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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第451页 > NE734
NPN硅通用
目的晶体管
特点
低噪声系数：
< 3分贝在500MHz
高增益：
在500MHz 15分贝
高增益带宽积：
2 GHz的
（ 3千兆赫的NE73435 ）
小集电极电容：
1 pF的
高可靠性金属化
30 （ SOT 323 STYLE）
NE734
系列
35 （ MICRO- X）的
描述
在NE734系列NPN硅通用UHF转录
电阻取值为设计人员提供了多种选择的可靠
晶体管用于高速逻辑电路和宽频带低噪声
放大器应用。该系列采用了NEC高度可靠
铂硅化物，钛，铂和金的金属化
系统，以确保一致的性能和可靠性。该
NE73433是在塑料微型封装模具设计
对于大容量高速自动化组装业务
混合集成电路。对于需要混合MIC应用更加perfor-
曼斯，该NE73435建议。此设备是封装
年龄在经济的金属陶瓷，密封微-X封装
年龄。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
f
T
参数和条件
增益带宽积为
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
最小噪声
V
CE
= 10 V，I
C
= 3 mA时， F = 0.5 GHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安， F = 0.9 GHz的
最大可用
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安，
收益
3
at
dB
dB
dB
dB
17
18
13
16
9
100
200
0.1
0.1
1.5
0.75
150
833
.55
1.5
250
550
F = 0.5 GHz的
F = 1 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安，
F = 0.5 GHz的
F = 1 GHz的
正向电流增益比在
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
集电极截止电流在V
CB
= 15 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 2 V，I
C
= 0
集电极基极电容
4
at
V
CB
= 10 V，I
C
= 0 mA时， F = 1兆赫
总功耗
热阻（结到管壳）
A
A
pF
mW
° C / W
科幻gure
2
at
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
民
NE73430
2SC4185
30
典型值
最大
民
1.5
2.3
2.1
4.0
3.5
NE73435
2SC2148
35
典型值
3.0
最大
NF
民
MAG
|S
21E
|
2
8
8
25
h
FE
40
100
180
0.1
I
CBO
I
EBO
C
CB
P
T
R
TH
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.输入和输出被调谐，以获得最佳的噪声系数。
3.最大可用增益（ MAG ）的计算方法
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
4. C
CB
测量采用三端电容桥纳入保护电路。发射端应连接到
后卫终端。
美国加州东部实验室
NE734系列
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
°C
°C
评级
30
14
3
50
200
2
-65到+200
3
NE73435
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
频率。
（兆赫）
500
1000
1500
2000
NF
选择
（ dB）的
2.0
3.1
4.2
5.1
G
A
（ dB）的
16.1
11.2
9.2
7.1
Γ
选择
MAG
0.30
0.43
0.54
0.56
昂
80
126
168
178
Rn/50
0.63
0.33
0.19
0.20
V
CE
= 10 V，I
C
= 3毫安
注意事项：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
2.最大结温为NE73430为150℃ 。
3.最大储存温度为NE73430和
NE73435 D级为150℃ 。
V
CE
= 10 V，I
C
= 15毫安
500
1000
1500
2000
3.3
4.7
6.5
7.4
17.5
13.5
10.8
9.2
0.34
0.47
0.67
0.64
120
168
-174
-163
0.36
0.27
0.13
0.46
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
饱和电压与
集电极电流
2
500
直流电流增益
与集电极电流
集电极到发射极和
基地发射极饱和电压
V
CE （SAT）
, V
BE （SAT）
(V)
V
BE
（SAT）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
I
C
= 10XI
B
正向直流电流增益，H
FE
300
200
V
CE
= 10 V
100
70
V
CE
= 1 V
50
30
20
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
V
CE
（SAT）
10
0.5 0.7 1
2
3
5
7
10
20
30
50
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
10
7
5
3
2
V
CE
= 10 V
NE73435
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.5 0.7 1
