初步数据表
C到X频带放大器
C到X波段OSC
N沟道的GaAs MESFET
特点
高功率增益：
GS = 5.5 dB典型值，在f = 12 GHz的
GATE长度：
LG = 0.8
m
（凹门）
门宽：
WG = 330
m
4引脚超小模具
0.3
-0.05
NE72118
包装尺寸
（以毫米单位）
包装外形18
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
2
3
2.0
±
0.2
(1.25)
0.4
-0.05
0.9
±
0.1
该NE72118是一种高性能砷化镓金属
半导体场效应晶体管（MESFET ） ，容纳在一
低成本的塑料表面贴装封装（ SOT 23型） 。这
器件的低相位噪声和高F
T
使之成为优秀
对数字LNB振荡器的应用选择（低噪声
块）。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性性能。
0.3
引脚连接
1.源
2.门
3.源
4.漏
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS （关闭）
g
m
PN
Gs
Po
(1dB)
参数和条件
门源泄漏电流在V
GS
= -5 V
饱和漏极电流在V
DS
= 3 V, V
GS
= 0 V
门源截止电压为V
DS
= 3 V，I
D
= 100
A
跨在V
DS
= 3 V，I
D
= 30毫安
单位
A
A
V
mS
30
-0.5
20
民
NE72118
18
典型值
1.0
60
-2.0
40
-110
-85
5.5
13.5
最大
10
100
-4.0
相位噪声在V
DS
= 3 V，I
D
= 30mA时F = 11GHz的， 100KHz的偏移dBc的/赫兹
相位噪声在V
DS
= 3 V，I
D
= 30mA时F = 11GHz的，在10KHz偏移dBc的/赫兹
功率增益在V
DS
= 3 V，I
D
= 30 mA时， F = 12 GHz的
1 dB增益压缩点的输出功率
V
CE
= 3 V，I
D
= 30 mA时， F = 12 GHz的
dB
DBM
美国加州东部实验室
0-0.1
0.15
-0.05
+0.1
0.3
-0.05
+0.1
1
4
+0.1
描述
0.60
(1.3) 0.3
-0.05
0.65
+0.1
+0.1
磁带&卷轴包装
V53
NE72118
典型的散射参数
(T
A
= 25°C)
V
DS
= 3 V ， ID = 30毫安
频率
（兆赫）
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
16000
17000
18000
MAG
0.900
0.826
0.734
0.657
0.609
0.577
0.558
0.581
0.659
0.739
0.794
0.840
0.888
0.923
0.944
0.941
0.922
S
11
昂
-50.1
-71.2
-94.9
-121.9
-146.2
-169.5
166.5
142.6
123.3
105.9
89.9
77.8
65.3
51.2
43.3
39.4
30.8
MAG
2.906
2.733
2.611
2.466
2.286
2.084
1.899
1.789
1.688
1.522
1.324
1.150
0.983
0.781
0.596
0.465
0.374
S
21
昂
132.3
114.0
95.2
75.7
57.4
39.8
23.7
7.8
-10.0
-28.8
-46.2
-62.6
-80.4
-97.6
-110.4
-119.0
-125.9
MAG
0.058
0.074
0.086
0.088
0.089
0.089
0.091
0.104
0.130
0.152
0.164
0.177
0.183
0.175
0.157
0.147
0.136
S
12
昂
58.4
49.0
39.8
32.6
28.1
27.6
30.1
31.9
27.7
18.4
8.5
-2.9
-16.4
-29.8
-39.7
-47.1
-54.5
MAG
0.640
0.596
0.563
0.524
0.468
0.407
0.354
0.323
0.285
0.238
0.260
0.359
0.469
0.549
0.621
0.712
0.787
S
22
昂
-27.1
-38.2
-47.6
-55.7
-63.2
-74.0
-85.7
-101.4
-127.2
-167.1
145.9
112.2
89.2
71.6
56.4
45.5
40.0
0.44
0.59
0.76
0.96
1.19
1.44
1.66
1.50
1.12
0.93
0.89
0.80
0.68
0.62
0.60
0.67
0.82
K
MAG
1
（ dB）的
18.76
15.62
13.35
11.69
11.46
9.76
8.46
8.17
9.05
7.33
7.06
7.14
7.67
7.68
7.28
5.80
3.89
V
DS
= 3V ，ID = 40毫安
频率
（兆赫）
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
10000
11000
12000
13000
14000
15000
16000
17000
18000
MAG
0.894
0.817
0.725
0.647
0.600
0.569
0.550
0.571
0.653
0.737
0.799
0.846
0.895
0.931
0.956
0.949
0.932
S
11
昂
-50.6
-72.0
-95.7
-122.6
-146.6
-170.0
166.1
142.5
123.9
106.6
90.5
78.3
65.9
51.6
43.6
39.4
30.6
MAG
3.050
2.858
2.716
2.556
2.368
2.156
1.968
1.855
1.760
1.602
1.398
1.215
1.045
0.827
0.630
0.487
0.386
S
21
昂
132.1
113.7
95.0
75.8
57.7
40.2
24.2
8.7
-9.0
-27.9
-45.5
-62.3
-80.3
-98.1
-111.4
-120.5
-127.2
MAG
0.053
0.068
0.078
0.080
0.079
0.082
0.086
0.104
0.134
0.159
0.176
0.188
0.195
0.186
0.169
0.158
0.144
S
12
昂
59.6
49.2
41.5
33.7
34.1
34.0
37.9
40.5
35.6
24.5
13.2
1.8
-12.7
-26.9
-38.4
-47.0
-53.2
MAG
0.660
0.615
0.582
0.546
0.495
0.440
0.394
0.366
0.329
0.279
0.282
0.368
0.477
0.562
0.635
0.724
0.792
S
22
昂
-26.6
-37.0
-46.0
-53.7
-61.2
-71.7
-82.9
-97.4
-121.7
-158.0
157.2
120.6
95.3
75.6
59.3
47.5
41.7
0.44
0.61
0.79
1.00
1.24
1.45
1.63
1.41
1.00
0.82
0.76
0.71
0.59
0.53
0.48
0.53
0.69
K
MAG
1
（ dB）的
19.16
15.97
13.72
14.83
11.83
10.21
8.96
8.73
10.81
7.85
7.69
7.79
8.52
8.73
8.84
6.97
4.84
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
美国印刷再生纸-6/97
数据可能会有更改，恕不另行通知
QQ：2881677436 复制
