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飞利浦半导体公司线性产品
产品speci fi cation
双路高性能运算放大器
NE/SA/SE5512
描述
在5512系列高性能运算放大器提供
很不错的输入特性。这些放大器具有低输入
偏压和电压特性诸如108的运算放大器
提高共模抑制比，实现了高差分输入电压限制
通过采用一个偏置消除和PNP输入电路的同
集电极 - 发射极间的夹紧。输出特性都喜欢
那些一个741的运算放大器具有改进的压摆率和驱动能力，
还具有低电源静态电流。
销刀豆网络gurations
N包装
输出1
-INPUT 1
+ INPUT 1
V-
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
V+
输出2
-INPUT 2
+ INPUT 2
应用
AC放大器
RC有源滤波器
传感器放大器
DC增益模块
电池操作
仪表放大器器
特点
包
1
+ INPUT 1
V-
+ INPUT 2
-INPUT 2
1
2
3
4
2
1
8
7
6
5
-INPUT 1
输出1
V+
输出2
顶视图
注意：
1. D封装的引脚并不功能相同
到N的引脚。
低输入偏置<
±20nA
低输入偏置电流<
±20nA
低输入偏移电压<1mV
VOS低温度漂移5μV / ℃，
低输入偏置温度漂移40PA /°C的
低输入电压噪声30nV / √Hz的
低电源电流1.5毫安/放大器
高转换速率1.0V / μs的
高CMRR 100分贝
订购信息
描述
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料小外形（ SO ）封装
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
8引脚塑料双列直插式封装（ DIP ）
高输入阻抗100MΩ
高PSRR 110分贝
高差分输入电压限制
无交越失真
无限制的输出短路保护
内部补偿为单位增益
600Ω驱动能力
MIL -STD处理提供
温度范围
0至70℃
0至70℃
-40至+ 85°C
-40至+ 85°C
-55到+ 125°C
订货编号
NE5512D
NE5512N
SA5512D
SA5512N
SE5512N
DWG ＃
0174C
0404B
0174C
0404B
0404B
1994年8月31日
78
853-0948 13721
飞利浦半导体公司线性产品
产品speci fi cation
双路高性能运算放大器
NE/SA/SE5512
绝对最大额定值
符号
V
CC
P
MAX
电源电压
最大功耗，
T
A
= 25 ° C（静止空气中）
1
N包装
包
T
A
工作环境温度范围
NE5512
SA5512
SE5512
T
英镑
T
出售
存储温度范围
焊接温度（ 10秒最大）
0至+70
-40至+85
-55到+125
-65到+150
300
°C
°C
°C
°C
°C
1212
800
mW
mW
参数
等级
±16
单位
V
注意事项：
1.以下的降额系数应高于25 °C的应用
N包装，为9.7mW /°C的
包在6.4MW /°C的
1994年8月31日
79
飞利浦半导体公司线性产品
产品speci fi cation
双路高性能运算放大器
NE/SA/SE5512
电气性能特点
V
CC
=
±15V,
T
A
= 25℃以上的温度范围内，除非另有规定。
符号
参数
测试条件
R
S
=100
T
A
=+25°C
温度过高。
R
S
=100k
T
A
=+25°C
温度过高。
R
S
=100k
T
A
=+25°C
温度过高。
T
A
=+25°C
T
A
=+25°C
温度过高。
V
CC
=±15V
V
IN
=±13.5V
T
A
=+25°C
V
IN
=±13V
温度过高。
R
L
= 2kΩ的牛逼
A
=25°C
V
O
= ± 10V温度过高。
T
A
=25°C
T
A
=25°C
T
A
=25°C
R
L
=2k
T
A
=25°C
温度过高。
R
L
=600
1
T
A
=25°C
温度过高。
R
L
→打开
T
A
=25°C
温度过高。
温度过高。
F = 1kHz至20kHz的，
T
A
=25°C
f=10kHz
T
A
=25°C
V
O
=7V
RMS
f=1kHz
T
A
=25°C
f=1kHz
T
A
=25°C
±15V,
T
A
=25°C
80
±13
±12.5
±10
±7.5
50
25
0.6
200
1
3
45
±13.5
±13
±11.5
±9
3.4
3.6
100
-120
0.01
5
5.5
80
±13
±12.5
±10
±8
50
25
200
1
3
45
±13.5
±13
±11.5
±9
3.4
3.6
100
-120
0.01
5
5.5
V / MV
V / μs的
兆赫
度
V
70
100
70
100
dB
±13.5
±13
SE5512
民
典型值
0.7
1
4
输入失调电流
3
4
30
输入偏置电流
3
4
30
输入阻抗差动
输入共模范围
100
±13.7
±13.2
±13.5
±13
10
20
10
20
最大
2
3
民
NE/SA5512
典型值
1
1.5
5
6
8
40
6
8
40
100
±13.7
±13.2
20
30
20
30
最大
5
6
单位
V
OS
V
OS
/T
I
OS
I
OS
/T
I
BIAS
I
BIAS
/T
R
IN
V
CM
输入失调电压
mV
μV/°C
nA
PA / ℃，
nA
PA / ℃，
M
V
CMRR
输入共模抑制
比
A
V
SR
GBW
θ
M
V
OUT
大信号电压增益
压摆率
小信号增益频带 -
宽度
相位裕度
输出电压摆幅
V
OUT
输出电压摆幅
V
I
CC
PSRR
AA
电源电流
电源抑制比
放大器对放大器耦合
mA
dB
dB
THD
总谐波失真
%
V
噪音
I
噪音
I
SC
输入噪声电压
输入噪声电流
短路电流
30
0.2
40
30
0.2
40
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
mA
注意事项：
1.不超过最大封装功耗。
1994年8月31日
80
飞利浦半导体公司线性产品
产品speci fi cation
双路高性能运算放大器
NE/SA/SE5512
等效原理图
（ ONE运算放大器）
V+
-V
IN
+V
IN
产量
-V
1994年8月31日
81
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NCP700B
NCP348AEMTTBG
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