NEC的NPN硅高
高频三极管
特点
高增益带宽积:
f
T
= 10 GHz的
低噪声系数:
1.7分贝在2 GHz
2.6分贝在4GHz
关联度高增益:
12.5分贝在2 GHz
8.0分贝在4GHz
出色的低电压
低电流性能
00 ( CHIP )
NE680
系列
E
B
35 ( MICRO- X)的
NEC的NE680系列NPN硅外延晶体管是
设计用于低噪声,高增益和低费用的应用程序。
两个芯片和微型X版本适合于应用
高达6GHz 。在NE680模具也是在六个不同的低可
成本的塑料表面贴装封装形式。该NE680高
f
T
使其非常适用于低电压/低电流应用,向下
以低至0.5 V / 0.5 mA的电流。 IC最大的NE680系列
35毫安。对于更高电流的应用看NE681系列。
ERS
MB OT
:
T E AR T N ü简
描述
NO克对
ar
GN 。
si
et
A S ê流I N
他EW德
LE
P
塔斯R N
OLL
fo
da
ê F
Th
^ h I S D E D F O O FF I C ê
M牛逼
来回mmen销售
co
阿尔升
re
权证
EAS S:
Pl
IL一5
et
d
03
E 68
N
18 ( SOT 343 STYLE)
19 ( 3针Ultra
超小模)
30 ( SOT 323 STYLE)
33 ( SOT 23 STYLE)
NE68018
噪声系数&相关的增益
与频率的关系
6V , 5毫安
3V , 5毫安
25
20
15
相关的增益,G
A
( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
39 ( SOT 143 STYLE)
39R ( SOT 143R STYLE)
2.5
2.0
10
5
1.5
1.0
.5
300
500
1000
2000
3000
频率f ( GHz)的
美国加州东部实验室
NE680系列
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
参数和条件
增益带宽积为V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
噪声系数在V
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安, F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
在V相关的增益
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安,
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
最高可用增益在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安,
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
2
在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
正向电流增益
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V,I
E
= 0毫安
发射极截止电流在V
EB
= 1V ,我
C
= 0毫安
反馈电容在V
CB
= 1 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
总功耗
热阻(结到环境)
热阻(结到管壳)
NE68000
00 ( CHIP )
单位最小典型最大
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
10
1.7
2.6
2.4
NE68018
2SC5013
NE68019
2SC5008
符号
f
T
NF
民
18
TYP MAX
10
1.6
1.8
民
19
TYP MAX
10
1.7
1.9
3
GNF
12.5
8
18.5
16.2
10.2
17
10.5 12.5
7.5
50
100
14
10.2
13.5
9.6
MAG
19
12.7
8.2
15.5
9.8
4.6
100
18.5
11.8
7.3
15
9.2
4.4
250
80
1.0
1.0
160
1.0
1.0
0.3
0.7
100
1000
200
|S
21E
|
2
7.5
250
1.0
1.0
50
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
RE3
P
T
R
号(j -a)的
R
TH ( J- C)
A
A
pF
mW
° C / W
° C / W
0.3
400
120
0.7
150
833
200
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
参数和条件
增益带宽积为V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
噪声系数在V
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安, F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
在V相关的增益
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安,
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
最高可用增益在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安,
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
正向电流增益
2
在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V,I
E
= 0毫安
发射极截止电流在V
EB
= 1V ,我
C
= 0毫安
反馈电容
V
CB
= 3V ,我
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
V
CE
= 10 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
总功耗
热阻(结到环境)
热阻(结到管壳)
NE68030
2SC4228
NE68033
2SC3585
NE68035
2SC3587
NE68039/39R
2SC4095
符号
f
T
NF
30
33
35
39
单位最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
10
1.5
1.7
2.9
12.5
9.4
5.3
17
10.9
6.8
13.5
8.5
3.6
50
50 100 250
A
A
pF
pF
mW
° C / W
° C / W
0.3
1.0
1.0
0.7
0.3
150
833
200
0.8
200
620
200
0.2
0.7
290
550
200
0.25 0.8
200
620
200
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
1.6
1.8
2.1
11.0
9.0
4.2
17
10.9
6.7
3.0
10
1.7
2.6
2.4
10
1.7
2.6
2.5
GNF
12.5
8
18.5
16.2
10.2
11
6.5
18
12.4
8.7
14.5
9.6
4.9
100 250
MAG
|S
21E
|
2
h
FE
I
CBO
I
EBO
CRE
3
13
17
6.7
10.5 12.5
3.7
7.5
100 250 50 100 250
50
P
T
R
号(j -a)的
R
TH ( J- C)
注意事项:
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量, PW≤350
s,
占空比
≤2%.
