通用
砷化镓MESFET
特点
最佳的噪声系数， NF
选择
（ dB）的
NE76100
低噪声系数：
NF = 0.8 dB（典型） ，在f = 4 GHz的
高相关的增益：
G
A
值12.0 dB（典型） ，在f = 4 GHz的
L
G
= 1.0
m,
W
G
= 400
m
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
NF
0.5
0
1
10
20
3
0
24
21
18
15
12
9
6
Ga
描述
NE76100是一种高性能砷化镓金属半
导体场效应晶体管的芯片。它的低噪声系数，使
该装置适合用于在所述第二或第三阶段
在1-12千兆赫频率下工作的低噪声放大器
范围内。该装置是采用离子注入用于制造
改进的RF和DC性能，可靠性和一致性。
该NE76100适合于各种各样的商业和
工业应用。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
选择
1
G
A
1
P
1dB
参数和条件
噪声系数在V
DS
= 3 V，I
D
= 10 mA时， F = 4 GHz的
在V相关的增益
DS
= 3 V，I
D
= 10 mA时， F = 4 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 4 GHz的
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 3 V，I
DS
= 30毫安
增益P
1dB
， F = 4 GHz的
V
DS
= 3 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 3 V，I
DS
= 30毫安
饱和漏极电流在V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
夹断电压在V
DS
= 3 V，I
D
= 100
mA
跨在V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
门源泄漏电流在V
GS
= -5 V
热阻
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
mS
A
° C / W
30
-3.0
20
民
NE76100
00 （ CHIP ）
典型值
0.8
12.0
12.5
15.0
11.5
13.5
60
-1.1
45
1.0
10
190
100
-0.5
最大
1.4
G
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
TH2
注意事项：
1.射频性能是通过包装来确定，测试10个样本每片晶圆。晶圆拒收标准为标准的设备为2废品
10个样品。
2.芯片装在一个无限的散热器。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
NE76100
典型的散射参数
2
(T
A
= 25°C)
j50
j25
S11
20 GHz的
j10
S11
0.1 GHz的
S12
0.1 GHz的
S21
0.1 GHz的
1
S21
20 GHz的
+90
j100
+120
+60
+150
+30
0
10
25
50
100
S22
0.1 GHz的
+180
–
S12
20 GHz的
0
-j10
S22
20 GHz的
-150
2
3
4
-30
-j25
-j50
-j100
-120
5
-90
-60
V
DS
= 3 V，L
DS
= 10毫安
频率
（千兆赫）
0.1
0.2
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
MAG
0.99
0.999
0.996
0.986
0.971
0.951
0.905
0.859
0.818
0.784
0.759
0.739
0.726
0.718
0.713
0.711
0.712
0.715
0.719
0.725
0.732
0.739
0.747
0.755
S
11
昂
-2.3
-4.5
-11.3
-22.5
-33.3
-43.9
-63.6
-81.4
-97.3
-111.4
-124.2
-135.6
-146.0
-155.4
-164.0
-172.0
-179.3
173.9
167.5
161.6
156.1
150.9
146.0
141.4
MAG
3.782
3.779
3.763
3.707
3.619
3.505
3.233
2.941
2.662
2.411
2.190
1.999
1.833
1.688
1.562
1.449
1.349
1.259
1.177
1.102
1.033
0.968
0.908
0.851
S
21
昂
178.2
176.3
170.9
161.9
153.1
144.7
128.9
114.6
101.9
