数据表
NE5550779A
硅功率LDMOS FET
特点
R09DS0040EJ0300
Rev.3.00
2013年3月12日
高输出功率
: P
OUT
= 38.5 dBm的典型。 （V
DS
= 7.5 V，I
DSET
= 140 mA时， F = 460兆赫，P
in
= 25 dBm的）
高功率附加效率：
η
添加
= 66 ％ TYP 。 （V
DS
= 7.5 V，I
DSET
= 140 mA时， F = 460兆赫，P
in
= 25 dBm的）
高线性增益
: G
L
= 22.0分贝TYP 。 （V
DS
= 7.5 V，I
DSET
= 140 mA时， F = 460兆赫，P
in
= 10 dBm的）
高ESD耐受性
适用于VHF到UHF波段AB类功率放大器。
应用
150 MHz频段无线电系统
460 MHz频段的无线电系统
900 MHz频段的无线电系统
订购信息
产品型号
NE5550779A
订单号
NE5550779A-A
包
79A
（无铅）
记号
W8
供给方式
12mm宽压纹带卷
门销朝向带的穿孔侧
NE5550779A-T1
12mm宽压纹带卷
门销朝向带的穿孔侧
数量1千件/卷
NE5550779A - T1A NE5550779A - T1A -A
12mm宽压纹带卷
门销朝向带的穿孔侧
数量5千件/卷
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号： NE5550779A
NE5550779A-T1-A
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
操作中过量的这些参数中的任何一个可能会造成永久性的损坏。
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
（50％占空比脉冲）
总功耗
记
通道温度
储存温度
注意：
在T值
C
= 25°C
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
DS-脉冲
P
合计
T
ch
T
英镑
评级
30
6.0
2.1
4.2
17.8
150
55
+150
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
小心
观察时处理，因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
R09DS0040EJ0300 Rev.3.00
2013年3月12日
分页： 15 1
NE5550779A
推荐工作范围（T
A
= 25°C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
输入功率
符号
V
DS
V
GS
I
DS
P
in
测试条件
分钟。
–
1.65
–
–
典型值。
7.5
2.20
1.4
25
马克斯。
9.0
2.85
–
30
单位
V
V
A
DBM
F = 460兆赫，V
DS
= 7.5 V
电气特性（T
A
= 25 ° C，除非另有规定编）
参数
DC特性
门源漏电流
漏极至源极漏电流
（零电压门漏电流）
栅极阈值电压
漏源击穿电压
跨
热阻
射频特性
输出功率
漏电流
功耗效率
功率附加效率
线性增益
负载VSWR容差
符号
I
GSS
I
DSS
V
th
BV
DSS
G
m
R
th
P
OUT
I
DS
测试条件
V
GS
= 6.0 V
V
DS
= 25 V
V
DS
= 7.5 V，I
DS
= 1.0毫安
I
DS
= 10
μ
A
V
DS
= 7.5 V，I
DS
= 490 ± 70毫安
渠道情况
F = 460兆赫，V
DS
= 7.5 V,
P
in
= 25 dBm时，
I
DSET
= 140 MA（ RF OFF）
分钟。
1.15
25
1.26
37.0
典型值。
1.65
38
1.54
7.0
38.5
1.38
68
66
22.0
无破坏
马克斯。
100
10
2.25
2.03
单位
nA
μ
A
V
V
S
° C / W
DBM
A
%
%
dB
η
d
η
添加
G
L
注1
注2
输出功率
漏电流
功耗效率
功率附加效率
线性增益
输出功率
漏电流
功耗效率
功率附加效率
线性增益
注：1 。
2.
3.
4.
P
OUT
I
DS
η
d
η
添加
G
L
注3
P
OUT
I
DS
F = 460兆赫，V
DS
= 9.0 V,
P
in
= 25 dBm时，
I
DSET
= 140 MA（ RF OFF）
负载VSWR = 20 ： 1 （全期）
F = 157兆赫，V
DS
= 7.5 V,
P
in
= 23 dBm时，
I
DSET
= 140 MA（ RF OFF）
η
d
η
添加
G
L
注4
F = 900兆赫，V
DS
= 7.5 V,
P
in
= 27 dBm时，
I
DSET
= 140 MA（ RF OFF）
38.5
1.36
69
67
24.0
37.4
1.26
58
53
17.0
DBM
A
%
%
dB
DBM
A
%
%
dB
P
in
= 10 dBm的
这些特征值是测量使用测量工具特别是瑞萨。
P
in
= 5 dBm的
P
in
= 10 dBm的
备注
DC性能是100％的测试。 RF性能，每片晶圆测试几个样品。
晶圆拒绝准则标准的设备是1拒绝了几个样品。
R09DS0040EJ0300 Rev.3.00
2013年3月12日
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NE5550779A
典型特性曲线1 （T
A
= 25°C)
R:
IM ：
F = 460MHZ ，V
DS
= 3.6 / 4.5 / 6 / 7.5 / 9 V，I
DSET
= 140毫安， P
in
= 0 30 dBm的
F1 = 460MHZ ， F2 = 461兆赫，V
DS
= 3.6 / 4.5 / 6 / 7.5 / 9 V，I
DSET
= 140毫安，P
OUT
（2音）= 12到37 dBm的
输出功率大，漏电流
随输入功率
45
40
35
30
P
OUT
- 3.6 V
P
OUT
- 4.5 V
P
OUT
- 6 V
P
OUT
- 7.5 V
P
OUT
- 9 V
3.0
2.7
2.4
30
2.1
40
功率增益，功率附加
效率与输入功率
G
p
- 3.6 V
G
p
- 4.5 V
G
p
- 6 V
G
p
- 7.5 V
G
p
- 9 V
η
加 - 3.6 V
η
加 - 4.5 V
η
加 - 6 V
η
加 - 7.5 V
η
加 - 9 V
80
35
70
25
20
15
10
5
0
–5
–5
I
DS
- 3.6 V
I
DS
- 4.5 V
I
DS
- 6 V
I
DS
- 7.5 V
I
DS
- 9 V
1.8
1.5
1.2
0.9
漏电流I
DS
(A)
25
50
20
40
15
30
10
0.6
0.3
0.0
35
5
20
10
0
5
10
15
20
25
30
0
–5
0
5
10
15
20
25
30
35
0
输入功率P
in
（ dBm的）
输入功率P
in
（ dBm的）
2f
0
与输出功率
0
2f
0
- 3.6 V
2f
0
- 4.5 V
2f
0
- 6 V
2f
0
- 7.5 V
2f
0
- 9 V
IM
3
/ IM
5
与双音输出功率
0
IM
3
- 3.6 V
IM
3
- 4.5 V
IM
3
- 7.5 V
IM
3
- 9 V
IM
5
- 3.6 V
IM
5
- 4.5 V
IM
5
- 7.5 V
IM
5
- 9 V
IM
3
- 6 V
IM
5
- 6 V
–10
3 / 5阶互调失真IM
3
/ IM
5
（ DBC）
–10
–20
第二谐波2F
0
（ DBC）
–20
–30
–30
–40
–40
–50
–50
–60
–60
–70
15
20
25
30
35
40
45
–70
10
15
20
25
30
35
40
输出功率P
OUT
（ dBm的）
2音输出功率P
OUT
（2音）（ dBm的）
备注
该图表显示的标称特性。
R09DS0040EJ0300 Rev.3.00
2013年3月12日
第15个5
功率附加效率
η
添加
(%)
60
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益G
P
（ dB）的
QQ：2881677436 复制