3.发射端应连接到地
三端子电容桥的末端。
NEC的NPN硅高
高频三极管
特点
高增益带宽积:
f
T
= 10 GHz的
低噪声系数:
1.7分贝在2 GHz
2.6分贝在4GHz
关联度高增益:
12.5分贝在2 GHz
8.0分贝在4GHz
出色的低电压
低电流性能
00 ( CHIP )
NE680
系列
E
B
35 ( MICRO- X)的
NEC的NE680系列NPN硅外延晶体管是
设计用于低噪声,高增益和低费用的应用程序。
两个芯片和微型X版本适合于应用
高达6GHz 。在NE680模具也是在六个不同的低可
成本的塑料表面贴装封装形式。该NE680高
f
T
使其非常适用于低电压/低电流应用,向下
以低至0.5 V / 0.5 mA的电流。 IC最大的NE680系列
35毫安。对于更高电流的应用看NE681系列。
ERS
MB OT
:
T E AR T N ü简
描述
NO克对
ar
GN 。
si
et
A S ê流I N
他EW德
LE
P
塔斯R N
OLL
fo
da
ê F
Th
^ h I S D E D F O O FF I C ê
M牛逼
来回mmen销售
co
阿尔升
re
权证
EAS S:
Pl
IL一5
et
d
03
E 68
N
18 ( SOT 343 STYLE)
19 ( 3针Ultra
超小模)
30 ( SOT 323 STYLE)
33 ( SOT 23 STYLE)
NE68018
噪声系数&相关的增益
与频率的关系
6V , 5毫安
3V , 5毫安
25
20
15
相关的增益,G
A
( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
39 ( SOT 143 STYLE)
39R ( SOT 143R STYLE)
2.5
2.0
10
5
1.5
1.0
.5
300
500
1000
2000
3000
频率f ( GHz)的
美国加州东部实验室
NE680系列
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
参数和条件
增益带宽积为V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
噪声系数在V
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安, F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
在V相关的增益
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安,
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
最高可用增益在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安,
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
2
在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
正向电流增益
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V,I
E
= 0毫安
发射极截止电流在V
EB
= 1V ,我
C
= 0毫安
反馈电容在V
CB
= 1 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
总功耗
热阻(结到环境)
热阻(结到管壳)
NE68000
00 ( CHIP )
单位最小典型最大
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
10
1.7
2.6
2.4
NE68018
2SC5013
NE68019
2SC5008
符号
f
T
NF
民
18
TYP MAX
10
1.6
1.8
民
19
TYP MAX
10
1.7
1.9
3
GNF
12.5
8
18.5
16.2
10.2
17
10.5 12.5
7.5
50
100
14
10.2
13.5
9.6
MAG
19
12.7
8.2
15.5
9.8
4.6
100
18.5
11.8
7.3
15
9.2
4.4
250
80
1.0
1.0
160
1.0
1.0
0.3
0.7
100
1000
200
|S
21E
|
2
7.5
250
1.0
1.0
50
h
FE
I
CBO
I
EBO
C
RE3
P
T
R
号(j -a)的
R
TH ( J- C)
A
A
pF
mW
° C / W
° C / W
0.3
400
120
0.7
150
833
200
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
EIAJ
1
注册号码
包装外形
参数和条件
增益带宽积为V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
噪声系数在V
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安, F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
在V相关的增益
CE
= 6 V,I
C
= 5毫安,
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
最高可用增益在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 4 GHz的
插入功率增益在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安,
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
F = 2 GHz的
正向电流增益
2
在V
CE
= 6 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 3 V,I
C
= 5毫安
集电极截止电流在V
CB
= 10 V,I
E
= 0毫安
发射极截止电流在V
EB
= 1V ,我
C
= 0毫安
反馈电容
V
CB
= 3V ,我
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
V
CE
= 10 V,I
E
= 0 mA时, F = 1兆赫
总功耗
热阻(结到环境)
热阻(结到管壳)
NE68030
2SC4228
NE68033
2SC3585
NE68035
2SC3587
NE68039/39R
2SC4095
符号
f
T
NF
30
33
35
39
单位最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值最小值典型值最大值
GHz的
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
10
1.5
1.7
2.9
12.5
9.4
5.3
17
10.9
6.8
13.5
8.5
3.6
50
50 100 250
A
A
pF
pF
mW
° C / W
° C / W
0.3
1.0
1.0
0.7
0.3
150
833
200
0.8
200
620
200
0.2
0.7
290
550
200
0.25 0.8
200
620
200
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
10
1.6
1.8
2.1
11.0
9.0
4.2
17
10.9
6.7
3.0
10
1.7
2.6
2.4
10
1.7
2.6
2.5
GNF
12.5
8
18.5
16.2
10.2
11
6.5
18
12.4
8.7
14.5
9.6
4.9
100 250
MAG
|S
21E
|
2
h
FE
I
CBO
I
EBO
CRE
3
13
17
6.7
10.5 12.5
3.7
7.5
100 250 50 100 250
50
P
T
R
号(j -a)的
R
TH ( J- C)
注意事项:
1.日本电子工业协会。
2.脉冲测量, PW≤350
s,
占空比
≤2%.
3.发射端应连接到地
三端子电容桥的末端。