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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第372页 > NE32684AS
超低噪声
赝HJ FET
不推荐用于新设计
NE32684A
特点
超低噪声指数：
0.5分贝一般在12 GHz的
噪声系数NF （ dB）的
1.2
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
24
GA
m,
W
G
= 200
m
L
G
= 0.20
低成本金属陶瓷封装
TAPE &卷轴包装选项中提供
0.8
18
0.6
15
0.4
NF
0.2
12
描述
该NE32684A是一个伪形态异质结场效应管的
使用Si掺杂的AlGaAs和未掺杂之间的结
砷化铟镓创造非常高的电子迁移率。该装置
特色蘑菇状TiAl金属门的门下降
性和改善的功率处理能力。该
蘑菇门也导致了更低的噪声系数和高
相关增益。该器件采用环氧树脂密封，
金属/陶瓷封装，适用于高音量控制
苏美尔和工业应用。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
9
0
1
10
30
6
频率f （ GHz）的
电气特性
(T
A
= 25°C)
产品型号
包装外形
符号
NF
1
NE32684A
84AS
单位
dB
dB
DBM
DBM
dB
dB
mA
V
mS
A
° C / W
° C / W
15
-2.0
45
10.0
民
典型值
0.5
11.5
8.5
10.75
11.0
11.5
40
-0.8
60
0.5
750
350
10.0
70
-0.2
最大
0.6
参数和条件
最佳的噪声系数，V
DS
= 2 V，I
DS
= 10 mA时， F = 12 GHz的
相关的增益，V
DS
= 2 V，I
DS
= 10 mA时， F = 12 GHz的
输出功率为1 dB增益压缩点， F = 12 GHz的
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
增益P
1dB
， F = 12千兆赫，V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
V
DS
= 2 V，I
DS
= 20毫安
饱和漏极电流，V
DS
= 2 V,V
GS
= 0 V
夹断电压，V
DS
= 2 V，I
DS
= 100
A
跨导，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
门源漏电流，V
GS
= -3 V
热电阻（通道到环境）
热电阻（通道到外壳）
G
A
1
P
1dB
G
1dB
I
DSS
V
P
g
m
I
GSO
R
第（章-a）的
R
TH（ CH-C ）
注意：
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些，当从大量材料50％的设备分别单独
在与输入单独调谐，得到最小值的电路测量的。最高值是在生产线上建立的标准
作为"go -无go"筛选调谐为"generic"类型，但不为每个试样。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
高相关的增益：
11.5分贝一般在12 GHz的
1
21
NE32684A
绝对最大额定值
1
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
GRF
T
CH
T
英镑
P
T
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
总功耗
单位
V
V
mA
A
°C
°C
mW
评级
4.0
-3.0
I
DSS
200
150
-65到+150
165
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
频率。
（千兆赫）
1
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
NF
选择
（ dB）的
0.28
0.30
0.33
0.37
0.40
0.45
0.50
0.62
0.75
0.91
1.10
G
A
（ dB）的
22.4
19.4
16.3
14.5
13.3
12.2
11.5
10.7
10.2
9.7
9.2
Γ
选择
MAG
.90
.85
.72
.62
.54
.48
.42
.38
.34
.34
.38
昂
17
32
64
91
116
138
164
-169
-139
-101
-77
Rn/50
0.45
0.37
0.27
0.21
0.15
0.10
0.07
0.07
0.08
0.09
0.10
注意：
1.操作超过这些参数可能导致任一
永久性损坏。
注意：
1.数据在20 GHz的外推，没有测量。
典型性能曲线
总功耗对比
环境温度
250
(T
A
= 25°C)
噪声系数和
相关的增益与漏极电流
V
DS
= 2 V ， F = 12 GHz的
1.8
1.6
14
12
总功率耗散，P
T
（ mW）的
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
10
8
150
无限
散热器
T
A
= T
领导
100
自由的空气
50
6
4
2
NF
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0.4
02
5
10
15
20
25
30
35
0
环境温度，T
A
(°C)
漏电流，我
DS
（MA ）
漏电流与
漏源极电压
50
V
GS
0.0 V
100
跨导主场迎战
漏电流
跨导，G
m
（女士）
漏电流，我
DS
（MA ）
40
-0.1
80
30
-0.2
60
-0.3
20
-0.4
10
-0.5
-0.6
0
0
1.5
3.0
-0.7
40
20
0
0
10
20
30
40
50
漏源极电压，V
DS
(V)
漏电流，我
DS
（MA ）
相关的增益，G
A
（ dB）的
200
G
A
噪声系数NF （ dB）的
NE32684A
典型的共源散射参数
(T
A
= 25°C)
在欧姆坐标
