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集成电路
NE57600
单节锂离子电池保护
超过/装载不足和过流
保护
产品数据
在集成电路的文件，标准模拟
2001年10月3日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品数据
用一节锂离子电池保护
在/装载不足和过电流保护
NE57600
概述
该NE57600系列是小型，高精度的锂离子
提供保护，防止对电池的保护装置
过充电，过放电，短路的破坏作用，并
过大的电流消耗，例如，如果是发生消费
使用该电池为它并不意味着动力的装置。该
NE57600是单节锂离子电池保护IC 。
该NE57600过压和欠压精度修剪成内
±25
毫伏（5％） ，并且可用于匹配的所有要求
目前市场上生产的锂离子电池。
特点
修剪过电压跳闸点内
±25
mV
可编程的过压跳闸延时
修整欠压脱扣点内
±25
mV
非常低的欠压睡眠静态电流0.05毫安
放电过电流切断
低工作电流（ 10
毫安）
非常小的SOT- 26A封装
简化的系统框图
应用
掌上设备
保护单节锂离子电池组为手机或
V+
+
V
CC
2
C
DLY
锂离子电池
3
NE57600
1
VM
充电器
OR
装载机
GND
5
DF
6
CF
4
–
V–
放电
FET
收费
FET
SL01548
图1.简化的系统框图。
2001年10月3日
2
853-2294 27198
飞利浦半导体
产品数据
用一节锂离子电池保护
在/装载不足和过电流保护
NE57600
订购信息
包
类型编号
NE57600XD
名字
SOT-26A
描述
小外形塑料表面贴装， 6针
温度
范围
-20至+70
°C
注意：
该器件具有10保护参数的选项，通过所指示的
X
编码顺序，并定义如下表所示。
IN THE NE57600系列典型保护参数
产品型号
NE57600Y
NE57600D
NE57600E
NE57600F
NE57600C
NE57600G
NE57600W
NE57600H
NE57600J
NE57600B
过度充电
检测电压（ V）
4.200
4.200
4.250
4.250
4.280
4.295
4.300
4.325
4.325
4.350
过度充电
检测滞后
电压（毫伏）
200
200
200
150
200
150
150
200
200
200
过放电
检测电压
(V)
2.3
2.3
2.3
2.4
2.3
2.4
2.4
2.5
2.5
2.4
过放电
电压恢复
(V)
3.00
3.90
3.00
3.00
2.90
3.00
3.00
3.00
3.00
3.00
过电流
检测电压
（毫伏）
200
200
200
150
120
150
150
200
200
200
部件号标记
每个设备都标有四个字母的代码。前三个字母
指定的产品。第四个字母，用“X” ，代表的是一个日期
跟踪代码。
产品型号
NE57600YD
NE57600BD
NE57600CD
NE57600DD
NE57600ED
NE57600FD
NE57600GD
NE57600HD
NE57600WD
NE57600JD
记号
AFAx
AFBx
AFCx
AFDX
AFEX
AFFX
AFGx
AFHx
AFJx
AFKx
引脚配置
VM
V
CC
C
DLY
1
2
3
6
5
4
DF
GND
CF
SL01549
图2.引脚配置。
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
VM
V
CC
C
DLY
CF
GND
DF
描述
监测端。检测到过流和
存在一个充电器。
正电源电压输入引脚。连接
电池的正极端子。
充电时间延迟引脚。电容器
连接到该引脚可设置延时。
充电FET引脚。该驱动器的门
充电控制N沟道FET 。
接地引脚。连接到负端
的细胞。
放电检测引脚。此驱动栅极
放电N沟道FET 。
2001年10月3日
3
飞利浦半导体
产品数据
用一节锂离子电池保护
在/装载不足和过电流保护
NE57600
最大额定值
符号
V
IN
V
CF （最大值）
V
虚拟机（最大）
T
AMB
T
英镑
P
D
输入电压
CF引脚电压
VM端子的电压
工作环境温度范围
储存温度
功耗
参数
分钟。
–0.3
–
–
–20
–40
–
马克斯。
+18
V
CC
– 28
V
CC
– 28
+70
+125
200
单位
V
V
