飞利浦半导体公司线性产品
产品speci fi cation
LVDT信号调节器
NE/SA/SE5521
描述
该NE / SA / SE5521是一个信号调节电路与使用
线性差动变压器（ LVDT传感器）和旋
可变差动变压器（ RVDT相） 。该芯片包括一个低
变形，振幅稳定的正弦波振荡器的可编程
频率来驱动LVDT / RVDT的初级，一个同步
解调器来转换将LVDT / RVDT输出的振幅和相位
的位置信息，以及输出放大器，以提供
放大和解调后的信号的滤波。
销刀豆网络gurations
F，N包
AMP OUT 1
+ IN 2
-IN 3
LVDT年4
解调输出5
SYNC 6
18 V+
17 C
T
16 V
REF
15反馈
14 OSC
13 OSC
12 V
REF/2
11 R
T
10北卡罗来纳州
顶视图
特点
7 GND
北卡罗来纳州8
北卡罗来纳州9
低失真
单电源5V至20V或双电源供电
±2.5V
to
±10V
振荡频率为1kHz到20kHz
能比例操作
低功耗（典型值为182mV ）
应用
D
1
包
AMP OUT 1
+ IN 2
-IN 3
LVDT年4
解调输出5
SYNC 6
7 GND
北卡罗来纳州8
顶视图
注意：
1. SOL - 发布大只SO封装。
16 V+
15 C
T
14 V
REF
13反馈
12 OSC
11 OSC
10 V
REF/2
9 R
T
LVDT信号调理
RVDT信号调理
LPDT信号调理
桥电路
订购信息
描述
18引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
16引脚小外形大（ SOL ）套餐
18引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
18引脚陶瓷双列直插封装（ CERDIP ）
16引脚的陶瓷双列直插封装（ CERDIP ）
温度范围
0至+ 70°C
0至+ 70°C
-40至+ 85°C
-55到+ 125°C
-40至+ 85°C
订货编号
NE5521N
NE5521D
SA5521N
SE5521F
SA5521D
DWG ＃
0407A
0171B
0407A
0583A
0582B
绝对最大额定值
符号
V
CC
电源电压
分离电源电压
工作温度范围
NE5521
SA5521
SE5521
存储温度范围
功耗
1
参数
等级
+20
±10
0到70
-40至+85
-55到+125
-65到+125
910
单位
V
V
°C
°C
°C
°C
mW
T
A
T
英镑
P
D
注意事项：
1.对于降级，见典型功耗与负载曲线（图1 ） 。
1994年8月31日
901
853-0043 13721
飞利浦半导体公司线性产品
产品speci fi cation
LVDT信号调节器
NE/SA/SE5521
框图
V
REF
16
15
反馈
10k
10k
17
C
T
R
T
V+
11
10k
18
10k
In
+ IN
AMP
OUT
3
–
2
1
+
同步
解调器
辅助放大器
4
6
7
OSC
正弦
CONV
–
+
–
+
14
12
V
REF
/2
GND / V-
LVDT IN
SYNC
OSC
13
OSC
5
DOMOD OUT
注意：
引脚数是F，N包。
引脚定义， D，F和N套餐
PIN号
D
1
2
3
4
5
6
7
8
--
--
9
10
F，N
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
符号
AMP OUT
+ IN
In
LVDT IN
解调输出
SYNC
GND
NC
NC
NC
R
T
V
REF
/2
辅助放大器输出。
辅助放大器的非反相输入端。
辅助放大器的反相输入。
输入从LVDT / RVDT次级同步解调器。
从脉动同步解调器输出的直流输出。该电压前应进行过滤
使用。
同步输入同步解调器。这个输入端应连接到OSC或
OSC输出。同步是参考V
REF
/2.
