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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第429页 > NE3512S02-T1C-A
异质结型场效应晶体管
NE3512S02
C到Ku波段超低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
超低噪声指数和高增益相关
NF = 0.35 dB典型值。 ，G
a
= 13.5 dB典型值。 @ F = 12 GHz的
微-X塑料（ S02 ）包
应用
C到Ku波段DBS LNB
其他C到Ku波段通信系统
订购信息
产品型号
NE3512S02-T1C
NE3512S02-T1D
订单号
NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1D-A
包
S02 （无铅）
QUANTITY
2千件/卷
10千件/卷
记号
C
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚4 （门）朝向侧穿孔
带的
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号： NE3512S02
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
记
评级
4
3
I
DSS
100
165
+125
65
+125
单位
V
V
mA
A
mW
°C
°C
T
ch
T
英镑
记
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PG10592EJ01V0DS （第1版）
发布日期2006年2月CP （N ）
NE3512S02
推荐工作条件（T
A
= +25°C)
参数
漏源极电压
漏电流
输入功率
符号
V
DS
I
D
P
in
分钟。
1
5
典型值。
2
10
马克斯。
3
15
0
单位
V
mA
DBM
电气特性（T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
参数
门源漏电流
饱和漏极电流
门源截止电压
跨
噪声系数
相关的增益
符号
I
GSO
I
DSS
V
GS （关闭）
g
m
NF
G
a
V
GS
=
3
V
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V，I
D
= 100
A
V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
测试条件
分钟。
15
0.2
40
12.5
典型值。
0.5
40
0.7
55
0.35
13.5
马克斯。
10
70
2.0
0.5
单位
A
mA
V
mS
dB
dB
2
数据表PG10592EJ01V0DS
NE3512S02
典型特征（T
A
= + 25 ℃，除非另有规定）
总功耗
- 环境温度
250
100
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
（ 1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t））的
漏电流与
漏源极电压
总功耗P
合计
（ mW）的
150
漏电流I
D
（MA ）
200
80
60
V
GS
= 0 V
–0.2
V
20
–0.4
V
–0.6
V
100
40
50
0
50
100
150
200
250
0
1.0
漏极至源极电压V
DS
(V)
2.0
环境温度T
A
(C)
漏电流与
栅极至源极电压
80
V
DS
= 2 V
漏电流I
D
（MA ）
60
40
20
0
–2.0
–1.0
栅极至源极电压V
GS
(V)
0
最小噪声系数，
相关的增益与频率
2.0
25
最小噪声系数，
相关的增益与漏极电流
1.6
16
14
G
a
12
10
8
6
NF
民
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
漏电流I
D
（MA ）
4
2
0
25
最小噪声系数NF
民
（ dB）的
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
2
4
6
8
10
12
NF
民
G
a
相关增益G
a
（ dB）的
1.2
1.0
0.8
0.6
15
10
5
0
18
14
16
频率f（ GHz）的
备注
该图表显示的标称特性。
数据表PG10592EJ01V0DS
3
相关增益G
a
（ dB）的
20
最小噪声系数NF
民
（ dB）的
V
DS
= 2 V
I
D
= 10毫安
F = 12 GHz的
1.4
V
DS
= 2 V
NE3512S02
S-参数
S参数/设置在NEC的复合半导体器件的Web站点中的一种形式的噪声参数
（ S2P ），使直接导入到微波电路仿真器无需键盘输入。
点击这里下载S参数。
[RF与微波]
→
[设备参数]
网址http://www.ncsd.necel.com/
4
数据表PG10592EJ01V0DS
NE3512S02
RF量具版面样式（仅供参考） （单位：mm ）
2.80
2.60
2.06
0.64
1.7毫米/ R.P 。
2.06
0.74
0.54
2.6
基准面
（校准平面）
1.7
1.7
13.0
基准面
（校准平面）
φ
0.3 TH
L2- UX版本。 1
6.0
RT / DUROID 5880 / ROGERS
T = 0.254毫米
εr
= 2.20
的tanδ = 0.0009 @ 10 GHz的
数据表PG10592EJ01V0DS
5
查看更多NE3512S02-T1C-APDF信息
推荐型号
NEV0.1M16
NLX1G10BMX1TCG
NAND01GR4A2BZA1E
NE540L
NM24C32LZN
NC7WP07
NMC9817AN-35
NM24C16LM
NFE31PTxxx
NSSB100B
NJU7109F3
NEV33M25
NRN6S104JTF
NMA-WIFI5
NRC476K35
NMJ0515S
NLCV25T-1R0M-PFR
NDL5553P2S
NAND01GW4B2BN1F
NCP300HSN40T1
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    NE3512S02-T1C-A
    -
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深圳市格雷迪电子有限公司
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NE3512S02-T1C-A
NEC
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电话：0755-89697985
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地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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Renesas Electronics Corporation
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10000
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原厂一级代理，原装现货
深圳市芯泽盛世科技有限公司
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NE3512S02-T1C-A
NEC
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