90.3
79.8
70.1
61.1
52.7
44.7
37.2
29.9
23.0
16.4
10.0
3.8
-2.1
-7.8
-13.4
MAG
0.004
0.007
0.018
0.036
0.053
0.068
0.093
0.112
0.126
0.135
0.141
0.145
0.148
0.149
0.149
0.149
0.148
0.147
0.146
0.144
0.142
0.141
0.139
0.138
S
12
昂
86.7
86.4
83.1
76.9
70.8
65.0
54.5
45.5
37.9
31.5
26.1
21.6
17.7
14.3
11.4
8.8
6.7
4.8
3.2
1.8
0.7
-0.2
-0.9
-1.5
MAG
0.769
0.769
0.767
0.759
0.747
0.731
0.694
0.657
0.624
0.598
0.577
0.562
0.552
0.547
0.545
0.545
0.548
0.554
0.561
0.569
0.579
0.589
0.601
0.613
S
22
昂
-1.2
-2.3
-5.7
-11.4
16.8
-22.0
-31.5
-39.7
-46.8
-53.1
-58.9
-64.2
-69.3
-74.2
-79.0
-83.7
-88.3
-92.9
-97.5
-102.1
-106.7
-111.2
-115.7
-120.1
0.052
0.037
0.045
0.076
0.110
0.145
0.214
0.281
0.347
0.410
0.470
0.526
0.578
0.626
0.669
0.708
0.741
0.770
0.793
0.811
0.824
0.831
0.833
0.830
K
S
21
（ dB）的
11.6
11.5
11.5
11.2
11.4
10.9
10.2
9.4
8.5
7.6
6.8
6.0
5.3
4.5
3.9
3.2
2.6
2.0
1.4
0.8
0.3
-0.3
-0.8
-1.4
MAG
1
（ dB）的
30.1
27.1
23.1
18.4
20.1
17.1
15.4
14.2
13.3
12.5
11.9
11.4
10.9
10.5
10.2
9.9
9.6
9.3
9.1
8.8
8.6
8.4
8.1
7.9
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
2. S参数包括键合线如下：
门：
共1线（S ） ， 1％的焊盘， 0.0134" （ 340
m)
长。
漏：
共2线（S ） ， 1元焊盘， 0.0188" （ 477
m)
长。
来源：总计4线（S ） ， 2每面， 0.0114" （ 286
m)
长。
线材：
0.0007" （ 17.8
m)
直径。黄金。
NE76100
典型的散射参数
2
(T
A
= 25°C)
j50
j25
S11
20 GHz的
j100
+90
+120
+60
+150
j10
S11
0.1 GHz的
+30
0
10
25
50
100
S22
0.1 GHz的
+180
–
S12
0.1 GHz的
S21
0.1 GHz的
1
S21
20 GHz的
S12
20 GHz的
0
-j10
S22
20 GHz的
2
-150
3
4
-30
-j25
-j50
-j100
-120
5
-90
-60
V
DS
= 3 V，L
DS
= 20毫安
频率
（千兆赫）
0.1
0.2
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
MAG
0.999
0.999
0.995
0.983
0.965
0.943
0.893
0.845
0.805
0.774
0.752
0.736
0.726
0.720
0.717
0.717
0.719
0.722
0.727
0.733
0.739
0.746
0.754
0.761
S
11
昂
-2.5
-5.1
-12.7
-25.2
-37.3
-48.8
-70.1
-88.8
-105.2
-119.5
-132.1
-143.3
-153.3
-162.3
-170.6
-178.1
174.9
168.5
162.5
156.9
151.6
146.7
142.1
137.7
S
21
MAG
4.692
4.668
4.662
4.572
4.435
4.261
3.860
3.451
3.078
2.754
2.477
2.242
2.042
1.870
1.722
1.592
1.477
1.374
1.282
1.197
1.120
1.049
0.983
0.921
昂
178.0
176.1
170.3
160.7
151.5
142.6
126.5
112.3
99.7
88.6
78.5
69.2
60.6
52.5
44.9
37.7
30.7
24.1
17.7
11.5
5.6