V
°C
°C
mW
电气特性
特性测量和T
AMB
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
OV （ TH ）
V
OV （ HYST ）
V
UV（日）
V
紫外线（相对）
V
OC （日）
V
OC （ REL ）
V
SC
t
DLY （OD）的
t
OC （ DT ）
t
DLY （ SC ）
t
奥菱（ OV ）
V
GDH
I
DFH1
I
DFH2
I
DFL1
I
DFL2
I
CF1
I
CF2
V
ST
V
亲
V
OV
参数
消耗电流1
消耗电流2
电流消耗3
电流消耗4
电流消耗5
过充电电压
过充电滞后
过放电压
释放过放电模式
过电流检测水平
释放过电流电平
释放过电流模式条件
总之检测水平
过放死区时间
过电流死区时间
短检测延迟时间
过充电死区时间
DF引脚低电平
DF端子源极电流1
DF端子源极电流2
DF端子吸收电流1
DF端子吸收电流2
CF引脚源电流1
CF端子源极电流2
开始触发电压
过电压充电保护
OV充电电压最低
VM ： 0 V
→
0.5 V
VM ： 0 V
→
2 V
C
TD
= 0.01
F
V
CC
= 3.6 V
V
DF
= V
CC
– 1.0 V
V
DF
= V
CC
– 0.3 V
V
VM
> 1.0 V ; V
DF
= 1.0 V
V
VM
> 1.0 V ; V
DF
= 0.3 V
V
CF
= V
CC
– 1.0 V
V
CF
= V
CC
– 0.3 V
V
VM
: 0 V
→
–0.5 V
V
CC
= 3.6 V ， GND之间-VM电压
V
CC
= 0 V ;充电器电压
–0.2
–1.5
50
30
50
V
CC
–0.3
7.0
7.0
V
VM
: L
→
H
V
VM
: H
→
L
负载条件
条件
V
CC
= 3.6 V ：设置
CF- GND之间： 910 kΩ的连接
V
CC
只有IC ： = 3.6 V
CF- GND之间： 910 kΩ的连接
V
CC
= 3.6 V ：放电FET关闭
CF- GND之间： 910 kΩ的未连接
V
CC
= 1.9 V ：放电FET关闭
CF- GND之间： 910 kΩ的未连接
V
CC
= 4.5 V ：设置
CF- BG之间： 910 kΩ的连接
T
AMB
= 0
°C
50
°C
V
CC
: L
→
H
V
CC
: H
→
L
V
CC
: H
→
L
4.325
100
2.30
2.88
174
分钟。
典型值。
10.0
6.0
待定
0.05
35
4.350
200
2.40
3.00
200
130
50
1.3
10.0
10.0
0.02
100
V
CC
–0.1
–100
–0.40
300
100
–20
–15
–0.1
–2.5
2.0
–10
–5
0
–3.0
3.0
15.0
15.0
0.20
150
V
CC
–30
–0.07
马克斯。
14.0
10.0
待定
0.3
60
4.375
300
2.50
3.12
226
单位
A
A
A
A
A
V
mV
V
V
mV
mV
M
V
ms
ms
ms
ms
V
A
A
A
A
A
A
V
V
V
2001年10月3日
4
飞利浦半导体
产品数据
用一节锂离子电池保护
在/装载不足和过电流保护
NE57600
典型性能曲线
10
6.0
过充电的死区时间（秒）
5.0
电源电流， ICC（
A)
1
4.0
3.0
0.1
2.0
1.0
0.0
0.01
0.01
0.1
外部电容（ μF ）
1
电源电压，V
CC
(V)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
SL01550
SL01552
网络连接gure 3 。
过电压延时与
图5.电源电流与电源电压。
外部电容。
60
50
电源电流， ICC（
A)
40
V
CC
: H
→
L
30
20
10
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
电源电压，V
CC
(V)
SL01551
图4中。
电源电流与电源电压。
2001年10月3日
5
集成电路
NE57600
单节锂离子电池保护
超过/装载不足和过流
保护
产品数据
在集成电路的文件，标准模拟
2001年10月3日
飞利浦
半导体
飞利浦半导体
产品数据
用一节锂离子电池保护
在/装载不足和过电流保护
NE57600
概述
