初步数据表
N沟道砷化镓HJ- FET
NE6510379A
3 W L波段功率砷化镓HJ- FET的
描述
该NE6510379A是一个3瓦的GaAs HJ -FET设计中功率发射机应用的移动
通信系统。它能够提供的输出功率（ 1/3占空比脉冲操作） 3瓦特高线性
增益，高效率和卓越的失真。
可靠性和性能的均匀性是由NEC严格的质量控制程序保证。
特点
砷化镓HJ- FET结构
高输出功率
高线性增益
: P
O
= +35 dBm的典型值。 @V
DS
= 3.5 V，I
DSET
= 200 mA时， F = 900兆赫，引脚= +24 dBm时，值班1/3
P
O
= 32.5 dBm的典型值。 @V
DS
= 3.5 V，I
DSET
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，引脚= +26 dBm时，值班1/3
: G
L
= 13 dB典型值。 @V
DS
= 3.5 V，I
DSET
= 200 mA时， F = 900兆赫，引脚= 0 dBm时，值班1/3
G
L
= 8 dB典型值。 @V
DS
= 3.5 V，I
DSET
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，引脚= 0 dBm时，值班1/3
高功率附加效率： 58 ％ （典型值） 。 @V
DS
= 3.5 V，I
DSET
= 200 mA时， F = 900兆赫，引脚= +24 dBm时，值班1/3
52 ％ （典型值） 。 @V
DS
= 3.5 V，I
DSET
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，引脚= +26 dBm时，值班1/3
订购信息（ PLAN）
产品型号
NE6510379A-T1
79A
包
供给方式
12毫米胶带宽度， 1千件/卷
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。
（样品订购部件号： NE6510379A ）
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
操作中过量的这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损坏。
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
门正向电流
门反向电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
GF
I
GR
P
T
T
ch
T
英镑
评级
6
–4
4.2
38
38
18
150
-65到+150
单位
V
V
A
mA
mA
W
°C
°C
小心
请处理这种设备在无静电工作站，因为这是一种静电敏感
装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件P13677EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期1998年8月 CP （ K）
日本印刷
1998
NE6510379A
推荐工作极限
特征
漏源极电压
工作占空比
增益压缩
通道温度
符号
V
DS
–
GCOMP
T
ch
脉冲宽度= 0.577毫秒
测试条件
分钟。
典型值。
3.5
马克斯。
4.2
1/3
5.0
+110
单位
V
–
dB
°C
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明，使用NEC标准试验夹具中。
所有的射频特性的测量是在1/3占空比的脉冲操作，脉冲宽度= 0.577毫秒4.616毫秒/帧）
特征
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅漏打破
电压
热阻
输出功率
漏电流
功率附加效率
线性增益
注1
符号
I
DSS
V
p
BV
gd
测试条件
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V，I
D
= 21毫安
I
gd
= 21毫安
–2.0
11
分钟。
典型值。
3.7
–0.4
马克斯。
单位
A
V
V
R
th
P
O
I
D
渠道情况
F = 1.9千兆赫，V
DS
= 3.5 V
PIN = +26 dBm时， RG = 100
I
DSET
= 200 MA（ RF OFF）
注2
31.5
4
32.5
760
44
52
8.0
7
° C / W
DBM
mA
%
dB
η
添加
G
L
注意事项1 。
引脚= 0 dBm的
2.
DC性能是100％的测试。 RF性能，每片晶圆测试几个样品。
晶圆拒收标准的标准设备是1拒绝了几个样品。
典型的射频性能，以供参考（不指定）
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明，使用NEC标准试验夹具中。
所有的射频特性的测量是在1/3占空比的脉冲操作，脉冲宽度= 0.577毫秒4.616毫秒/帧）
特征
输出功率
漏电流
功率附加效率
线性增益
记
符号
P
O
I
D
测试条件
F = 900兆赫，V
DS
= 3.5 V
PIN = +24 dBm时， RG = 100
I
DSET
= 200 MA（ RF OFF）
分钟。
典型值。
35.0
1.40
58
13.0
马克斯。
单位
DBM
A
%
dB
η
添加
G
L
记
引脚= 0 dBm的
2
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