硅晶体管
NE681系列
NEC的NPN硅高
高频三极管
特点
高增益带宽积：
f
T
= 8 GHz的
低噪声系数：
1.2分贝在1 GHz
1.6分贝在2 GHz
高相关的增益：
在1 GHz 15分贝
12分贝在2 GHz
·低成本
V
CE
= 3 V，I
C
= 5毫安
味精
20
3.0
MAG
10
相关联的增益，最大稳定增益
而最大可用增益，
GA ，味精， MAG （分贝）
ERS
MB OT
T E ： A R T N ü简
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E
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泰35
德81
E6
9R
N
813
E6
N
E
B
00 （ CHIP ）
35 （ MICRO- X）的
NEC的NE681系列NPN外延硅晶体管
专为低噪音，高增益，低成本放大器的应用
系统蒸发散。两个芯片和微型X版本都适合
放大器应用多达4千兆赫。该NE681芯片还
在六个不同的低成本塑料表面贴装封装
时代风格。 NE681独特的器件特性允许你
使用单一的匹配点同时实现低
噪声和高增益。
18 （ SOT 343 STYLE）
19 （ 3针Ultra
超小模）
噪声系数，增益MSG
和MAG与频率
30 （ SOT 323 STYLE）
33 （ SOT 23 STYLE）
最小噪声系数， NF分钟（分贝）
39 （ SOT 143 STYLE）
39R （ SOT 143R STYLE）
2.0
NF
G
A
0
1.0
0.5
1.0
2.0
3.0
频率f （ GHz）的
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发表日期： 2005年6月28日
NE681系列
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
参数和条件
增益带宽积为
V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
噪声系数在V
CE
= 8 V，I
C
= 7毫安，
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
在V相关的增益
CE
= 8 V，I
C
= 7毫安，
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
插入功率增益
V
CE
= 8 V，I
C
= 20 mA时， F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
正向电流增益
2
at
V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
集电极截止电流为
V
CB
= 10 V，I
E
= 0毫安
发射极截止电流为
V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
反馈电容
V
CB
= 3 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
V
CB
= 10 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
总功耗
NE68100
00 （ CHIP ）
单位最小典型最大
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
9.0
NE68118
NE68119
NE68130
2SC5012
2SC5007
2SC4227
18
19
30
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
9.0
7.0
1.2
1.6
2.3
14
12
17
11
100
250
13
15
9
100
250
80
A
A
pF
pF
mW
1.0
1.0
1.0
1.0
0.45
0.2
0.7
80
600
0.25
0.8
833
150
1000
100
833
150
160
1.0
1.0
0.9
0.45
40
240
1.0
1.0
0.9
2.5
1.4
1.8
14
10
14
8
7.0
1.5
1.6
13.5
9
13
7.5
符号
f
T
NF
G
NF
|S
21E
|
2
9
50
h
FE
50
I
CBO
I
EBO
C
RE3
R
号（j -a）的
P
T
热阻（结到环境）
° C / W
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
参数和条件
增益带宽积为V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
噪声系数在V
CE
= 8 V，I
C
= 7 mA时， F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
在V相关的增益
CE
= 8 V，I
C
= 7毫安，
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安，
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
正向电流增益
2
在V
CE
= 8 V，I
C
= 20毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 7毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V，I
E
= 0毫安
发射极截止电流在V
EB
= 1 V，I
C
= 0毫安
反馈电容
V
CB
= 10 V，I
E
= 0 mA时， F = 1兆赫
热阻（结到环境）
总功耗
A
A
pF
° C / W
mW
0.35
NE68133
NE68135
NE68139/39R
2SC3583
2SC3604
2SC4094
33
35
39
最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
9.0
1.2
2
1.6
13
12
11
12.5
7
250
1.0
1.0
0.9
625
200
0.2
15
8.5
250
1.0
1.0
0.7
590
295
0.25
50
100
200
1.0
1.0
0.8
625
200
2.3
13.5
9.0
9.0
1.2
2
符号
f
T
NF
G
NF
单位
GHz的
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
|S
21E
|
2
9
50
11
100
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
RE3
R
号（j -a）的
P
T
50
100
注意事项：
1.日本电子工业协会。
2.脉冲（PW
≤
350毫秒，占空比
≤
2 %).
3.发射端应连接到3端子电容电桥的接地端子。
QQ：2880707522 复制