2
3
5 7
10
20
30
50
集电极电流，I
C
（MA ）
NE734系列
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
NE73435
增益与频率
32
V
CE
= 10 V
I
C
= 30毫安
NE73435
噪声系数与
集电极电流
6
V
CE
= 10 V
F = 500 MHz的
5
MAG
噪声系数NF （ dB）的
24
增益（分贝）
|S
21E
|
2
16
4
3
8
2
NE73435调谐
0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
1
0.5 0.7 1
2
3
5
7
10
20
30
50
频率f （ GHz）的
集电极电流，I
C
（MA ）
订购信息
产品型号
NE73430-T1
NE73435
注意：
1.压纹带12mm宽。
QUANTITY
3000
1
包装
磁带&卷轴
防静电袋
NE734系列
典型的共发射极散射参数
90
0.8
0.6
0.4
3
4
0.2
5
10
20
50
10 20 -50
-20
S
22
-0.2
S
11
-3
-0.4
-2
-0.6
-0.8
-1
-1.5
-10
-5
-4
1
1.5
2
135
S
21
45
S
12
180
5.00
10.00
15.00
0.05
0.10 0.15
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1
1.5
2
3
4 5
在欧姆坐标
在GHz的频率
(V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA）的
225
20.00
270
315
NE73435
V
CE
= 10 V，I
C
= 3毫安
频率
（兆赫）
100
200
500
1000
1500
2000
2500
3000
4000
MAG
0.861
0.810
0.676
0.616
0.607
0.610
0.613
0.618
0.630
S
11
昂
-28.4
-55.0
-115.5
-156.0
-175.1
171.3
160.0
149.5
128.9
MAG
6.880
6.206
4.323
2.494
1.709
1.317
1.071
0.896
0.647
S
21
昂
157.0
139.8
104.1
74.4
55.6
39.0
25.3
13.0
-8.4
MAG
0.026
0.047
0.070
0.085
0.095
0.107
0.118
0.132
0.170
S
12
昂
70.5
56.9
37.3
30.5
32.2
32.2
33.9
33.5
33.7
S
22
MAG
昂
0.19
0.28
0.50
0.84
1.05
1.16
1.20
1.19
1.20
K
MAG
1
（ dB）的
24.2
21.2
17.9
14.7
11.2
8.5
6.9
5.7
3.1
0.960 -11.1
0.865 -19.2
0.689 -29.0
0.612 -38.3
0.612 -49.8
0.616 -62.2
0.632 -74.0
0.649 -87.3
0.657 -112.9
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
100
200
500
1000
1500
2000
2500
3000
4000
0.798
0.733
0.628
0.603
0.605
0.613
0.621
0.628
0.644
-39.0
-74.2
-134.4
-166.4
178.1
166.2
155.9
146.0
126.0
10.428
8.974
5.214
2.797
1.893
1.442
1.161
0.967
0.690
151.6
131.4
96.8
70.8
53.1
37.6
24.2
12.0
-9.3
0.025
0.040
0.056
0.073
0.088
0.102
0.117
0.133
0.176
66.2
52.9
37.4
37.1
39.9
39.9
41.0
40.6
39.2
0.923 -14.4
0.788 -22.4
0.613 -28.4
0.563 -36.6
0.572 -47.9
0.582 -60.5
0.604 -72.5
0.628 -85.9
0.639 -111.8
0.22
0.31
0.62
0.94
1.09
1.16
1.15
1.10
1.09
26.2
23.5
19.7
15.8
11.5
9.1
7.6
6.7
4.1
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
100
200
500
1000
1500
2000
2500
3000
4000
0.687
0.635
0.603
0.607
0.621
0.633
0.646
0.652
0.672
-62.0
-106.6
-153.4
-175.8
171.8
161.4
151.8
142.4
122.6
16.892
12.598
5.959
3.063
2.039
1.532
1.220
1.009
0.712
142.1
118.5
89.6
67.1
50.5
35.2
22.4
10.4
-10.1
0.020
0.031
0.042
0.061
0.080
0.096
0.112
0.132
0.182
59.4
48.8
42.9
47.2
48.7
48.3
48.3
47.9
44.2
0.846 -19.1
0.677 -24.6
0.541 -25.9
0.521 -33.7
0.541 -45.3
0.559 -58.0
0.586 -70.7
0.612 -84.2
0.627 -111.0
0.26
0.40
0.81
1.07
1.12
1.14
1.10
1.02
0.96
29.3
26.1
21.5
15.4
12.0
9.8
8.4
8.0
5.9
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
