初步数据表
3.5 V工作电压硅
RF功率MOSFET 1.9 GHZ NE5510179A
发送放大器
特点
高输出功率：
29.5 dBm的典型
V
DS
= 3.5 V，I
DQ
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，P
IN
= 22 dBm的
高线性增益：
11分贝TYP
V
DS
= 3.5 V，I
DQ
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，P
IN
= 5dBm的
高功率附加效率：
50 ％ TYP
V
DS
= 3.5 V，I
DQ
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，P
IN
= 22 dBm的
单电源：
2.8 6.0 V
表面贴装封装：
5.7
x
5.7
x
1.1毫米MAX
4.2最大
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
1.5 – 0.2
来源
来源
5.7最大
0.6 – 0.15
X
门
漏
0.8 – 0.15
4.4 MAX
门
1.0 MAX
漏
1.2 MAX
0.8最大
3.6 – 0.2
5.7最大
8
0.4 – 0.15
描述
该NE5510179A是一个N沟道硅功率MOSFET
专门设计作为传输驱动放大器3.5
V GSM1800和GSM 1900手机。模具制造
使用NEC的NEWMOS技术（ NEC的0.6
m
门的WSi
横向MOSFET ），并装在一个表面安装封装。
该器件可提供29.5 dBm的输出功率， 50 ％的电力
在在3.5 V电源电压1.9 GHz的附加效率，
或者可以在2.8 V通过改变提供29 dBm的输出功率
栅极电压作为电源控制功能。
应用
数字蜂窝电话：
3.5 V GSM 1800 / GSM 1900 1级手机
其他：
1.6 - 2.0 GHz的TDMA的应用
电气特性
(T
A
产品型号
包装外形
符号
I
GSS
I
DSS
V
TH
gm
R
DS （ ON）
BV
DSS
特征
栅极 - 源极漏电流
漏极至源极漏电流
栅极阈值电压
跨
漏极至源极导通电阻
漏极至源极击穿电压
V
= 25°C)
NE5510179A
79A
单位
nA
nA
V
S
民
典型值
0.9 – 0.2
最大
100
100
0.2 – 0.1
测试条件
V
GSS
= 6.0 V
V
DSS
= 8.5 V
V
DS
= 3.5 V，I
DS
=
1毫安
V
DS
= 3.5 V，I
DS1
=
300毫安，我
DS2
=
500毫安
V
GS
= 6.0 V, V
DS
=
0.5 V
I
DSS
= 10 A
1.0
1.35
0.82
0.5
2.0
20
24
美国加州东部实验室
NE5510179A
典型的散射参数
1
(T
A
= 25°C)
注意：
1.本文件以及许多其他的S参数文件可以从www.cel.com下载
NE5510179A
V
DS
= 3.5 V，I
DS
= 200毫安
频率
GHz的
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
S
11
MAG
0.83
0.80
0.80
0.81
0.82
0.82
0.83
0.85
0.85
0.86
0.87
0.88
0.88
0.89
0.89
0.90
0.90
0.91
0.90
0.91
0.91
0.91
0.92
0.91
0.91
0.92
0.91
0.92
0.92
0.92
昂
-121.10
-148.10
-158.20
-163.40
-166.80
-169.40
-171.40
-173.40
-175.00
-176.70
-178.40
180.00
178.00
176.50
174.90
172.90
170.90
169.30
167.00
165.10
162.20
160.80
158.30
156.10
153.50
151.50
149.10
147.10
145.00
142.90
MAG
13.84
7.49
4.96
3.67
2.90
2.32
1.96
1.63
1.43
1.23
1.10
0.96
0.86
0.78
0.71
0.65
0.57
0.54
0.49
0.47
0.42
0.39
0.35
0.35
0.31
0.30
0.26
0.27
0.24
0.24
S
21
昂
111.30
93.60
84.60
77.10
71.20
66.20
61.70
57.30
52.60
50.30
46.20
44.30
39.90
38.10
34.20
33.30
29.90
27.10
24.40
23.80
20.50
19.10
15.20
13.40
13.00
12.20
9.50
4.80
6.40
4.80
MAG
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.01
0.00
0.01
S
12
昂
23.50
6.70
-2.60
-8.30
-13.30
-17.20
-18.30
-22.70
-24.60
-24.60
-29.30
-27.90
-28.10
-29.10
-31.70
-35.20
-28.20
-23.90
