异质结型场效应晶体管
NE3509M04
L到S波段低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
超低噪声指数和高增益相关
NF = 0.4 dB典型值。 ，G
a
= 17.5分贝TYP 。 @ F = 2千兆赫，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
扁平引脚4引脚薄型超minimold （ M04 ）封装
应用
卫星广播（ SDARS ， DMB等）天线LNA
GPS天线LNA
低噪声放大器用于微波通信系统
订购信息
产品型号
NE3509M04
NE3509M04-T2
订单号
NE3509M04-A
NE3509M04-T2-A
包
扁平引线4针thin-
型超minimold
（ M04 ） （无铅）
QUANTITY
50个（非卷轴）
3千件/卷
记号
V80
供给方式
8毫米宽压纹带卷
引脚1 （来源） ，引脚2 （漏）的脸
带的穿孔侧
备注
如需订购样品评价，请联系您最近的销售部门。
样品订购部件号： NE3509M04
绝对最大额定值（T
A
= +25°C)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
记
评级
4.0
3.0
I
DSS
200
150
+150
65
+150
单位
V
V
mA
A
mW
°C
°C
T
ch
T
英镑
记
安装在1.08厘米
2
×
1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
一号文件PG10608EJ01V0DS （第1版）
发布日期2006年4月NS CP （ K）
NE3509M04
S-参数
S参数/设于我们的网站的形式（ S2P ），使直接导入到噪声参数
微波电路仿真器没有键盘输入。
点击这里下载S参数。
[RF与微波]
→
[设备参数]
网址http://www.ncsd.necel.com/
数据表PG10608EJ01V0DS
5
基本产品信息
异质结场效应TRANSISITOR
NE3509M04
L到S波段低噪声放大器
N沟道HJ -FET
特点
- 超低噪声系数&相关的增益：
NF = 0.4分贝TYP 。 GA = 17.5分贝TYP 。 @ F = 2GHz的， VDS = 2V ， ID = 10毫安
- 扁平引线4针锡型超小型模具（ M04 ）封装（无铅T. ）
应用
- 卫星广播（ SDARS ， DMB等）天线LNA
- GPS天线LNA
- LNA微波通信系统
订购信息
产品型号
NE3509M04
NE3509M04-T2
订单号
NE3509M04-A
NE3509M04-T2-A
QUANTITY
50件（非卷轴）
3千件/卷
V80
记号
供给方式
- 8mm宽压纹带卷
- 引脚1 （来源） ，PIN2 （漏）
面对带的穿孔侧
备注
如需订购评估样品，请联系您当地的NEC销售办事处。
样品订购部件号： NE3509M04
绝对最大额定值（T
A
=+ 25
°C
)
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GS
I
D
IG
P
合计
T
ch
T
英镑
记
评级
4.0
-3.0
I
DSS
200
150
+150
- 65 + 150
单位
V
V
mA
A
mW
°C
°C
记
安装在1.08厘米
2
X 1.0毫米（ t）的玻璃环氧树脂印刷电路板
注意：当处理，因为这些器件对静电放电敏感遵守的注意事项。
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文件前，请确认
这是最新版本。
文件编号P ***** EJ0V0PM00 （第10版）
发布日期
2005年10月
CP （ K）
NEC化合物半导体器件2005年
NE3509M04
典型特征
T
A
= +25
°C)
漏极电流与栅极至源极电压
50
ID （MA ）
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
（ 1.08厘米
2
X 1.0毫米（T ） ）
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V
DS
=2V
漏电流
-1.0 -0.9 -0.8 -0.7 -0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1
门源电压VGS （ V）
0.0
注）在考试
漏极电流与漏极至源极电压
20
VDS = 2V ，ID = 10毫安
Ga
18
最小噪声系数，相关的增益
与频率的关系
2.0
1.8
1.6
最小噪声科幻gure
NFmin （ dB）的
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
5
10
频率（GHz ）
15
NFmin
100
相关的增益
嘎（分贝）
14
12
10
8
6
4
2
0
漏极电流ID （MA ）
16
80
VGS = 0 V
60
- 0.1 V
40
- 0.2 V
20
- 0.3 V
- 0.4 V
- 0.5 V
0
1
2
3
4
5
0
漏源极电压VDS （ V）
最小噪声系数，相关的增益
与DREIN CURRENT
2.0
1.8
最低Niose图
NFmin （ dB）的
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
10
20
Drein电流ID （MA ）
30
40
NFmin
Ga
F = 2.0GHz的， VDS = 2V
20
18
最低Niose图
NFmin （ dB）的
16
相关的增益
嘎（分贝）
14
12
10
8
6
4
2
0
最小噪声系数，相关的增益
与DREIN至源极电压
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
Drein至源极电压VDS （ V）
NFmin
F = 2.0GHz的， IDS = 10毫安
Ga
20
18
16
12
10
8
6
4
2
0
相关的增益
嘎（分贝）
14
NE3509M04
参考数据
最小噪声系数，相关的增益
与DREIN CURRENT
2.0
1.8
最低Niose图
NFmin （ dB）的
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
10
20
Drein电流ID （MA ）
30
40
NFmin
Ga
F = 2.5GHz的， VDS = 2V
20
18
相关的增益
嘎（分贝）
14
12
10
8
6
4
2
0
最低Niose图
NFmin （ dB）的
16
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1
最小噪声系数，相关的增益
与DREIN至源极电压
20
18
16
F = 2.5GHz的， IDS = 10毫安
12
10
8
NFmin
6
4
2
0
1.5
2
2.5
3
3.5
Drein至源极电压VDS （ V）
相关的增益
嘎（分贝）
Ga
14
@ F = 2.4GHz的， VDS = 2V ， ID = 10毫安（非RF）
40
30
20
10
0
的Pout （ dBm的）
35
30
25
20
15
10
5
0
ID （MA ）
50
45
40
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-25
-20
-15
-10
-5
PIN （ DBM）
Pout(2tone)
IM3L
IM3H
Id
0
5
10
15
NE3509M04
包装尺寸
FLAT - LEAD 4引脚薄型SUPER MINI- MOLD
单位
mm
（顶视图）
（ BOTTOM VIEW ）
1
(1.05)
4
2
3
引脚连接
1.源
2.漏
3.源
4.门
2.0
V80
1.25
1.3
0.1
QQ：2880707522 复制