100
200
500
1000
1500
2000
2500
3000
4000
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
0.584
0.594
0.613
0.632
0.650
0.666
0.678
0.686
0.699
-94.8
-134.2
-165.6
178.2
167.5
157.8
148.5
139.0
119.3
22.708
14.233
6.118
3.061
2.014
1.506
1.190
0.976
0.682
130.8
108.5
84.3
63.8
47.5
32.9
20.3
8.7
-11.2
0.015
0.023
0.034
0.054
0.072
0.089
0.108
0.132
0.190
57.7
48.1
51.7
53.6
55.5
55.1
56.1
55.3
49.2
0.761 -21.6
0.599 -23.0
0.515 -22.0
0.517 -30.8
0.545 -43.4
0.564 -56.8
0.594 -69.8
0.621 -83.9
0.634 -111.2
0.32
0.55
0.95
1.13
1.14
1.12
1.02
0.91
0.86
31.8
27.9
22.6
15.3
12.2
10.2
9.6
8.7
5.6
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
MSG =最大稳定增益
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
NE734系列
外形尺寸
（以毫米单位）
30大纲
(SOT-323)
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
包装外形30
推荐的P.C.B.布局
1.7
2
2.0
±
0.2
1.3
3
0.65
2
+0.1
0.3 -0.05
（所有引线）
3
1
记号
1.3
0.15
1.发射器
2.基
3.收集
0.65
0.6
1
0.8
0.9
±
0.1
0-0.1
+0.10
0.15 -0.05
包装外形35
（ MICRO- X）的
E
3.8分
所有引线
0.5±0.06
C
B
45
E
2.55±0.2
+0.06
0.1 -0.04
φ2.1
1.集热器
2.辐射源
3. BASE
4.发射器
1.8最大
0.55
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部4590日元帕特里克·亨利驱动器美国加州圣克拉拉， 95054-1817元（ 408 ） 988-3500日元电传34-6393 传真（ 408 ） 988-02
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
06/21/2001
数据可能会有更改，恕不另行通知
NPN硅通用
目的晶体管
特点
低噪声系数：
< 3分贝在500MHz
高增益：
在500MHz 15分贝
高增益带宽积：
2 GHz的
（ 3千兆赫的NE73435 ）
小集电极电容：
1 pF的
高可靠性金属化
30 （ SOT 323 STYLE）
NE734
系列
35 （ MICRO- X）的
描述
在NE734系列NPN硅通用UHF转录
电阻取值为设计人员提供了多种选择的可靠
晶体管用于高速逻辑电路和宽频带低噪声
放大器应用。该系列采用了NEC高度可靠
铂硅化物，钛，铂和金的金属化
系统，以确保一致的性能和可靠性。该
NE73433是在塑料微型封装模具设计
对于大容量高速自动化组装业务
混合集成电路。对于需要混合MIC应用更加perfor-
曼斯，该NE73435建议。此设备是封装
年龄在经济的金属陶瓷，密封微-X封装
年龄。
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
符号
f
T
参数和条件
增益带宽积为
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
最小噪声
V
CE
= 10 V，I
C
= 3 mA时， F = 0.5 GHz的
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安， F = 0.9 GHz的
最大可用
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安，
收益
3
at
dB
dB
dB
dB
17
18
13
16
9
100
200
0.1
0.1
1.5
0.75
150
833
.55
1.5
250
550
F = 0.5 GHz的
F = 1 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安，
F = 0.5 GHz的
F = 1 GHz的
正向电流增益比在
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
集电极截止电流在V
CB
= 15 V，I
E
= 0
发射极截止电流在V
EB
= 2 V，I
C
= 0
集电极基极电容
4
at
V
CB
= 10 V，I
C
= 0 mA时， F = 1兆赫
总功耗
热阻（结到管壳）
A
A
pF
mW
° C / W
科幻gure
2
at
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
民
NE73430
2SC4185
30
典型值
最大
民
1.5
2.3
2.1
4.0
3.5
NE73435
2SC2148
35
典型值
3.0
最大
NF
民
MAG
|S
21E
|
2
8
8
25
h
FE
40
100
180
0.1
I
CBO
I
EBO
C
CB
P
T
R
TH
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.输入和输出被调谐，以获得最佳的噪声系数。
3.最大可用增益（ MAG ）的计算方法
