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数据表
NE3520S03
N沟道砷化镓HJ -FET ,K波段低噪声和高增益
特点
低噪声指数和高增益相关:
NF = 0.65 dB典型值。 ,G
a
= 13.5 dB典型值。 @ F = 20千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 10毫安
K波段微-X塑料( S03 )包
R09DS0029EJ0100
Rev.1.00
2011年10月18日
应用
20 GHz频段DBS LNB
其他K波段通信系统
订购信息
产品型号
NE3520S03-T1C
订单号
NE3520S03-T1C-A
S03包
(无铅)
QUANTITY
2千件/卷
记号
J
供给方式
压纹带8mm宽
引脚4 (门)所面临的
带的穿孔侧
NE3520S03-T1D
NE3520S03-T1D-A
10千件/卷
备注
如需订购评估样品,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号: NE3520S03
绝对最大额定值(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
T
ch
评级
4.0
–3.0
I
DSS
100
165
+125
单位
V
V
mA
μA
mW
°C
°C
储存温度
T
英镑
-65到+125
2
注:安装在1.08厘米
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
观察时处理,因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
R09DS0029EJ0100 Rev.1.00
2011年10月18日
第1页8
NE3520S03
推荐工作范围(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
参数
漏源极电压
漏电流
输入功率
符号
V
DS
I
D
P
in
分钟。
+1
5
典型值。
+2
10
马克斯。
+3
15
0
单位
V
mA
DBM
电气特性(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
参数
门源漏电流
饱和漏极电流
栅极到源截止电压
噪声系数
相关的增益
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS (关闭)
gm
NF
G
a
测试条件
V
GS
= –3.0 V
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V,I
D
= 100
μA
V
DS
= 2 V,I
D
= 10毫安
V
DS
= 2 V,I
D
= 10 mA时, F = 20 GHz的
分钟。
25
–0.2
50
11.5
典型值。
0.5
40
–0.7
65
0.65
13.5
马克斯。
10
70
–1.3
0.90
单位
μA
mA
V
mS
dB
dB
R09DS0029EJ0100 Rev.1.00
2011年10月18日
第2页8
NE3520S03
典型特征(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
总功耗
- 环境温度
250
总功耗P
合计
( mW)的
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
( 1.08厘米
2
×
1.0毫米( t))的
200
150
100
50
0
50
100
150
200
250
环境温度T
A
(°C)
漏电流与
漏源极电压
80
70
80
70
漏电流与
栅极至源极电压
V
DS
= 2 V
漏电流I
D
(MA )
50
40
30
20
10
0
0.0
1.0
2.0
漏电流I
D
(MA )
60
V
GS
= 0 V
–0.1
V
–0.2
V
–0.3
V
–0.4
V
–0.5
V
3.0
4.0
60
50
40
30
20
10
0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
最小噪声系数,
相关的增益与频率
1.2
20
最小噪声系数,
相关的增益与漏极电流
1.5
16
F = 20 GHz的
V
DS
= 2 V
G
a
15
14
19
18
最小噪声系数NF
( dB)的
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
10
最小噪声系数NF
( dB)的
V
DS
= 2 V
I
D
= 10毫安
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0
17
16
13
12
15
G
a
11
NF
14
13
12
10
9
8
7
6
25
NF
15
20
25
11
10
5
10
15
20
频率f( GHz)的
漏电流I
D
(MA )
备注
该图表显示的标称特性。
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2011年10月18日
第3页8
相关增益G
a
( dB)的
相关增益G
a
( dB)的
NE3520S03
S-参数
提供在我们的网站的形式( S2P ),使直接导入到微波S参数/噪声参数
电路仿真器没有键盘输入。
点击这里下载S参数。
[RF与微波]
[设备参数]
网址http://www2.renesas.com/microwave/
R09DS0029EJ0100 Rev.1.00
2011年10月18日
第4页8
NE3520S03
RF量具版面样式(仅供参考) (单位:mm )
2.80
2.60
2.06
0.64
S–S2.2mm
0.74
0.54
1.60
基准面
(校准平面)
1.7
1.7
13.0
基准面
(校准平面)
6.0
2.2
φ
0.3 TH
RT / DUROID 5880 / ROGERS
T = 0.254毫米
εr
= 2.20
的tanδ = 0.0009 @ 10 GHz的
金闪存盘
R09DS0029EJ0100 Rev.1.00
2011年10月18日
第5页8
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封装
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操作
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    电话:0755-82780082
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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