初步数据表
的GaAs MES FET
NE85002系列
2 W C波段功率GaAs FET
N沟道的GaAs MES FET
描述
该NE8500295功率GaAs FET涵盖3.5至8.5 GHz频率范围内有三个不同的A, 2.0 W舱
部分匹配的设备。每个封装的器件具有一个输入集总元件匹配网络。
NE8500200是' 95 '包所用的六单元门凹陷芯片。
该器件集成了钛铝门和二氧化硅玻璃熔封。以减小热阻,该装置
有一个小灵通。 (镀散热器)
NEC的strigent质量保证和测试程序保证最高的可靠性和性能。
特点
A类操作
高功率输出
高可靠性
110
100
100
240
物理尺寸
NE8500200 ( CHIP ) (单位:
m)
640
100
90
1800
100
选择图
封装编码-95(单位:mm)
信号指标
产品型号
的Pout (**)
( dBm的)
G
L
(**)
( dB)的
可用
频率
(千兆赫)
2.0至10
2.5 ± 0.3 DIA
来源
0.7 ±0.1
门
4.0分钟。
NE8500200(*)
NE8500200-WB(*)
NE8500200-RG(*)
NE8500295-4
NE8500295-6
NE8500295-8
33.8分
8.0分
5.9 ±0.2
33.8分
33.8分
33.5分
10.5分
9.5分
8.0分
3.55.5
5.5到7.5
7.5到8.5
漏
14.0 ±0.3
18.5 MAX 。
2.1 ±0.15 0.1
4.5最大。
最大0.2 。
7.2 ±0.2
1.0
*
GB, RG表示了一类容器的芯片。
WB :黑色载体, RG :戒指,
**
指定在在最后一页的情况。
一号文件P10969EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
NE85002系列
性能规格(T
A
= 25 C)
NE8500200
产品型号
NE8500200-WB
NE8500200-RG
单位
封装代码
芯片
95
95
95
特征符号最小值。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。 MIN 。 TYP 。 MAX 。
输出功率
P
O
33.8
–
–
–
门源
当前
线性增益
*
**
G
L
IGS
–2.4
–
8.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
–
–
–
33.8
–
–
–2.4
–
10.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
–
–
–
–
33.8
–
–
–2.4
9.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
–
–
–
–
33.5
–
–2.4
8.0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.4
–
DBM
DBM
DBM
DBM
mA
VDS = 10V
IDS = 450毫安集
RG = 1kΩ的
f(*)
销(**)
测试条件
N8500295-4
NE8500295-6
NE8500295-8
A
dB
PIN = 18 dBm的( *** )
测试频率: NE8500200 @ 8.5 GHz的, NE8500295-4 @ 4.2 GHz的, NE8500295-6 @ 6.5 GHz的, NE8500295-8 @ 8.5 GHz的
测试输入功率为: NE8500200 @ 27.0 dBm时, NE8500295-4 @ 24.5 dBm时, NE8500295-6 @ 25.5 dBm时, NE8500295-8 @ 27.0dBm
***
该条件与上述相同,除了这一点。
典型性能曲线(T
A
= 25 C)
功率降额曲线
12
P
T
- 总功率耗散 - 含
输出功率与输入功率
40
P
OUT
- 输出功率 - dBm的
30
4
6
8
20
8
4
10
0
0
50
100
150
T
C
- 外壳温度 - C
200
0
0
5
10 15 20 25 30 35
P
IN
- 输入功率 - dBm的
40
3
2瓦C波段
功率GaAs MESFET
特点
A类操作
高效率:
η
添加
≥
39 % TYP
宽带能力的
封装选项:
芯片
气密封装
部分匹配输入PACKAGED
器件
经过验证的可靠性
NE8500200
NE8500295-4
NE8500295-6
NE8500295-8
部分
数
NE85002
系列
选择图
典型性能
频率
G
L
范围
( dBm的)
(千兆赫)
( dB)的
P
OUT
33.8分
33.8分
33.8分
33.5分
2.0至10
3.5至4.5
5.5到6.5
7.5到8.5
8.0分
10.5分
9.5分
8.0分
描述
该NE8500295功率GaAs FET涵盖了3.5到8.5 GHz的
频率范围内有三个不同的A类, 2 W部分
匹配的设备。每个封装的器件具有一个输入集总
元件匹配网络。
该NE8500200是在所使用的六芯凹进栅极芯片
"95"包。该器件集成了一个钛 - 铝栅结构,
SIO
2
玻璃钝化和镀金散热技术。
电气特性
(T
C
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
DSS
V
P
g
m
BV
GDO
I
GS
R
TH
P
TEST2
NE8500200
1
00 ( CHIP )
NE8500295-4
95
NE8500295-6
95
NE8500295-8
95
TYP MAX
1900
-1.0
600
18
2.4
15
-2.4
2.4
15
参数和条件单位最小值
饱和漏极电流
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
捏-O FF电压
V
DS
= 2.5 V,I
D
= 8毫安
跨
V
DS
= 2.5 V,I
D
= I
DSS
漏极 - 栅极击穿电压
I
GD
= 8毫安
门源电流,V
DS
= 10 V,
I
DSQ
= 450毫安,P
OUT
= P
TEST
输出功率在测试点
V
DS
= 10 V,I
DS
= 450毫安集
P
IN
= 27.0 dBm的
P
IN
= 24.5 dBm的
P
IN
= 25.5 dBm的
线性增益
V
DS
= 10 V,I
DS
= 450毫安
功率附加效率
在P
TEST
mA
V
mS
V
mA
18
-2.4
950
-3.0
典型值最大值最小值
1900
-1.0
600
18
2.4
10
15
-2.4
950
-3.0
典型值最大值最小值
1900
-1.0
600
18
2.4
15
-2.4
950
-3.0
典型值最大值最小值
1900
-1.0
600
950
-3.0
热电阻(通道到案例)
° C / W
DBM
DBM
DBM
33.8
33.8
33.8
33.5
G
L
η
ADD3
dB
%
8.0
9.0
42
10.5
47
9.5
45
8.0
39
注意事项:
1.六芯芯片:所有的细胞中。芯片的RF性能是
由每片晶圆封装10芯片决定的。晶圆甩
对标准器件范围是每10个样品2的废品。
2.这是一个生产测试。测试频率为: -4 @ 4.2 GHz的,
-6 @ 6.5 GHz的, -8和NE8500200 @ 8.5 GHz的。
P
OUT
- P
IN
3.
η
ADD = V
DS
- I
D
x 100%
美国加州东部实验室