超低噪声HJ FET
NE33200
特点
超低噪声指数：
0.75分贝一般在12 GHz的
最佳的噪声系数， NF
选择
（ dB）的
4
3.5
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
24
21
18
15
12
9
6
NF
0.5
0
1
10
30
3
0
高相关的增益：
10.5分贝一般在12 GHz的
GATE长度：
0.3
m
门宽：
280
m
3
2.5
2
1.5
1
描述
该NE33200是一个异质结场效应晶体管芯片，利用该
Si掺杂的AlGaAs和未掺杂的InGaAs之间的交界处
创建一个具有非常高的二维电子气体层
电子迁移率。其出色的低噪声指数和高
相关的增益使其适合用于商业和工业
应用程序。
NEC严格的质量保证和测试程序AS-i
确保最高的可靠性和性能。
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
选择
1
参数和条件
噪声系数，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
相关的增益，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 12 GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
增益P
1dB
中，f = 12 GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
饱和漏极电流，V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压，V
DS
= 2 V，I
D
= 100
A
跨导，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
门源漏电流，V
GS
= -5 V
热电阻（通道到外壳）
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
mS
A
° C / W
15
-2.0
45
民
NE33200
00 （ CHIP ）
典型值
0.35
0.75
15.0
10.5
11.2
12.0
11.8
12.8
40
-0.8
70
0.5
10
240
80
-0.2
最大
1.0
G
A
1
9.5
P
1dB
G
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
TH(CH-C)2
注意事项：
1.射频性能是通过包装来确定，测试10个样本每片晶圆。晶圆拒收标准为标准的设备为2的次品
10个样品。
2.芯片安装在无限大的散热器。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
Ga
NE33200
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GRF
P
IN
T
CH
T
英镑
P
T2
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
RF输入（ CW）
通道温度
储存温度
总功耗
单位
V
V
mA
A
DBM
°C
°C
mW
评级
4.0
-3.0
I
DSS
280
15
175
-65到+175
240
典型的噪声参数
1
(T
A
= 25°C)
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
频率。
（千兆赫）
1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
NF
选择
（ dB）的
0.29
0.31
0.35
0.42
0.52
0.63
0.75
0.9
1.05
1.25
1.5
1.8
2.2
2.6
G
A
（ dB）的
21.3
18.3
15.3
13.5
12.2
11.3
10.5
9.9
9.3
8.8
8.3
7.9
7.6
7.3
0.82
0.81
0.76
0.71
0.64
0.55
0.48
0.41
0.37
0.35
0.37
0.38
0.39
0.40
Γ
选择
MAG
昂
8
17
41
63
77
95
112
130
144
164
180
-166
-154
-142
Rn/50
0.39
0.36
0.33
0.30
0.27
0.24
0.22
0.19
0.18
0.15
0.13
0.11
0.10
0.08
注意：
1.操作超过这些参数可能导致任一
永久性损坏。
安装在无限大的散热器2.随着芯片。
典型性能曲线
总功耗对比
环境温度
250
(T
A
= 25°C)
注意：
1.噪声参数包括键合线：
门：共2根， 1元焊盘0.0129" （ 327
m)
长每根电线。
漏：共2根， 1元焊盘0.0118" （ 300
m)
长每根电线。
来源：共4线， 2元方， 0.0071" （ 180
m)
长每根电线。
线材： 0.0007" （ 17.8
m)
直径。黄金。
噪声系数和增益
与漏电流
V
DS
= 2 V ， F = 12 GHz的
2.0
16
总功耗（P
T
）毫瓦
噪声系数NF （ dB）的
200
1.6
14
150
1.2
12
100
安装在
无限
散热器
0.8
G
A
0.4
N
F
10
50
调整在每个I
DS
8
调整在10mA只
0
0
50
100 117
150
200
250
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
6
环境温度，T
A
(°C)
漏电流与
漏源极电压
50
漏电流，我
DS
（MA ）
跨导主场迎战漏电流
V
DS
= 2.0 V
120
漏电流，我
DS
（MA ）
40
跨导，G
m
（女士）
V
GS
= 0 V
100
30
-0.1 V
80
60
20
-0.2 V
40
10
-0.3 V
-0.4 V
-0.5 V
20
0
0
0.5
1
1.5
2
0
漏源极电压，
2.5
V
DS
(V)
3
0
10
20
30
40
50
漏电流，我
DS
（MA ）
相关的增益，G
A
（ dB）的
超低噪声HJ FET
NE33200
特点
超低噪声指数：
0.75分贝一般在12 GHz的
