初步数据表
的GaAs MES FET
NE6500496
4 W L , S波段功率GaAs FET
N沟道的GaAs MES FET
描述
该NE6500496是功率GaAs FET提供高
增益,高效率和高输出功率, L,S波段。
为了降低热电阻,该器件具有一个PHS
(镀散热器)的结构。
包装尺寸(单位:毫米)
1.0 ± 0.1
4.0 MIN BOTHLEADS
来源
门
φ
2.2 ±0.3
2 SLACES
4.0
特点
A类操作
高输出功率: 36 dBm的(典型值)
高增益:11.5分贝(典型值)
高功率附加效率: 45 % (典型值)
密封陶瓷封装
绝对最大额定值(T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅漏电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
温度循环
V
DSX
V
GDX
V
GSX
I
D
I
G
P
T
(*)
T
ch
T
英镑
T∞
15
–18
–12
4.5
25
25
175
-65到+175
-40到+120
*
T
C
= 25 C
小心
V
V
V
A
mA
W
C
C
C
4.3 ±0.2
漏
0.6 ±0.1
5.2 ±0.3
11.0 ±0.3
15.0 ±0.3
0.1
最大0.2 。
1.7 ±0.15
6.0 ±0.2
5.0最大。
1.2
请处理这种设备在无静电工作站,因为这是一种静电敏感
装置。
一号文件P10971EJ1V0DS00 (第1版)
发布日期1996年P月
日本印刷
1996