超低噪声HJ FET
NE33284A
特点
超低噪声指数：
0.8分贝一般在12 GHz的
高相关的增益：
10.5分贝一般在12 GHz的
噪声系数NF （ dB）的
1.4
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
24
1.2
G
A
1
21
GATE长度：
0.3
m
门宽：
280
m
低成本金属/陶瓷封装
TAPE &卷轴包装选项中提供
18
0.8
15
0.6
12
0.4
NF
0.2
9
描述
该NE33284A是一个异质结型场效应管，它使用结
Si掺杂的AlGaAs和未掺杂的InGaAs创造非常的
高流动性电子。该器件具有蘑菇状
TiAl金属门为降低栅极电阻和改进的电源
处理能力。蘑菇门还导致较低的
噪声指数和高相关的增益。此装置被安置在
环氧密封，金属/陶瓷封装，用于
大批量消费类和工业应用。
6
0
1
10
20
3
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
选择
1
G
A
1
P
1dB
参数和条件
最佳的噪声系数，V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 10 mA时， F = 12 GHz的
F = 4 GHz的
相关的增益，V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 10 mA时， F = 12 GHz的
F = 4 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 12 GHz的
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 20毫安
增益P
1dB
中，f = 12 GHz的
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2.0 V，I
DS
= 20毫安
饱和漏极电流，V
DS
= 2.0 V,V
GS
= 0 V
夹断电压，V
DS
= 2.0 V，I
DS
- 0.1毫安
跨导，V
DS
= 2.0 V，I
D
= 10毫安
门源漏电流，V
GS
= -3.0 V
热电阻（通道到环境）
热电阻（通道到外壳）
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
mS
A
° C / W
° C / W
15
-2.0
45
9.5
13.0
民
NE33284A
84AS
典型值
0.75
0.35
10.5
15.0
11.2
12.0
10.8
11.0
40
-0.8
70
0.5
630
280
310
10.0
80
-0.2
最大
1.0
0.45
G
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
第（章-a）的
R
TH （ CH -C ） 2
注意事项：
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些，当从大量材料50％的设备分别单独
在与输入单独调谐，得到最小值的电路测量的。最高值是在生产线上建立的标准
作为"go -无go"筛选调谐为"generic"类型，但不为每个试样。
2. R
TH
（信道情况下）的包安装在一个无限大的散热器。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
NE33284A
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GRF
P
IN
T
CH
T
英镑
P
T
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
RF输入（ CW）
通道温度
储存温度
总功耗
单位
V
V
mA
A
DBM
°C
°C
mW
评级
4.0
-3.0
I
DSS
280
15
150
-65到+150
165
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
频率。
（千兆赫）
1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
NF
选择
（ dB）的
0.29
0.31
0.35
0.42
0.52
0.63
0.75
0.90
1.05
1.25
G
A
（ dB）的
21.3
18.3
15.0
13.5
12.2
11.3
10.5
9.9
9.3
8.8
0.85
0.82
0.74
0.67
0.59
0.52
0.45
0.37
0.30
0.22
Γ
选择
MAG
昂
28
40
62
85
107
130
168
-146
-100
-54
Rn/50
0.48
0.27
0.16
0.13
0.10
0.09
0.10
0.14
0.22
0.34
注意：
1.Operation超过这些条件可能造成的任何一个的
永久性损坏。
典型性能曲线
总功耗对比
环境温度
300
(T
A
= 25°C)
跨导主场迎战漏电流
V
DS
= 2.0 V
120
总功率耗散，P
T
（ mW）的
200
无限
散热器
跨导，G
m
（女士）
250
100
80
150
60
100
自由的空气
50
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
0
10
20
30
40
50
环境温度，T
A
(°C)
漏电流，我
DS
（MA ）
噪声系数和增益
与漏电流
V
DS
= 2 V ， F = 12 GHz的
2
16
漏电流与
漏源极电压
50
V
GS
= 0 V
30
-0.1 V
1.2
G
A
12
20
-0.2 V
0.8
NF
0.4
调@ 10 mA仅
调@ 10 mA仅
@调整每个I
DS
@调整每个I
DS
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
10
-0.3 V
-0.4 V
-0.5 V
8
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
6
漏源极电压，V
DS
(V)
漏电流，我
DS
（MA ）
相关的增益，G