-0.2
-5.7
-11.1
S
12
MAG
0.003
0.007
0.017
0.033
0.048
0.061
0.083
0.098
0.109
0.117
0.122
0.125
0.127
0.129
0.130
0.131
0.131
0.131
0.131
0.131
0.131
0.131
0.132
0.132
昂
86.5
86.2
82.7
76.2
69.8
63.8
53.3
44.7
37.8
32.2
27.7
23.9
20.8
18.2
16.1
14.2
12.7
11.4
10.3
9.4
8.6
7.9
7.4
6.9
MAG
0.713
0.712
0.710
0.701
0.686
0.669
0.629
0.592
0.560
0.536
0.519
0.507
0.500
0.497
0.497
0.500
0.505
0.511
0.519
0.529
0.539
0.551
0.563
0.575
S
22
昂
-1.2
-2.5
-6.2
-12.2
-17.9
-23.3
-33.0
-41.1
-48.0
-54.1
-59.6
-64.8
-69.8
-74.7
-79.4
-84.2
-88.8
-93.5
-98.1
-102.7
-107.2
-111.7
-116.2
-120.6
K
0.053
0.038
0.047
0.081
0.117
0.154
0.227
0.299
0.368
0.434
0.496
0.554
0.606
0.654
0.696
0.732
0.762
0.787
0.805
0.816
0.823
0.823
0.818
0.808
S
21
（ dB）的
13.4
13.4
13.4
13.2
12.9
12.6
11.7
10.8
9.8
8.8
7.9
7.0
6.2
5.4
4.7
4.0
3.4
2.8
2.2
1.6
1.0
0.4
-0.1
-0.7
MAG
1
（ dB）的
31.4
28.4
24.4
21.4
19.7
18.4
16.7
15.4
14.5
13.7
13.1
12.5
12.0
11.6
11.2
10.9
10.5
10.2
9.9
9.6
9.3
9.0
8.7
8.4
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
2. S参数包括键合线如下：
门：
共1线（S ） ， 1％的焊盘， 0.0134" （ 340
m)
长。
漏：
共2线（S ） ， 1元焊盘， 0.0188" （ 477
m)
长。
来源：总计4线（S ） ， 2每面， 0.0114" （ 286
m)
长。
线材：
0.0007" （ 17.8
m)
直径。黄金。
NE76100
典型的散射参数
2
(T
A
= 25°C)
j50
j25
S11
20 GHz的
j10
S11
0.1 GHz的
j100
+90
+120
+60
+150
+30
0
10
25
50
100
S22
0.1 GHz的
+180
–
S12
0.1 GHz的
S21
0.1 GHz的
1
S21
20 GHz的
S12
20 GHz的
0
-j10
S22
20 GHz的
2
-150
3
4
-30
-j25
-j50
-j100
-120
5
-90
-60
V
DS
= 3 V，L
DS
= 30毫安
频率
（千兆赫）
0.1
0.2
0.5
1.0
1.5
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
MAG
0.999
0.999
0.995
0.982
0.963
0.939
0.887
0.840
0.802
0.773
0.752
0.738
0.730
0.725
0.723
0.723
0.726
0.730
0.735
0.740
0.747
0.754
0.761
0.768
S
11
昂
-2.7
-5.4
-13.4
-26.6
-39.3
-51.4
-73.4
-92.5
-109.0
-123.3
-135.8
-146.8
-156.6
-165.5
-173.5
179.1
172.4
166.1
160.3
154.8
149.7
144.9
140.4
136.1
MAG
5.142
5.137
5.104
4.995
4.827
4.619
4.146
3.676
3.256
2.896
2.594
2.340
2.125
1.941
1.783
1.646
1.524
1.417
1.320
1.232
1.151
1.077
1.009
0.945
S
21
昂
178.0
176.0
169.9
160.1
150.6
141.5
125.2
111.0
98.6
87.6
77.6
68.6
60.1
52.2
44.7
37.6
30.8
24.3
18.0
11.9
6.0
0.4
-5.1
-10.4
MAG
0.003
0.006
0.016
0.031