设备的回报。应连接到系统接地或负电源。
无内部连接。
无内部连接。
无内部连接。
温度稳定18kΩ时电阻应连接在此引脚与引脚7之间。
二分之一的潜力应用到V的高阻抗源
REF
。该LVDT / RVDT二次回
应到了这一点。旁路电容与低阻抗在振荡频率也应
连接在此引脚与地之间。
振荡器的正弦波输出，在180°的相位与振荡器信号。该LVDT / RVDT主要是
通常连接在OSC和OSC引脚之间。
振荡器正弦波输出。该LVDT / RVDT初选通常是连接在OSC和OSC之间
销。
通常连接到OSC输出增益，该引脚和OSC之间的电阻，一个BE-
Tween会在此引脚与地能提供为振荡器输出引脚幅度的变化。
参考电压输入为振荡器和正弦转换器。这个电压必须稳定，绝不能
超过+ V电源电压。
振荡器频率确定电容。连接在此引脚与地之间应电容器
是一个温度稳定的类型。
正电源连接。
德网络nition
11
12
13
14
15
16
13
14
15
16
17
18
OSC
OSC
反馈
V
REF
C
T
+V
1994年8月31日
902
飞利浦半导体公司线性产品
产品speci fi cation
LVDT信号调节器
NE/SA/SE5521
DC电气特性
V+ = V
REF
= 10V ，T
A
= 0 70℃的NE5521 ，T
A
= -55 + 125 ℃， SE5521 ，T
A
= -40 85 ℃， SA5521 ，频率= 1kHz时，除非
另有说明。
符号
V
CC
I
REF
V
REF
P
D
参数
电源电流
参考电流
参考电压范围
功耗
V
REF
8.8
1.5
0.4
0.005
T
A
= 25°C
±0.9
0.05
2.5
300
5V
P-P
输入
170
±0.05
V
REF
2
±1.4
5
–600
–234
±0.1
±0.5
–600
100
A
V
= 1
R
L
= 10k
T
A
= 25°C
7
–210
10
385
1.3
1.6
8.2
42
100
7
50
100
±1
±5
–500
±0.1
300
±3
0.01
±5
5
182
测试条件
NE5521
民
典型值
12.9
5.3
最大
20
8
V+
280
5
182
V
REF
8.8
1.5
0.4
0.005
±0.9
0.05
3.3
170
±0.05
V
REF
2
±1.4
5
–500
–234
±0.1
±0.5
–210
10
385
1.3
1.6
8.2
42
100
50
±1
±5
±0.1
±3
0.01
±5
民
SA/SE5521
典型值
12.9
5.3
最大
18
8
V+
260
单位
mA
mA
V
mW
振荡器部分
振荡器输出
THD
正弦波失真
最初的幅度误差
振幅温度系数
INIT 。振荡器频率的准确性。
温度COEFF 。频率
1
电压COEFF 。频率
闵OSC （ OSC ）负载
2
R
L
= 10k
空载
T
A
= 25°C
V
RMS
%
%
%/°C
%
%/°C
%/V(V
REF
)
％ FS
V
P-P
±5
25
mV
V/
5
C
nA
%
mV
nA
nA
V / MV
V / μs的
兆赫
V
mA
解调器部分
∈
r
线性误差
最大解调器输入
V
OS
TCV
OS
I
BIAS
解调器的失调电压
解调器的失调电压漂移
解调器的输入电流
V
R/2
准确性
±5
25
辅助输出放大器
V
OS
I
BIAS
I
OS
A
V
SR
GBW
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
收益
压摆率
单位增益带宽积
输出电压摆幅
输出短路电流为
地面或到V
CC
注意事项：
1.这是频率为仅在设备的温度系数。假定
T
和R
T
是固定的值和C
T
泄漏被固定在
的工作温度范围。
的量的失真是有保证2.最小负载阻抗为小于5％。
1994年8月31日
903
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产品speci fi cation
LVDT信号调节器
NE/SA/SE5521
条款的德网络nition
振荡器输出
正弦波失真
在振荡器输出端的交流电压的RMS值。此输出参考V
REF/2
并且是作为V的函数
REF
.
振荡器的输出在无负载的总谐波失真（THD） 。这不是一个
关键指标的LVDT / RVDT系统。这个数字可能是15 ％或更多，而不
影响系统性能。
的NE / SA / SE5521部件中的任一项不具特征的互换性的量度
的一部分。它是在何种程度上的一个数NE / SA / SE5521样品的振荡器输出
将来自该样品的中值变化。
另一项措施单独NE / SA / SE5521零件的互换性。这是
程度的一些网元的振荡器频率/ SA / SE5521样本将随
从与给定的定时电容器样品的中值。
振荡器的振幅随环境温度的变化如何衡量
温度偏离25 ℃的环境温度。
的振荡频率随周围温度作为如何变化的一种度量
温度偏离25 ℃的环境温度。
到的振荡频率将随着参考电压的程度（Ⅴ
REF
)
偏离+ 10V 。
最小负载阻抗的量的失真被保证是小于5％ 。
到该解调器/放大器组合的直流输出匹配程度
改变交流信号在解调器的输入。它被测量为最坏的情况
非线性从一个直线正负满量程端点之间绘制。
可以施加到解调器的输入，而不会超出最大信号
指定的线性误差。
最初的幅度误差
振荡器频率的初始准确度
振荡幅度的温度系数
振荡器频率的温度系数
振荡器频率的电压系数
闵OSC （ OSC ）负载
线性误差
最大解调器输入
应用信息
OSC频率
+
V
REF
*
1.3V
V
REF
(R
T
)
1.5K ）C
T
2000
器件的功耗（MW ）
1000
800
700
600
500
400
300
200
100
0.2
10V
5V
0.4
0.6
0.8
1 2
3
15V
V
REF
= V+ = 20V
PD
最大
（N包）
在T
A
= 70℃ ，T
J（下最大）
= +150°C
PD
最大
（ SO封装）
在T
A
= + 85°C ，T
J（下最大）
= +150°C
PD
最大
（F套餐）
在T
A
≤ + 125°C ，T
J（下最大）
= +165°C
PD
最大
（F套餐）
在T
A
≤ + 125°C ，T
J（下最大）
= +150°C
OSC - OSC LOAD （千欧）
图1.设备功耗与OSC - OSC负载在+ 25°C
1994年8月31日
904
QQ：2880707522 复制
