dBm的
1
V
DS
= 10 V ;我
DSQ
= 100毫安
F = 7.2 GHz的;
G
= 1 K
实用
特征
P
OUT
η
添加
I
DS
I
GS
G
L
电动
特征
s
I
DSS
V
P
g
m
R
TH
美国加州东部实验室
NE850R599A
绝对最大额定值
1
(T
C
= 25
°C
除非另有说明）
符号
V
DSX
V
GDX
V
GSX
I
DS
I
GS
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源极电压
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
°C
评级
15
-18
-12
I
DSS
3.0
3.0
175
-65到+175
典型性能曲线
(T
A
= 25C)
输出功率与输入功率
V
D
= 10 V ， F = 7.2 GHz的
I
D
= 100 mA设定
RG = 1kΩ的
输出功率P
OUT
（ dBm的）
30
P
OUT
25
I
D
（MA ）
I
D
20
140
120
100
注意：
1.操作超过这些参数可能导致任一
永久性损坏。
15
10
15
20
输入功率， P
IN
（ dBm的）
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
01/14/2000
数据可能会有更改，恕不另行通知
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