0.045
0.058
0.078
0.092
0.102
0.108
0.113
0.116
0.118
0.120
0.121
0.122
0.123
0.124
0.124
0.125
0.126
0.127
0.128
0.129
S
12
昂
86.5
86.1
82.5
75.7
69.2
63.2
52.7
44.4
37.8
32.6
28.5
25.1
22.4
20.2
18.4
16.8
15.6
14.5
13.6
12.9
12.2
11.7
11.2
10.8
MAG
0.694
0.693
0.690
0.680
0.665
0.647
0.606
0.569
0.538
0.516
0.500
0.490
0.485
0.483
0.484
0.487
0.493
0.500
0.508
0.518
0.529
0.541
0.553
0.566
S
22
昂
-1.3
-2.5
-6.3
-12.5
-18.3
-23.7
-33.3
-41.2
-48.0
-53.9
-59.4
-64.5
-69.5
-74.3
-79.1
-83.8
-88.5
-93.2
-97.8
-102.5
-107.0
-111.6
-116.1
-120.5
0.054
0.039
0.049
0.083
0.120
0.158
0.233
0.307
0.378
0.445
0.508
0.565
0.618
0.664
0.705
0.739
0.766
0.787
0.802
0.810
0.812
0.808
0.800
0.787
K
S
21
（ dB）的
14.2
14.2
14.2
14.0
13.7
13.3
12.4
11.3
10.3
9.2
8.3
7.4
6.5
5.8
5.0
4.3
3.7
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
0.1
-0.5
MAG
1
（ dB）的
32.0
29.0
25.0
22.0
20.3
19.0
17.3
16.0
15.1
14.3
13.6
13.1
12.6
12.1
11.7
11.3
10.9
10.6
10.3
9.9
9.6
9.3
9.0
8.7
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
2. S参数包括键合线如下：
门：
共1线（S ） ， 1％的焊盘， 0.0134" （ 340
m)
长。
漏：
共2线（S ） ， 1元焊盘， 0.0188" （ 477
m)
长。
来源：总计4线（S ） ， 2每面， 0.0114" （ 286
m)
长。
线材：
0.0007" （ 17.8
m)
直径。黄金。
数据表
的GaAs MES FET
NE76184A
通用FET N沟道的GaAs MES FET
描述
NE76184A是一个N沟道的GaAs MES FET容纳在胶结
RAMIC包。该装置通过离子注入用于制造
改进的RF和DC性能的可靠性和一致性。其
优异的低噪声和高增益相关联，使其适合
星展银行， TVRO ， GPS和其它商用系统。
包装尺寸
（单位：毫米）
1.78 ±0.2
1
L
L
1.78 ±0.2
0.5 TYP 。
4
特点
低噪声系数和放大器;高增益相关
NF = 0.8 dB典型值。 ，G
a
= 12 dB典型值。在f = 4 GHz的
订购信息
产品型号
NE76184A-SL
NE76184A-T1
NE76184A-T1A
供热
形式
STICK
磁带&卷轴
导线长度
L = 1.7毫米MIN 。
L = 1.0
±
0.2 mm
2
L
3
J
L
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
栅漏电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GSO
V
GDO
I
D
P
合计
T
ch
T
英镑
5.0
V
–5.0
V
–6.0
V
100
mA
300
mW
150
C
-65至+150°C
1.源
2.漏
3.源
4.门
电气特性（T
A
= 25 C)
参数
门源漏电流
饱和漏极电流
门源截止电压
跨
噪声系数
相关的增益
功率增益
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS （关闭）
g
m
NF
G
a
G
s
分钟。
–
30
–0.5
20
–
–
–
典型值。
–
–
–
45
0.8
12
6
马克斯。
10
100
–3.0
–
1.4
–
–
单位
测试条件
V
GS
= –5 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
V
DS
= 3 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
V
DD
