数据表
N沟道的GaAs MES FET
NE6500379A
3W L， S波段功率GaAs MESFET
描述
该NE6500379A是一个3W的GaAs MESFET专为中等功率发射机应用的移动
通信手机和基站系统。它能够提供3瓦特输出功率（ CW）具有较高的
线性增益，高效率和卓越的失真。可靠性和性能的均匀性是由NEC的放心
严格的质量控制程序。
特点
高输出功率
高线性增益
: P
O（ 1分贝）
= +35 dBm的典型值。
10 dB典型值。
高功率附加效率： 50 ％ （典型值） 。 @V
DS
= 6 V，I
DSET
= 500 mA时， F = 1.9 GHz的
订购信息
产品型号
NE6500379A-T1
79A
包
供给方式
12毫米胶带宽度， 1千件/卷
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。
（样品订购部件号： NE6500379A ）
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
操作中过量的这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损坏。
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
G
P
T
T
ch
T
英镑
评级
15
–7
5.6
50
21
150
-65到+150
单位
V
V
A
mA
W
°C
°C
小心
请处理这种设备在无静电工作站，因为这是一种静电敏感
装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件P13495EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1998年8月 CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1998
NE6500379A
推荐工作极限
特征
漏源极电压
增益压缩
通道温度
符号
V
DS
GCOMP
T
ch
测试条件
分钟。
典型值。
6.0
马克斯。
6.0
3.0
+125
单位
V
dB
°C
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明，使用NEC标准测试夹具）。
特征
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅漏打破
电压
热阻
输出功率为1 dB增益
压缩点
漏电流
功率附加效率
线性增益
注1
符号
I
DSS
V
p
BV
gd
测试条件
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V，I
D
= 21毫安
I
gd
= 21毫安
–3.6
17
分钟。
典型值。
4.5
–1.6
马克斯。
单位
A
V
V
R
th
P
o(1dB)
渠道情况
F = 1.9千兆赫，V
DS
= 6.0 V
RG = 30
5
35.0
6
° C / W
DBM
I
D
I
DSET
= 500 MA（ RF OFF）
注2
9.0
1.0
50
10.0
A
%
dB
η
添加
G
L
注意事项1 。
引脚= 0 dBm的
2.
DC性能是100％的测试。 RF性能，每片晶圆测试几个样品。
晶圆拒收标准的标准设备是1拒绝了几个样品。
2
数据表
N沟道的GaAs MES FET
NE6500379A
3W L， S波段功率GaAs MESFET
描述
该NE6500379A是一个3W的GaAs MESFET专为中等功率发射机应用的移动
通信手机和基站系统。它能够提供3瓦特输出功率（ CW）具有较高的
线性增益，高效率和卓越的失真。可靠性和性能的均匀性是由NEC的放心
严格的质量控制程序。
特点
高输出功率
高线性增益
: P
O（ 1分贝）
= +35 dBm的典型值。
10 dB典型值。
高功率附加效率： 50 ％ （典型值） 。 @V
DS
= 6 V，I
DSET
= 500 mA时， F = 1.9 GHz的
订购信息
产品型号
NE6500379A-T1
79A
包
供给方式
12毫米胶带宽度， 1千件/卷
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。
（样品订购部件号： NE6500379A ）
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
操作中过量的这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损坏。
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
G
P
T
T
ch
T
英镑
评级
15
–7
5.6
50
21
150
-65到+150
单位
V
V
A
mA
W
°C
°C
小心
请处理这种设备在无静电工作站，因为这是一种静电敏感
装置。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。
一号文件P13495EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期1998年8月 CP （ K）
日本印刷
商标
表示主要修改点。
1998
NE6500379A
推荐工作极限
特征
漏源极电压
增益压缩
通道温度
符号
V
DS
GCOMP
T
ch
测试条件
分钟。
典型值。
6.0
马克斯。
6.0
3.0
+125
单位
V
dB
°C
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有说明，使用NEC标准测试夹具）。
特征
饱和漏极电流
捏-O FF电压
栅漏打破
电压
热阻
输出功率为1 dB增益
压缩点
漏电流
功率附加效率
线性增益
注1
符号
I
DSS
V
p
BV
gd
测试条件
V
DS
= 2.5 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2.5 V，I
D
= 21毫安
I
gd
= 21毫安
–3.6
17
分钟。
典型值。
4.5
–1.6
马克斯。
单位
A
V
V
R
th
P
o(1dB)
渠道情况
F = 1.9千兆赫，V
DS
= 6.0 V
RG = 30
5
35.0
6
° C / W
DBM
I
D
I
DSET
= 500 MA（ RF OFF）
注2
9.0
1.0
50
10.0
A
%
dB
η
添加
G
L
注意事项1 。
引脚= 0 dBm的
2.
DC性能是100％的测试。 RF性能，每片晶圆测试几个样品。
晶圆拒收标准的标准设备是1拒绝了几个样品。
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