该NE57600系列是小型，高精度的锂离子
提供保护，防止对电池的保护装置
过充电，过放电，短路的破坏作用，并
过大的电流消耗，例如，如果是发生消费
使用该电池为它并不意味着动力的装置。该
NE57600是单节锂离子电池保护IC 。
该NE57600过压和欠压精度修剪成内
±25
毫伏（5％） ，并且可用于匹配的所有要求
目前市场上生产的锂离子电池。
特点
修剪过电压跳闸点内
±25
mV
可编程的过压跳闸延时
修整欠压脱扣点内
±25
mV
非常低的欠压睡眠静态电流0.05毫安
放电过电流切断
低工作电流（ 10
毫安）
非常小的SOT- 26A封装
简化的系统框图
应用
掌上设备
保护单节锂离子电池组为手机或
V+
+
V
CC
2
C
DLY
锂离子电池
3
NE57600
1
VM
充电器
OR
装载机
GND
5
DF
6
CF
4
–
V–
放电
FET
收费
FET
SL01548
图1.简化的系统框图。
2001年10月3日
2
853-2294 27198
飞利浦半导体
产品数据
用一节锂离子电池保护
在/装载不足和过电流保护
NE57600
订购信息
包
类型编号
NE57600XD
名字
SOT-26A
描述
小外形塑料表面贴装， 6针
温度
范围
-20至+70
°C
注意：
该器件具有10保护参数的选项，通过所指示的
X
编码顺序，并定义如下表所示。
IN THE NE57600系列典型保护参数
产品型号
NE57600Y
NE57600D
NE57600E
NE57600F
NE57600C
NE57600G
NE57600W
NE57600H
NE57600J
NE57600B
过度充电
检测电压（ V）
4.200
4.200
4.250
4.250
4.280
4.295
4.300
4.325
4.325
4.350
过度充电
检测滞后
电压（毫伏）
200
200
200
150
200
150
150
200
200
200
过放电
检测电压
(V)
2.3
2.3
2.3
2.4
2.3
2.4
2.4
2.5
2.5
2.4
过放电
电压恢复
(V)
3.00
3.90
3.00
3.00
2.90
3.00
3.00
3.00
3.00
3.00
过电流
检测电压
（毫伏）
200
200
200
150
120
150
150
200
200
200
部件号标记
每个设备都标有四个字母的代码。前三个字母
指定的产品。第四个字母，用“X” ，代表的是一个日期
跟踪代码。
产品型号
NE57600YD
NE57600BD
NE57600CD
NE57600DD
NE57600ED
NE57600FD
NE57600GD
NE57600HD
NE57600WD
NE57600JD
记号
AFAx
AFBx
AFCx
AFDX
AFEX
AFFX
AFGx
AFHx
AFJx
AFKx
引脚配置
VM
V
CC
C
DLY
1
2
3
6
5
4
DF
GND
CF
SL01549
图2.引脚配置。
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
VM
V
CC
C
DLY
CF
GND
DF
描述
监测端。检测到过流和
存在一个充电器。
正电源电压输入引脚。连接
电池的正极端子。
充电时间延迟引脚。电容器
连接到该引脚可设置延时。
充电FET引脚。该驱动器的门
充电控制N沟道FET 。
接地引脚。连接到负端
的细胞。
放电检测引脚。此驱动栅极
放电N沟道FET 。
2001年10月3日
3
飞利浦半导体
产品数据
用一节锂离子电池保护
在/装载不足和过电流保护
NE57600
最大额定值
符号
V
IN
V
CF （最大值）
V
虚拟机（最大）
T
AMB
T
英镑
P
D
输入电压
CF引脚电压
VM端子的电压
工作环境温度范围
储存温度
功耗
参数
分钟。
–0.3
–
–
–20
–40
–
马克斯。
+18
V
CC
– 28
V
CC
– 28
+70
+125
200
单位
V
V
V
°C
°C
mW
电气特性
特性测量和T
AMB
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
OV （ TH ）
V
OV （ HYST ）
V
UV（日）
V
紫外线（相对）
V
OC （日）
V
OC （ REL ）
V
SC
t
DLY （OD）的
t
OC （ DT ）
t
DLY （ SC ）
t
奥菱（ OV ）
V
GDH
I
DFH1
I
DFH2