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 12 GHz的
F = 4 GHz的
A
mA
V
mS
dB
dB
dB
I
DSS
等级规定如下。 （K ： 30100毫安， N： 30 65毫安， M： 55 100 mA时）
一号文件P10852EJ2V0DS00 （第2版）
（上一页第TC- 2303 ）
数据发布时间1995年P月
日本印刷
0.1
1.7 MAX 。
0.5 TYP 。
1991
NE76184A
S-参数
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
START 500MHz的STOP 12 GHz的步骤500兆赫
S
11
1.0
0.5
2.0
135
45
S
12
90
3
1
±180
0
0.1
0.2
0.3
–0.5
1
–1.0
–2.0
–135
0.4
0.5
–90
–45
0
2
3
0
2
0.5
1.0
∞
S
21
90
0.5
135
1
45
S
22
1.0
2.0
±180
0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
0
2
0
0
0.5 3
1.0
∞
3
2
1
–135
–90
–45
–0.5
–1.0
–2.0
标志
1.4 GHz的
2.8 GHz的
3. 12 GHz的
4
数据表
的GaAs MES FET
NE76184A
通用FET N沟道的GaAs MES FET
描述
NE76184A是一个N沟道的GaAs MES FET容纳在胶结
RAMIC包。该装置通过离子注入用于制造
改进的RF和DC性能的可靠性和一致性。其
优异的低噪声和高增益相关联，使其适合
星展银行， TVRO ， GPS和其它商用系统。
包装尺寸
（单位：毫米）
1.78 ±0.2
1
L
L
1.78 ±0.2
0.5 TYP 。
4
特点
低噪声系数和放大器;高增益相关
NF = 0.8 dB典型值。 ，G
a
= 12 dB典型值。在f = 4 GHz的
订购信息
产品型号
NE76184A-SL
NE76184A-T1
NE76184A-T1A
供热
形式
STICK
磁带&卷轴
导线长度
L = 1.7毫米MIN 。
L = 1.0
±
0.2 mm
2
L
3
J
L
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
栅漏电压
漏电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GSO
V
GDO
I
D
P
合计
T
ch
T
英镑
5.0
V
–5.0
V
–6.0
V
100
mA
300
mW
150
C
-65至+150°C
1.源
2.漏
3.源
4.门
电气特性（T
A
= 25 C)
参数
门源漏电流
饱和漏极电流
门源截止电压
跨
噪声系数
相关的增益
功率增益
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS （关闭）
g
m
NF
G
a
G
s
分钟。
–
30
–0.5
20
–
–
–
典型值。
–
–
–
45
0.8
12
6
马克斯。
10
100
–3.0
–
1.4
–
–
单位
测试条件
V
GS
= –5 V
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0
V
DS
= 3 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
V
DD
= 3 V
I
D
= 10毫安
F = 12 GHz的
F = 4 GHz的
A
mA
V
mS
dB
dB
dB
I
DSS
等级规定如下。 （K ： 30100毫安， N： 30 65毫安， M： 55 100 mA时）
一号文件P10852EJ2V0DS00 （第2版）
（上一页第TC- 2303 ）
数据发布时间1995年P月
日本印刷
0.1
1.7 MAX 。
0.5 TYP 。
1991
NE76184A
S-参数
V
DS
= 3 V，I
D
= 10毫安
START 500MHz的STOP 12 GHz的步骤500兆赫
S
11
1.0
0.5
2.0
135
45
S
12
90
3
1
±180
0
0.1
0.2
0.3
–0.5
1
–1.0
–2.0
–135
0.4
0.5
–90
–45
0
2
3
0
2
0.5
1.0
∞
S
21
90
0.5
135
1
45
S
22
1.0
2.0
±180
0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
0
2
0
0
0.5 3
1.0
∞
3
2
1
–135
–90
–45
–0.5
–1.0
–2.0
标志
1.4 GHz的
2.8 GHz的
3. 12 GHz的
4
QQ：2881677436 复制
