NEC的1 W , L&S - BAND
中功率的GaAs HJ- FET NE651R479A
特点
低成本的塑料表面贴装封装
可在磁带和卷轴
可使用3.7 GHz的:
固定无线接入, ISM , WLL , MMDS , IMT-2000 ,
个
高输出功率:
30 dBm的典型值5.0 V伏
27 dBm的典型值3.5 V伏
高线性增益:
12分贝典型值在1.9 GHz的
低热阻:
30°C/W
外形尺寸
(以毫米单位)
包装外形79A
4.2最大
1.5
±
0.2
来源
来源
门
5.7最大
0.6
±
0.15
H
X
漏
0.8
±
0.15
4.4 MAX
门
1.0 MAX
漏
1.2 MAX
T
8
0.4
±
0.15
0.8最大
3.6
±
0.2
0.2
±
0.1
描述
NEC的NE651R479A是GaAs的HJ- FET的专为中
功耗移动通信,固定无线接入, ISM ,
WLL ,PCS, IMT-2000 ,和MMDS发射机和订户
应用程序。它能够提供0.5瓦的输出的
功率( CW)在3.5 V ,输出功率为1瓦( CW )的5 V
具有高线性增益,高效率和优异的线性。
可靠性和性能的均匀性是由NEC的放心
严格的质量控制程序。
0.9
±
0.2
5.7最大
(底视图)
典型5 V的RF性能,以供参考(不指定)
(T
C
符号
P
OUT
G
L
特征
输出功率
线性增益
1
功率附加效率
漏电流
单位
DBM
dB
%
mA
民
典型值
29.5
12.0
58
350
最大
= 25°C)
测试条件
F = 1.9千兆赫,V
DS
= 5 V
P
IN
= +15 dBm的,R
G
= 1 k
,
I
DSQ
= 50 MA( RF OFF)
η
添加
I
D
注意:
1. P
IN
= 0 dBm的。
电气特性
(T
C
产品型号
包装外形
符号
P
OUT
G
L
特征
输出功率
线性增益
1
功率附加效率
漏电流
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅漏击穿电压
= 25°C)
NE651R479A
79A
单位
DBM
dB
%
mA
A
V
V
° C / W
-2.0
12
30
50
52
民
26.0
典型值
27.0
12.0
60
220
0.7
-0.4
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V,I
D
= 14毫安
I
GD
= 14毫安
最大
测试条件
F = 1.9千兆赫,V
DS
=3.5 V
P
IN
= +15 dBm的,R
G
= 1 k
,
I
DSQ
= 50 MA( RF OFF)
2
η
添加
I
D
I
DSS
V
P
BV
GD
R
TH
耐热性,信道到外壳
注意事项:
1. P
IN
= 0 dBm的。
2.直流性能100 %测试。晶片样品测试了RF性能。
晶圆拒收标准的标准设备是1拒收样品很多。
美国加州东部实验室
NE651R479A
典型3.5 V RF性能,以供参考(不指定)
(T
C
符号
P
OUT
G
L
特征
输出功率
线性增益
1
功率附加效率
漏电流
单位
DBM
dB
%
mA
民
典型值
27.0
14.0
60
230
最大
= 25°C)
测试条件
η
添加
I
D
F = 900兆赫,V
DS
=3.5 V
P
IN
= +13 dBm的,R
G
= 1 k
,
I
DSQ
= 50 MA( RF OFF)
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25
°C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GF
I
GR
P
T
T
CH
T
英镑
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
门正向电流
门反向电流
总功耗
2
通道温度
储存温度
单位
V
V
A
mA
mA
W
°C
°C
评级
8
-4
1.0
10
10
2.5
150
-65到+150
推荐工作极限
符号
V
DS
G
COMP
T
CH
参数
漏源极电压
增益压缩
1
通道温度
单位最小典型最大
V
dB
°C
3.5
6.0
3.0
+125
注意:
1.推荐的最大增益压缩是在3.0分贝
V
DS
= 4.2 5.5 V.
订购信息
产品型号
数量
1千件/卷
散装, 100件。分钟。
NE651R479A-T1-A
NE651R479A-A
注意:
1.压纹带,宽12毫米。
注意事项:
1.操作中过量的这些参数中的任何一个,可能会导致
在永久性损坏。
2.安装在一个50 ×50 ×1.6毫米双覆铜箔环氧玻璃
PWB 。牛逼
A
= +85°C