数据表
NE3520S03
N沟道砷化镓HJ -FET ,K波段低噪声和高增益
特点
低噪声指数和高增益相关:
NF = 0.65 dB典型值。 ,G
a
= 13.5 dB典型值。 @ F = 20千兆赫,V
DS
= 2 V,I
D
= 10毫安
K波段微-X塑料( S03 )包
R09DS0029EJ0100
Rev.1.00
2011年10月18日
应用
20 GHz频段DBS LNB
其他K波段通信系统
订购信息
产品型号
NE3520S03-T1C
订单号
NE3520S03-T1C-A
包
S03包
(无铅)
QUANTITY
2千件/卷
记号
J
供给方式
压纹带8mm宽
引脚4 (门)所面临的
带的穿孔侧
NE3520S03-T1D
NE3520S03-T1D-A
10千件/卷
备注
如需订购评估样品,请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号: NE3520S03
绝对最大额定值(T
A
= + 25 ℃,除非另有规定)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
记
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
T
ch
评级
4.0
–3.0
I
DSS
100
165
+125
单位
V
V
mA
μA
mW
°C
°C
储存温度
T
英镑
-65到+125
2
注:安装在1.08厘米
×
1.0毫米( t)的玻璃环氧树脂印刷电路板
小心
观察时处理,因为这些器件对静电放电敏感的预防措施。
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NE3520S03
S-参数
提供在我们的网站的形式( S2P ),使直接导入到微波S参数/噪声参数
电路仿真器没有键盘输入。
点击这里下载S参数。
[RF与微波]
→
[设备参数]
网址http://www2.renesas.com/microwave/
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NE3520S03
RF量具版面样式(仅供参考) (单位:mm )
2.80
2.60
2.06
0.64
S–S2.2mm
0.74
0.54
1.60
基准面
(校准平面)
1.7
1.7
13.0
基准面
(校准平面)
6.0
2.2
φ
0.3 TH
RT / DUROID 5880 / ROGERS
T = 0.254毫米
εr
= 2.20
的tanδ = 0.0009 @ 10 GHz的
金闪存盘
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