最佳的噪声系数， NF
选择
（ dB）的
4
3.5
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
24
21
18
15
12
9
6
NF
0.5
0
1
10
30
3
0
高相关的增益：
10.5分贝一般在12 GHz的
GATE长度：
0.3
m
门宽：
280
m
3
2.5
2
1.5
1
描述
该NE33200是一个异质结场效应晶体管芯片，利用该
Si掺杂的AlGaAs和未掺杂的InGaAs之间的交界处
创建一个具有非常高的二维电子气体层
电子迁移率。其出色的低噪声指数和高
相关的增益使其适合用于商业和工业
应用程序。
NEC严格的质量保证和测试程序AS-i
确保最高的可靠性和性能。
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
选择
1
参数和条件
噪声系数，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
相关的增益，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安，
F = 4 GHz的
F = 12 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 12 GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
增益P
1dB
中，f = 12 GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
饱和漏极电流，V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
夹断电压，V
DS
= 2 V，I
D
= 100
A
跨导，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
门源漏电流，V
GS
= -5 V
热电阻（通道到外壳）
单位
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
mS
A
° C / W
15
-2.0
45
民
NE33200
00 （ CHIP ）
典型值
0.35
0.75
15.0
10.5
11.2
12.0
11.8
12.8
40
-0.8
70
0.5
10
240
80
-0.2
最大
1.0
G
A
1
9.5
P
1dB
G
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
TH(CH-C)2
注意事项：
1.射频性能是通过包装来确定，测试10个样本每片晶圆。晶圆拒收标准为标准的设备为2的次品
10个样品。
2.芯片安装在无限大的散热器。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
Ga
NE33200
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GRF
P
IN
T
CH
T
英镑
P
T2
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
RF输入（ CW）
通道温度
储存温度
总功耗
单位
V
V
mA
A
DBM
°C
°C
mW
评级
4.0
-3.0
I
DSS
280
15
175
-65到+175
240
典型的噪声参数
1
(T
A
= 25°C)
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
频率。
（千兆赫）
1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
NF
选择
（ dB）的
0.29
0.31
0.35
0.42
0.52
0.63
0.75
0.9
1.05
1.25
1.5
1.8
2.2
2.6
G
A
（ dB）的
21.3
18.3
15.3
13.5
12.2
11.3
10.5
9.9
9.3
8.8
8.3
7.9
7.6
7.3
0.82
0.81
0.76
0.71
0.64
0.55
0.48
0.41
0.37
0.35
0.37
0.38
0.39
0.40
Γ
选择
MAG
昂
8
17
41
63
77
95
112
130
144
164
180
-166
-154
-142
Rn/50
0.39
0.36
0.33
0.30
0.27
0.24
0.22
0.19
0.18
0.15
0.13
0.11
0.10
0.08
注意：
1.操作超过这些参数可能导致任一
永久性损坏。
安装在无限大的散热器2.随着芯片。
典型性能曲线
总功耗对比
环境温度
250
(T
A
= 25°C)
注意：
1.噪声参数包括键合线：
门：共2根， 1元焊盘0.0129" （ 327
m)
长每根电线。
漏：共2根， 1元焊盘0.0118" （ 300
m)
长每根电线。
来源：共4线， 2元方， 0.0071" （ 180
m)
长每根电线。
线材： 0.0007" （ 17.8
m)
直径。黄金。
噪声系数和增益
与漏电流
V
DS
= 2 V ， F = 12 GHz的
2.0
16
总功耗（P
T
）毫瓦
噪声系数NF （ dB）的
200
1.6
14
150
1.2
12
100
安装在
无限
散热器
0.8
G
A
0.4
N
F
10
50
调整在每个I
DS
8
调整在10mA只
0
0
50
100 117
150
200
250
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
6
环境温度，T
A
(°C)
漏电流与
漏源极电压
50
漏电流，我
DS
（MA ）
跨导主场迎战漏电流
V
DS
= 2.0 V
120
漏电流，我
DS
（MA ）
40
跨导，G
m
（女士）
V
GS
= 0 V
100
30
-0.1 V
80
60
20
-0.2 V
40
10
-0.3 V
-0.4 V
-0.5 V
20
0
0
0.5
1
1.5
2
0
漏源极电压，
2.5
V
DS
(V)
3
0
10
20
30
40
50
漏电流，我
DS
（MA ）
相关的增益，G
A
（ dB）的
QQ：2880707522 复制