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
4. C
CB
测量采用三端电容桥纳入保护电路。发射端应连接到
后卫终端。
美国加州东部实验室
NE734系列
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
结温
储存温度
单位
V
V
V
mA
°C
°C
评级
30
14
3
50
200
2
-65到+200
3
NE73435
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
频率。
（兆赫）
500
1000
1500
2000
NF
选择
（ dB）的
2.0
3.1
4.2
5.1
G
A
（ dB）的
16.1
11.2
9.2
7.1
Γ
选择
MAG
0.30
0.43
0.54
0.56
昂
80
126
168
178
Rn/50
0.63
0.33
0.19
0.20
V
CE
= 10 V，I
C
= 3毫安
注意事项：
1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致
在永久性损坏。
2.最大结温为NE73430为150℃ 。
3.最大储存温度为NE73430和
NE73435 D级为150℃ 。
V
CE
= 10 V，I
C
= 15毫安
500
1000
1500
2000
3.3
4.7
6.5
7.4
17.5
13.5
10.8
9.2
0.34
0.47
0.67
0.64
120
168
-174
-163
0.36
0.27
0.13
0.46
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
饱和电压与
集电极电流
2
500
直流电流增益
与集电极电流
集电极到发射极和
基地发射极饱和电压
V
CE （SAT）
, V
BE （SAT）
(V)
V
BE
（SAT）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
I
C
= 10XI
B
正向直流电流增益，H
FE
300
200
V
CE
= 10 V
100
70
V
CE
= 1 V
50
30
20
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
V
CE
（SAT）
10
0.5 0.7 1
2
3
5
7
10
20
30
50
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极电流，I
C
（MA ）
增益带宽积
与集电极电流
10
7
5
3
2
V
CE
= 10 V
NE73435
增益带宽积，女
T
（千兆赫）
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.5 0.7 1
2
3
5 7
10
20
30
50
集电极电流，I
C
（MA ）
NE734系列
典型性能曲线
(T
A
= 25°C)
NE73435
增益与频率
32
V
CE
= 10 V
I
C
= 30毫安
NE73435
噪声系数与
集电极电流
6
V
CE
= 10 V
F = 500 MHz的
5
MAG
噪声系数NF （ dB）的
24
增益（分贝）
|S
21E
|
2
16
4
3
8
2
NE73435调谐
0
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7
1
2
3
5
1
0.5 0.7 1
2
3
5
7
10
20
30
50
频率f （ GHz）的
集电极电流，I
C
（MA ）
订购信息
产品型号
NE73430-T1
NE73435
注意：
1.压纹带12mm宽。
QUANTITY
3000
1
包装
磁带&卷轴
防静电袋
NE734系列
典型的共发射极散射参数
90
0.8
0.6
0.4
3
4
0.2
5
10
20
50
10 20 -50
-20
S
22
-0.2
S
11
-3
-0.4
-2
-0.6
-0.8
-1
-1.5
-10
-5
-4
1
1.5
2
135
S
21
45
S
12
180
5.00
10.00
15.00
0.05
0.10 0.15
0
0.2
0.4
0.6
0.8 1
1.5
2
3
4 5
在欧姆坐标
在GHz的频率
(V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA）的
225
20.00
270
315
NE73435
V
CE
= 10 V，I
C
= 3毫安
频率
（兆赫）
100
200
500
1000
1500
2000
2500
3000
4000
MAG
0.861
0.810
0.676
0.616
0.607
0.610
0.613
0.618
0.630
S
11
昂
-28.4
-55.0
-115.5
-156.0
-175.1
171.3
160.0
149.5
128.9
MAG
6.880
6.206
4.323
2.494
1.709
1.317
1.071
0.896
0.647
S
21
昂
157.0
139.8
104.1
74.4
55.6
39.0
25.3
13.0
-8.4
MAG
0.026
0.047
0.070
0.085
0.095
0.107
0.118
0.132
0.170
S
12
昂
70.5
56.9
37.3
30.5
32.2
32.2
33.9
33.5
33.7
S
22
MAG
昂
0.19
0.28
0.50
0.84
1.05
1.16
1.20
1.19
1.20
K
MAG
1
（ dB）的
24.2
21.2
17.9
14.7
11.2
8.5
6.9
5.7
3.1
0.960 -11.1
0.865 -19.2
0.689 -29.0
0.612 -38.3
0.612 -49.8
0.616 -62.2
0.632 -74.0
0.649 -87.3
0.657 -112.9
V
CE
= 10 V，I
C
= 5毫安
100
200
500
1000
1500
2000