I
DFL1
I
DFL2
I
CF1
I
CF2
V
ST
V
亲
V
OV
参数
消耗电流1
消耗电流2
电流消耗3
电流消耗4
电流消耗5
过充电电压
过充电滞后
过放电压
释放过放电模式
过电流检测水平
释放过电流电平
释放过电流模式条件
总之检测水平
过放死区时间
过电流死区时间
短检测延迟时间
过充电死区时间
DF引脚低电平
DF端子源极电流1
DF端子源极电流2
DF端子吸收电流1
DF端子吸收电流2
CF引脚源电流1
CF端子源极电流2
开始触发电压
过电压充电保护
OV充电电压最低
VM ： 0 V
→
0.5 V
VM ： 0 V
→
2 V
C
TD
= 0.01
F
V
CC
= 3.6 V
V
DF
= V
CC
– 1.0 V
V
DF
= V
CC
– 0.3 V
V
VM
> 1.0 V ; V
DF
= 1.0 V
V
VM
> 1.0 V ; V
DF
= 0.3 V
V
CF
= V
CC
– 1.0 V
V
CF
= V
CC
– 0.3 V
V
VM
: 0 V
→
–0.5 V
V
CC
= 3.6 V ， GND之间-VM电压
V
CC
= 0 V ;充电器电压
–0.2
–1.5
50
30
50
V
CC
–0.3
7.0
7.0
V
VM
: L
→
H
V
VM
: H
→
L
负载条件
条件
V
CC
= 3.6 V ：设置
CF- GND之间： 910 kΩ的连接
V
CC
只有IC ： = 3.6 V
CF- GND之间： 910 kΩ的连接
V
CC
= 3.6 V ：放电FET关闭
CF- GND之间： 910 kΩ的未连接
V
CC
= 1.9 V ：放电FET关闭
CF- GND之间： 910 kΩ的未连接
V
CC
= 4.5 V ：设置
CF- BG之间： 910 kΩ的连接
T
AMB
= 0
°C
50
°C
V
CC
: L
→
H
V
CC
: H
→
L
V
CC
: H
→
L
4.325
100
2.30
2.88
174
分钟。
典型值。
10.0
6.0
待定
0.05
35
4.350
200
2.40
3.00
200
130
50
1.3
10.0
10.0
0.02
100
V
CC
–0.1
–100
–0.40
300
100
–20
–15
–0.1
–2.5
2.0
–10
–5
0
–3.0
3.0
15.0
15.0
0.20
150
V
CC
–30
–0.07
马克斯。
14.0
10.0
待定
0.3
60
4.375
300
2.50
3.12
226
单位
A
A
A
A
A
V
mV
V
V
mV
mV
M
V
ms
ms
ms
ms
V
A
A
A
A
A
A
V
V
V
2001年10月3日
4
飞利浦半导体
产品数据
用一节锂离子电池保护
在/装载不足和过电流保护
NE57600
典型性能曲线
10
6.0
过充电的死区时间（秒）
5.0
电源电流， ICC（
A)
1
4.0
3.0
0.1
2.0
1.0
0.0
0.01
0.01
0.1
外部电容（ μF ）
1
电源电压，V
CC
(V)
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
SL01550
SL01552
网络连接gure 3 。
过电压延时与
图5.电源电流与电源电压。
外部电容。
60
50
电源电流， ICC（
A)
40
V
CC
: H
→
L
30
20
10
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
电源电压，V
CC
(V)
SL01551
图4中。
电源电流与电源电压。
2001年10月3日
5
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NCP15WD683J03RC
NLSX3012DR2G
NTP45N06
NM24C03LZEN
NAND512W4A2CZA1
NT256D64S8HA0G-75B
NCV8452STT3G
NSL782
NAND128R4A0AZA1T
N74F00D
NJM2880U25
NLAS4053
N21120Q1EN1S
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    NE57600
    -
    -
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