初步数据表
的GaAs MES FET
NE85001系列
1 W C波段功率GaAs FET
N沟道的GaAs MES FET
描述
该NE8500199功率GaAs FET的占地面积2 GHz至10 GHz的频率范围内的商业放大器,振荡器
应用程序等等。
NE8500100是' 99 '包中使用的两种细胞凹进栅极芯片。
该器件集成了钛铝门和二氧化硅玻璃熔封。以减小热阻,该装置
有一个小灵通。 (镀散热器)
NEC的strigent质量保证和测试程序保证最高的可靠性和性能。
特点
A类操作
高功率输出
高可靠性
物理尺寸
NE8500100 ( CHIP ) (单位:
m)
65
170
146
选择图
100
信号指标
产品型号
形式
的Pout (**)
( dBm的)
G
L
(**)
( dB)的
可用
频率
(千兆赫)
NE8500100(*)
NE8500100-WB
NE8500100-RG
NE8500199
芯片
28.5分
9.0 (典型值)
2.0至10
100
100
780
640
封装编码- 99 (单位:毫米)
包
28.5分
9.0 (典型值)
2.0至10
4.0 MIN两条引线
来源
1.0 ±0.1
门
φ
2.2 ±0.3
2个地方
*
WB , RG表示了一类容器的芯片。
WB :黑色载体, RG :戒指,:凝胶包,
**
指定在在最后一页的情况。
4.3 ±0.2
4.0
漏
0.6 ±0.1
5.2 ±0.3
11.0 ±0.3
15.0 ±0.3
0.1
最大0.2 。
1.7 ±0.15
6.0 ±0.2
5.0最大。
1.2
一号文件P10968EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1996年P月
日本印刷
1996
NE85001系列
切片处理
芯片连接
管芯附着可以完成与一个的Au-Sn (300
±10
℃)进行了形成气体环境。环氧模
连接不推荐。
合
栅极和漏极键合线应为最小长度,半硬金丝(3 - 8%的延伸率)为30微米或
少的直径。
粘接应与楔形尖端具有约15%的锥度来进行。
管芯连接和接合时间应保持在最低限度。作为一般规则,接合操作应
保持在一个280℃ _ 5分钟曲线。如果较长时间是必需的,所述温度应降低。
注意事项
用户必须操作在一个干净,干燥的环境中。
芯片通道glassivated仅机械保护,并且不排除一个干净的必要性
环境。
接合设备应定期检查对浪涌电压源和应适当
在任何时候都接地。事实上,所有的测试和装卸设备必须接地,以减少静电的可能性
放电。
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