2500
3000
4000
0.798
0.733
0.628
0.603
0.605
0.613
0.621
0.628
0.644
-39.0
-74.2
-134.4
-166.4
178.1
166.2
155.9
146.0
126.0
10.428
8.974
5.214
2.797
1.893
1.442
1.161
0.967
0.690
151.6
131.4
96.8
70.8
53.1
37.6
24.2
12.0
-9.3
0.025
0.040
0.056
0.073
0.088
0.102
0.117
0.133
0.176
66.2
52.9
37.4
37.1
39.9
39.9
41.0
40.6
39.2
0.923 -14.4
0.788 -22.4
0.613 -28.4
0.563 -36.6
0.572 -47.9
0.582 -60.5
0.604 -72.5
0.628 -85.9
0.639 -111.8
0.22
0.31
0.62
0.94
1.09
1.16
1.15
1.10
1.09
26.2
23.5
19.7
15.8
11.5
9.1
7.6
6.7
4.1
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
100
200
500
1000
1500
2000
2500
3000
4000
0.687
0.635
0.603
0.607
0.621
0.633
0.646
0.652
0.672
-62.0
-106.6
-153.4
-175.8
171.8
161.4
151.8
142.4
122.6
16.892
12.598
5.959
3.063
2.039
1.532
1.220
1.009
0.712
142.1
118.5
89.6
67.1
50.5
35.2
22.4
10.4
-10.1
0.020
0.031
0.042
0.061
0.080
0.096
0.112
0.132
0.182
59.4
48.8
42.9
47.2
48.7
48.3
48.3
47.9
44.2
0.846 -19.1
0.677 -24.6
0.541 -25.9
0.521 -33.7
0.541 -45.3
0.559 -58.0
0.586 -70.7
0.612 -84.2
0.627 -111.0
0.26
0.40
0.81
1.07
1.12
1.14
1.10
1.02
0.96
29.3
26.1
21.5
15.4
12.0
9.8
8.4
8.0
5.9
V
CE
= 10 V，I
C
= 20毫安
100
200
500
1000
1500
2000
2500
3000
4000
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
0.584
0.594
0.613
0.632
0.650
0.666
0.678
0.686
0.699
-94.8
-134.2
-165.6
178.2
167.5
157.8
148.5
139.0
119.3
22.708
14.233
6.118
3.061
2.014
1.506
1.190
0.976
0.682
130.8
108.5
84.3
63.8
47.5
32.9
20.3
8.7
-11.2
0.015
0.023
0.034
0.054
0.072
0.089
0.108
0.132
0.190
57.7
48.1
51.7
53.6
55.5
55.1
56.1
55.3
49.2
0.761 -21.6
0.599 -23.0
0.515 -22.0
0.517 -30.8
0.545 -43.4
0.564 -56.8
0.594 -69.8
0.621 -83.9
0.634 -111.2
0.32
0.55
0.95
1.13
1.14
1.12
1.02
0.91
0.86
31.8
27.9
22.6
15.3
12.2
10.2
9.6
8.7
5.6
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
MSG =最大稳定增益
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
NE734系列
外形尺寸
（以毫米单位）
30大纲
(SOT-323)
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
包装外形30
推荐的P.C.B.布局
1.7
2
2.0
±
0.2
1.3
3
0.65
2
+0.1
0.3 -0.05
（所有引线）
3
1
记号
1.3
0.15
1.发射器
2.基
3.收集
0.65
0.6
1
0.8
0.9
±
0.1
0-0.1
+0.10
0.15 -0.05
包装外形35
（ MICRO- X）的
E
3.8分
所有引线
0.5±0.06
C
B
45
E
2.55±0.2
+0.06
0.1 -0.04
φ2.1
1.集热器
2.辐射源
3. BASE
4.发射器
1.8最大
0.55
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
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NRD255M35
NX8562LB565-BA
NTE5344
NH00M25
NTE4001B
NP8-DSS-1
NX3L2T384GT
NTE6418
N74F373DB
NBXSBA022LNHTAG
NIN-HK430JTRF
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NE734
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    -
    -
    -
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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