A
（ dB）的
漏电流，我
DS
（MA ）
40
1.6
14
噪声系数NF （ dB）的
NE33284A
典型的共源散射参数
(T
A
= 25°C)
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
频率
（千兆赫）
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
注意：
1.增益计算：
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
S
11
MAG
.999
.999
.995
.977
.919
.847
.769
.693
.625
.574
.533
.496
.455
.414
.391
.387
.384
.369
.364
.368
.400
.434
.468
昂
-2.0
-4.3
-11.2
-22.7
-43.9
-63.8
-81.5
-97.9
-113.5
-128.4
-141.7
-153.9
-167.0
178.7
162.5
145.8
131.2
114.7
95.6
75.8
59.4
47.6
32.4
MAG
7.099
7.053
7.053
6.935
6.540
6.026
5.485
4.991
4.558
4.181
3.865
3.614
3.423
3.256
3.098
2.975
2.873
2.783
2.713
2.622
2.529
2.459
2.386
S
21
昂
178.3
175.9
169.4
158.7
138.8
120.3
103.9
89.0
75.2
61.9
50.4
38.7
27.0
15.8
4.2
-7.1
-17.9
-29.9
-42.0
-54.7
-66.7
-78.7
-92.0
MAG
.002
.004
.010
.019
.037
.051
.064
.074
.082
.090
.099
.107
.116
.126
.133
.141
.149
.160
.165
.175
.181
.182
.185
S
12
昂
89.3
88.4
83.2
76.7
67.0
57.5
48.6
41.5
35.3
29.7
24.7
19.6
13.8
8.2
2.2
-4.6
-10.8
-18.3
-27.1
-35.5
-44.9
-55.1
-65.8
MAG
.536
.536
.536
.532
.506
.473
.446
.412
.382
.360
.353
.347
.341
.327
.315
.293
.288
.290
.289
.289
.286
.280
.275
S
22
昂
-1.2
-2.7
-7.0
-13.9
-26.3
-38.2
-47.9
-57.4
-66.2
-75.7
-83.9
-91.9
-100.7
-109.0
-119.4
-131.7
-144.0
-156.5
-170.3
174.4
158.9
140.9
122.3
K
S
21
（ dB）的
MAG
1
（ dB）的
35.5
32.5
28.5
25.6
22.5
20.7
19.3
18.3
17.4
16.7
15.9
15.3
14.7
13.4
12.6
12.1
12.0
12.0
11.6
11.8
11.4
11.3
11.1
0.05
0.03
0.08
0.17
0.31
0.44
0.57
0.69
0.80
0.87
0.91
0.95
0.98
1.01
1.03
1.03
1.02
1.01
1.01
0.99
0.97
0.96
0.95
17.0
17.0
17.0
16.8
16.3
15.6
14.9
14.0
13.2
12.4
11.7
11.2
10.7
10.2
9.8
9.5
9.2
8.9
8.7
8.4
8.1
7.8
7.5
(
K
±
K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。味精=
2
2
2
|S
21
|
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
外形尺寸
（以毫米单位）
NE33284A
包装外形84AS
1.78
±
0.2
订购信息
1
S
产品型号
NE33284AS
NE33284A-T1
供货情况
批量达1K
1K/Reel
包
84AS
84AS
1.78
±
0.2
D
U
S
G
0.5
±
0.1
（所有引线
)
注意：
长期使用含铅（1.7 mm最小） 84ASL包可根据请求中
大宗多达1000个。如需订购指定NE33284A -SL 。
1.0
±0.2
（所有引线）
1.7 MAX
+0.07
0.1 -0.03
型号代号（字母） 。
当信是直立的，
栅极引线是在正确的。
NE33284A
NE33284A线性模型
概要
0.001
CGD_PKG
RG_PKG LG_PKG LG
门
0.5
0.28
0.5
芯片
RG
CDG
0.04
CGS
0.22
疾病预防控制中心
0.05
RI
0.52
g
t
f=281GHz
RDS
RD
0.24
LD
0.13
LD_PKG
0.3
RD_PKG
漏
0.2
0.16
GGS
1e_5
CCG_PKG
0.14
CDS
0.05
CCD_PKG
0.1
RS
0.19
LS_PKG
0.12
RS_PKG
0.2
0.01
CSG_PKG
CSD_PKG
来源
0.01
BIAS依赖模型参数
参数
g
t
RDS
2 V ， 10毫安
73毫秒
5皮秒
210欧姆
2 V时为20 mA
97毫秒
5皮秒
156欧姆
2 V ， 30毫安
104毫秒
5.5皮秒
140欧姆
单位
参数
电容
电感
阻力
导
单位
皮法
纳亨
欧
millisiemans
型号齐全
频率：
偏见：
发布日期：
为0.120千兆赫
V
DS
= 2 V，I
D
= 10，20， 30毫安
7/2/96
北美的独家代理FOR
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
24小时传真点播： 800-390-3232 （美国和加拿大） 网络连接： http://WWW.CEL.COM
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