-23.00
-15.10
-3.70
-4.10
6.00
13.90
15.10
31.80
45.00
48.10
62.00
57.70
MAG
0.65
0.71
0.74
0.75
0.77
0.79
0.80
0.81
0.83
0.84
0.85
0.86
0.87
0.88
0.88
0.89
0.89
0.90
0.90
0.91
0.90
0.91
0.92
0.92
0.92
0.92
0.91
0.94
0.92
0.93
S
22
昂
-154.00
-164.80
-168.50
-170.50
-171.60
-172.70
-173.40
-174.60
-175.50
-176.70
-177.50
-178.90
179.80
178.40
177.60
175.80
174.70
172.50
171.20
169.50
167.80
166.00
163.50
162.00
160.60
157.90
155.70
153.50
152.40
150.20
K
-0.13
-0.12
-0.04
0.07
0.10
0.24
0.34
0.38
0.50
0.59
0.61
0.83
0.90
0.91
0.89
1.27
1.75
1.66
2.29
1.98
4.25
4.63
4.77
3.34
5.26
4.70
5.87
2.45
4.02
2.75
MAG
1
（ dB）的
26.50
23.60
21.80
20.60
19.60
19.00
18.60
18.00
17.80
17.30
17.20
17.00
16.80
16.60
16.20
13.50
11.40
12.20
10.50
11.10
8.60
8.50
7.90
8.30
7.00
6.60
5.00
7.60
5.30
6.60
(
K –
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
司令部
4590帕特里克·亨利·道
圣克拉拉，加利福尼亚州95054-1817
(408) 988-3500
电传34-6393
传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大）
互联网： http://WWW.CEL.COM
07/05/2000
数据可能会有更改，恕不另行通知
初步数据表
3.5 V工作电压硅
RF功率MOSFET 1.9 GHZ NE5510179A
发送放大器
特点
高输出功率：
29.5 dBm的典型
V
DS
= 3.5 V，I
DQ
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，P
IN
= 22 dBm的
高线性增益：
11分贝TYP
V
DS
= 3.5 V，I
DQ
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，P
IN
= 5dBm的
高功率附加效率：
50 ％ TYP
V
DS
= 3.5 V，I
DQ
= 200 mA时， F = 1.9千兆赫，P
IN
= 22 dBm的
单电源：
2.8 6.0 V
表面贴装封装：
5.7
x
5.7
x
1.1毫米MAX
4.2最大
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形79A
1.5 – 0.2
来源
来源
5.7最大
0.6 – 0.15
X
门
漏
0.8 – 0.15
4.4 MAX
门
1.0 MAX
漏
1.2 MAX
0.8最大
3.6 – 0.2
5.7最大
8
0.4 – 0.15
描述
该NE5510179A是一个N沟道硅功率MOSFET
专门设计作为传输驱动放大器3.5
V GSM1800和GSM 1900手机。模具制造
使用NEC的NEWMOS技术（ NEC的0.6
m
门的WSi
横向MOSFET ），并装在一个表面安装封装。
该器件可提供29.5 dBm的输出功率， 50 ％的电力
在在3.5 V电源电压1.9 GHz的附加效率，
或者可以在2.8 V通过改变提供29 dBm的输出功率
栅极电压作为电源控制功能。
应用
数字蜂窝电话：
3.5 V GSM 1800 / GSM 1900 1级手机
其他：
1.6 - 2.0 GHz的TDMA的应用
电气特性
(T
A
产品型号
包装外形
符号
I
GSS
I
DSS
V
TH
gm
R
DS （ ON）
BV
DSS
特征
栅极 - 源极漏电流
漏极至源极漏电流
栅极阈值电压
跨
漏极至源极导通电阻
漏极至源极击穿电压
V
= 25°C)
NE5510179A
79A
单位
nA
nA
V
S
民
典型值
0.9 – 0.2
最大
100
100
0.2 – 0.1
测试条件
V
GSS
= 6.0 V
V
DSS
= 8.5 V
V
DS
= 3.5 V，I
DS
=
1毫安
V
DS
= 3.5 V，I
DS1
=
300毫安，我
DS2
=
500毫安
V
GS
= 6.0 V, V
DS
=
0.5 V
I
DSS
= 10 A
1.0
1.35
0.82
0.5
2.0
20
24
美国加州东部实验室
NE5510179A
典型的散射参数
1
(T
A
= 25°C)
注意：
1.本文件以及许多其他的S参数文件可以从www.cel.com下载
NE5510179A
V
DS
