初步数据表
的GaAs MES FET
NE85002系列
2 W C波段功率GaAs FET
N沟道的GaAs MES FET
描述
该NE8500295功率GaAs FET涵盖3.5至8.5 GHz频率范围内有三个不同的A， 2.0 W舱
部分匹配的设备。每个封装的器件具有一个输入集总元件匹配网络。
NE8500200是' 95 '包所用的六单元门凹陷芯片。
该器件集成了钛铝门和二氧化硅玻璃熔封。以减小热阻，该装置
有一个小灵通。 （镀散热器）
NEC的strigent质量保证和测试程序保证最高的可靠性和性能。
特点
A类操作
高功率输出
高可靠性
110
100
100
240
物理尺寸
NE8500200 （ CHIP ） （单位：
m)
640
100
90
1800
100
选择图
封装编码-95（单位：mm）
信号指标
产品型号
的Pout （**）
（ dBm的）
G
L
(**)
（ dB）的
可用
频率
（千兆赫）
2.0至10
2.5 ± 0.3 DIA
来源
0.7 ±0.1
门
4.0分钟。
NE8500200(*)
NE8500200-WB(*)
NE8500200-RG(*)
NE8500295-4
NE8500295-6
NE8500295-8
33.8分
8.0分
5.9 ±0.2
33.8分
33.8分
33.5分
10.5分
9.5分
8.0分
3.55.5
5.5到7.5
7.5到8.5
漏
14.0 ±0.3
18.5 MAX 。
2.1 ±0.15 0.1
4.5最大。
最大0.2 。
7.2 ±0.2
1.0
*
GB， RG表示了一类容器的芯片。
WB ：黑色载体， RG ：戒指，
**
指定在在最后一页的情况。
一号文件P10969EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
NE85002系列
性能规格（T
A
= 25 C)
NE8500200
产品型号
NE8500200-WB
NE8500200-RG
单位
封装代码
芯片
95
95
95
特征符号最小值。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。
输出功率
P
O
33.8
–
–
–
门源
当前
线性增益
*
**
G
L
IGS
–2.4
–
8.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
–
–
–
33.8
–
–
–2.4
–
10.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
–
–
–
–
33.8
–
–
–2.4
9.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
–
–
–
–
33.5
–
–2.4
8.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
–
DBM
DBM
DBM
DBM
mA
VDS = 10V
IDS = 450毫安集
RG = 1kΩ的
f(*)
销（**）
测试条件
N8500295-4
NE8500295-6
NE8500295-8
A
dB
PIN = 18 dBm的（ *** ）
测试频率： NE8500200 @ 8.5 GHz的， NE8500295-4 @ 4.2 GHz的， NE8500295-6 @ 6.5 GHz的， NE8500295-8 @ 8.5 GHz的
测试输入功率为： NE8500200 @ 27.0 dBm时， NE8500295-4 @ 24.5 dBm时， NE8500295-6 @ 25.5 dBm时， NE8500295-8 @ 27.0dBm
***
该条件与上述相同，除了这一点。
典型性能曲线（T
A
= 25 C)
功率降额曲线
12
P
T
- 总功率耗散 - 含
输出功率与输入功率
40
P
OUT
- 输出功率 - dBm的
30
4
6
8
20
8
4
10
0
0
50
100
150
T
C
- 外壳温度 - C
200
0
0
5
10 15 20 25 30 35
P
IN
- 输入功率 - dBm的
40
3
QQ：2880707522 复制
