数据表
的GaAs MES FET
NE76184A
通用FET N沟道的GaAs MES FET
描述
NE76184A是一个N沟道的GaAs MES FET容纳在胶结
RAMIC包。该装置通过离子注入用于制造
改进的RF和DC性能的可靠性和一致性。其
优异的低噪声和高增益相关联,使其适合
星展银行, TVRO , GPS和其它商用系统。
包装尺寸
(单位:毫米)
1.78 ±0.2
1
L
L
1.78 ±0.2
0.5 TYP 。
4
特点
低噪声系数和放大器;高增益相关
NF = 0.8 dB典型值。 ,G
a
= 12 dB典型值。在f = 4 GHz的
订购信息
产品型号
NE76184A-SL
NE76184A-T1
NE76184A-T1A
供热
形式
STICK
磁带&卷轴
导线长度
L = 1.7毫米MIN 。
L = 1.0
±
0.2 mm
2
L
3
J
L
绝对最大额定值(T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
栅漏电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GSO
V
GDO
I
D
P
合计
T
ch
T
英镑
5.0
V
–5.0
V
–6.0
V
100
mA
300
mW
150
C
-65至+150°C
1.源
2.漏
3.源
4.门
电气特性(T
A
= 25 C)
参数
门源漏电流
饱和漏极电流
门源截止电压
跨
噪声系数
相关的增益
功率增益
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS (关闭)
g
m
NF
G
a
G
s
分钟。
–
30
–0.5
20
–
–
–
典型值。
–
–
–
45
0.8
12
6
马克斯。
10
100
–3.0
–
1.4
–
–
单位
测试条件
V
GS
= –5 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
V
DS
= 3 V,I
D
= 100
A
V
DS
= 3 V,I
D
= 10毫安
V
DD
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 12 GHz的
F = 4 GHz的
A
mA
V
mS
dB
dB
dB
I
DSS
等级规定如下。 (K : 30100毫安, N: 30 65毫安, M: 55 100 mA时)
一号文件P10852EJ2V0DS00 (第2版)
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数据发布时间1995年P月
日本印刷
0.1
1.7 MAX 。
0.5 TYP 。
1991
NE76184A
S-参数
V
DS
= 3 V,I
D
= 10毫安
START 500MHz的STOP 12 GHz的步骤500兆赫
S
11
1.0
0.5
2.0
135
45
S
12
90
3
1
±180
0
0.1
0.2
0.3
–0.5
1
–1.0
–2.0
–135
0.4
0.5
–90
–45
0
2
3
0
2
0.5
1.0
∞
S
21
90
0.5
135
1
45
S
22
1.0
2.0
±180
0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
0
2
0
0
0.5 3
1.0
∞
3
2
1
–135
–90
–45
–0.5
–1.0
–2.0
标志
1.4 GHz的
2.8 GHz的
3. 12 GHz的
4