= 3.5 V，I
DS
= 200毫安
频率
GHz的
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10
1.20
1.30
1.40
1.50
1.60
1.70
1.80
1.90
2.00
2.10
2.20
2.30
2.40
2.50
2.60
2.70
2.80
2.90
3.00
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
S
11
MAG
0.83
0.80
0.80
0.81
0.82
0.82
0.83
0.85
0.85
0.86
0.87
0.88
0.88
0.89
0.89
0.90
0.90
0.91
0.90
0.91
0.91
0.91
0.92
0.91
0.91
0.92
0.91
0.92
0.92
0.92
昂
-121.10
-148.10
-158.20
-163.40
-166.80
-169.40
-171.40
-173.40
-175.00
-176.70
-178.40
180.00
178.00
176.50
174.90
172.90
170.90
169.30
167.00
165.10
162.20
160.80
158.30
156.10
153.50
151.50
149.10
147.10
145.00
142.90
MAG
13.84
7.49
4.96
3.67
2.90
2.32
1.96
1.63
1.43
1.23
1.10
0.96
0.86
0.78
0.71
0.65
0.57
0.54
0.49
0.47
0.42
0.39
0.35
0.35
0.31
0.30
0.26
0.27
0.24
0.24
S
21
昂
111.30
93.60
84.60
77.10
71.20
66.20
61.70
57.30
52.60
50.30
46.20
44.30
39.90
38.10
34.20
33.30
29.90
27.10
24.40
23.80
20.50
19.10
15.20
13.40
13.00
12.20
9.50
4.80
6.40
4.80
MAG
0.03
0.03
0.03
0.03
0.03
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.02
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.01
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.00
0.01
0.00
0.01
S
12
昂
23.50
6.70
-2.60
-8.30
-13.30
-17.20
-18.30
-22.70
-24.60
-24.60
-29.30
-27.90
-28.10
-29.10
-31.70
-35.20
-28.20
-23.90
-23.00
-15.10
-3.70
-4.10
6.00
13.90
15.10
31.80
45.00
48.10
62.00
57.70
MAG
0.65
0.71
0.74
0.75
0.77
0.79
0.80
0.81
0.83
0.84
0.85
0.86
0.87
0.88
0.88
0.89
0.89
0.90
0.90
0.91
0.90
0.91
0.92
0.92
0.92
0.92
0.91
0.94
0.92
0.93
S
22
昂
-154.00
-164.80
-168.50
-170.50
-171.60
-172.70
-173.40
-174.60
-175.50
-176.70
-177.50
-178.90
179.80
178.40
177.60
175.80
174.70
172.50
171.20
169.50
167.80
166.00
163.50
162.00
160.60
157.90
155.70
153.50
152.40
150.20
K
-0.13
-0.12
-0.04
0.07
0.10
0.24
0.34
0.38
0.50
0.59
0.61
0.83
0.90
0.91
0.89
1.27
1.75
1.66
2.29
1.98
4.25
4.63
4.77
3.34
5.26
4.70
5.87
2.45
4.02
2.75
MAG
1
（ dB）的
26.50
23.60
21.80
20.60
19.60
19.00
18.60
18.00
17.80
17.30
17.20
17.00
16.80
16.60
16.20
13.50
11.40
12.20
10.50
11.10
8.60
8.50
7.90
8.30
7.00
6.60
5.00
7.60
5.30
6.60
(
K –
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
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MAG =最大可用增益
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07/05/2000
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