初步数据表
C到Ku波段超低
噪声放大器N沟道HJ -FET
特点
超低噪声系数：
0.60分贝典型值在12千兆赫
噪声系数NF （ dB）的
NE425S01
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
24
V
DS
= 2 V
I
D
= 10毫安
GATE长度：
≤
0.20
m
门宽：
200
m
低成本塑料封装
Ga
16
1.0
12
描述
该NE425S01是一个异质结型场效应管，它利用了杂
结打造高电子迁移率。其优越的低噪点
高增益相关使其适用于DBS和其他
商业应用。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
0.5
NF
0
1
2
4
6
8
10
14
20
8
4
30
频率f （ GHz）的
推荐
工作条件
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
I
D
P
in
特征
漏源极电压
漏电流
输入功率
单位最小典型最大
V
mA
DBM
2
10
3
20
0
电气特性
(T
A
= 25°C)
NE425S01
S01
单位
dB
dB
mS
mA
V
A
10.5
45
20
-0.2
民
典型值
0.60
12.0
60
60
-0.7
0.5
90
-2.0
10
最大
0.80
产品型号
包装外形
符号
NF
1
G
A1
g
m
I
DSS
V
GS （ OFF ）
I
GSO
参数和条件
噪声系数，V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
相关的增益，V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
跨导，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
饱和漏极电流，V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
门源截止电压，V
DS
= 2 V，I
D
= 100
A
门源漏电流，V
GS
= -3 V
注意：
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些，当从大量材料50％的设备分别单独
在与输入单独调谐，得到最小值的电路测量的。最高值是在生产线上建立的标准
作为"go -NO- go"筛查调整为"generic"类型，但不是每个标本。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
高相关的增益：
12.0分贝TYP在f = 12 GHz的
20
NE425S01
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形S01
2.0
±
0.2
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
频率。
（千兆赫）
2
4
6
8
10
12
2.0
±
0.2
0.5 TYP 。
NF
民
（ dB）的
0.31
0.34
0.40
0.45
0.52
0.60
0.72
0.86
1.00
G
A
（ dB）的
18.35
16.31
14.56
13.28
12.33
11.11
10.40
9.86
9.63
Γ
选择
MAG
0.93
0.80
0.65
0.49
0.36
0.27
0.24
0.30
0.47
昂
14
29
48
72
102
139
-176
-122
-58
Rn/50
0.38
0.33
0.25
0.18
0.11
0.08
0.07
0.10
0.22
0
2.
1
±
2
0.
2
G
3
0.65典型。
1.9
±
0.2
1.6
14
16
18
4
0.125
±
0.05
最大0.4
4.0
±
0.2
订购信息
部分
数
NE425S01
NE425S01-T1
NE425S01-T1B
供货形式
体积
磁带&卷轴1000件/卷
磁带&卷轴4000件/卷
包
概要
S01
S01
S01
北美的独家代理FOR
1.5 MAX
1.
2.
3.
4.
来源
漏
来源
门
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
数据可能会有更改，恕不另行通知
美国印刷再生纸-12/98
数据表
异质结型场效应晶体管
NE425S01
C到Ku波段超低噪声放大器
N沟道HJ -FET
描述
该NE425S01是一个异质结型场效应管，它利用
异质结打造高电子迁移率。其优异的
低噪声和高增益相关使其适合于星展银行
另有商业系统。
包装尺寸
（单位：毫米）
2.0 ±0.2
特点
超低噪声系数和放大器;关联度高增益
NF = 0.60 dB典型值。 ，G
a
= 12.0分贝TYP 。在f = 12 GHz的
门长度：L
g
≤
0.20
m
闸门宽度：W
g
= 200
m
2.
1
0
±0
.2
0.5 TYP 。
订购信息
产品型号
NE425S01-T1
NE425S01-T1B
供给方式
磁带&卷轴1000件/卷
磁带&卷轴4000件/卷
记号
G
G
3
0.65典型。
1.9 ±0.2
1.6
4
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
T
ch
T
英镑
4.0
–3.0
I
DSS
100
165
125
-65到+125
V
V
mA
1.
2.
3.
4.
来源
漏
来源
门
A
mW
C
C
0.125 ±0.05
0.4MAX
4.0 ±0.2
推荐工作条件（T
A
= 25 C)
特征
漏源极电压
漏电流
输入功率
符号
V
DS
I
D
P
in
分钟。
典型值。
2
10
马克斯。
3
20
0
单位
V
mA
DBM
一号文件P11161EJ3V0DS00 （第3版）
发布日期1996年十月
日本印刷
1.5 MAX
2.0 ±0.2
2
1996
NE425S01
电气特性（T
A
= 25 C)
特征
门源漏电流
饱和漏极电流
门源截止电压
跨
噪声系数
相关的增益
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS （ OFF ）
g
m
NF
G
a
10.5
20
–0.2
45
分钟。
典型值。
0.5
60
–0.7
60
0.60
12.0
0.80
马克斯。
10
90
–2.0
单位
测试条件
V
GS
= –3 V
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 2V ，我
D
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
A
mA
V
mS
dB
dB
典型特征（T
A
= 25 C)
总功耗对比
环境温度
250
100
漏电流与
漏源极电压
P
合计
- 总功率耗散 - 毫瓦
I
D
- 漏电流 - 毫安
200
80
V
GS
= 0 V
60
–0.2 V
40
–0.4 V
20
–0.6 V
–0.8 V
150
100
50
0
50
100
150
200
250
0
1.5
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
3.0
T
A
- 环境温度 - C
漏电流与
栅极至源极电压
24
V
DS
= 2 V
最大可用增益，FORWARD
插入增益与频率
V
DS
= 2 V
I
D
= 10毫安
20
味精。
16
2
I
D
- 漏电流 - 毫安
60
味精。 - 最大稳定增益 - 分贝
MAG 。 - 最大Availabel增益 - 分贝
|S
21S
|
2
- 正向插入增益 - 分贝
40
MAG 。
20
12
|S
21S
|
8
0
–2.0
–1.0
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
0
4
1
2
4
6
8 10
14 20
30
的F - 频率 - GHz的
2
NE425S01
S-参数
V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
开始2 GHz时，停止18 GHz时， STEP 500兆赫
标志
1：4千兆赫
2 ： 8 GHz的
3 ： 12 GHz的
4 ： 16 GHz的
5 ： 18 GHz的
S
11
1.0
0.5
S
12
+90
5
2.0
+135
+45
4
0
∞
±180
1
2
3
5
4
0
3
1
–0.5
2
–1.0
–2.0
–135
–45
R最大。 = 1
–90
R最大。 = 0.2
S
21
+90
S
22
1.0
0.5
2.0
+135
1
2
+45
5
3
4
0
±180
5
4
0
3
2
1
∞
–135
–45
–0.5
–90
–2.0
–1.0
R最大。 = 5
R最大。 = 1
4
QQ：2880707522 复制