在GHz的频率
(V
DS
= 2 V，I
DS
= 10 mA）的
NE32684A
V
DS
= 2 V，I
DS
= 10毫安
频率
GHz的
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
MAG
0.999
0.999
0.999
0.991
0.960
0.922
0.873
0.816
0.758
0.712
0.667
0.629
0.592
0.549
0.513
0.487
0.464
0.443
0.423
0.415
0.414
0.413
0.432
S
11
昂
-2.0
-3.6
-9.0
-17.6
-33.9
-49.4
-64.5
-79.0
-92.9
-106.0
-117.2
-128.8
-140.1
-152.4
-165.5
-179.2
168.1
154.0
139.4
123.9
107.4
89.2
74.1
MAG
4.879
4.872
4.859
4.796
4.750
4.618
4.370
4.179
3.962
3.720
3.527
3.348
3.218
3.104
2.994
2.901
2.825
2.763
2.707
2.638
2.614
2.581
2.528
S
21
昂
178.4
176.7
171.5
162.2
146.0
130.4
115.8
101.5
87.9
74.7
63.3
51.3
39.9
28.3
17.1
5.8
-4.5
-16.3
-27.6
-40.1
-52.5
-65.4
-78.0
MAG
0.002
0.003
0.008
0.015
0.029
0.042
0.054
0.062
0.070
0.077
0.084
0.090
0.095
0.103
0.110
0.115
0.121
0.130
0.138
0.144
0.152
0.161
0.167
S
12
昂
88.8
88.1
85.9
77.7
70.4
60.0
52.4
45.2
38.9
32.5
27.9
22.7
18.5
13.5
8.1
3.4
-1.2
-7.7
-13.9
-22.2
-30.1
-38.6
-49.2
MAG
0.555
0.554
0.556
0.552
0.541
0.520
0.505
0.478
0.454
0.437
0.425
0.421
0.418
0.410
0.396
0.382
0.368
0.369
0.373
0.374
0.371
0.360
0.341
S
22
昂
-1.9
-2.8
-6.0
-12.0
-23.1
-33.0
-42.8
-52.5
-62.2
-71.8
-79.7
-88.7
-96.8
-105.2
-114.2
-123.2
-132.4
-143.0
-154.5
-166.2
-176.5
171.9
158.7
0.06
0.04
0.01
0.13
0.24
0.36
0.45
0.57
0.68
0.76
0.83
0.88
0.92
0.96
0.99
1.02
1.03
1.01
0.99
0.98
0.95
0.93
0.91
K
S
21
（ dB）的
13.8
13.7
13.7
13.6
13.5
13.3
12.8
12.4
12.0
11.4
10.9
10.5
10.1
9.8
9.5
9.2
9.0
8.8
8.6
8.4
8.3
8.2
8.1
MAG
1
（ dB）的
33.9
32.1
27.8
25.0
22.1
20.4
19.1
18.3
17.5
16.8
16.2
15.7
15.3
14.8
14.3
13.1
12.5
12.6
12.9
12.6
12.3
12.0
11.8
注意：
1.增益计算：
2
2
2
|S
21
|
|S
21
|
(
K ± K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
味精=
|S
12
|
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
MAG =
NE32684A
典型的共源散射参数
(T
A
= 25°C)
在欧姆坐标
在GHz的频率
(V
DS
= 2 V，I
D
= 20 mA）的
NE32684A
V
DS
= 2 V，I
D
= 20毫安
频率
GHz的
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
MAG
0.999
0.999
0.998
0.986
0.948
0.894
0.833
0.766
0.703
0.653
0.607
0.569
0.529
0.487
0.554
0.428
0.407
0.387
0.368
0.359
0.358
0.361
0.379
S
11
昂
-2.3
-4.0
-9.6
-18.9
-36.2
-52.3
-67.8
-82.1
-95.8
-108.6
-119.6
-130.6
-141.4
-153.2
-166.0
-179.3
167.8
154.5
139.9
124.4
107.6
89.4
73.7
MAG
6.403
6.366
6.384
6.298
6.108
5.792
5.404
5.063
4.713
4.385
4.112
3.861
3.686
3.517
3.376
3.262
3.165
3.081
3.007
2.934
2.910
2.865
2.812
S
21
昂
178.0
176.1
170.6
161.0
143.6
127.1
112.1
97.6
84.3
71.3
59.8
48.6
37.5
26.0
14.8
4.1
-5.9
-17.3
-27.9
-40.2
-52.3
-65.4
-77.8
MAG
0.002
0.003
0.007
0.014
0.026
0.038
0.049
0.058
0.067
0.074
0.082
0.090
0.097
0.107
0.114
0.121
0.130
0.138
0.146
0.154
0.160
0.169
0.174
S
12
昂
88.9
88.6
87.6
77.6
72.2
62.0
55.8
49.4
44.1
38.3
33.8
28.3
23.4
18.4
11.8
6.3
0.6
-5.4
-13.5
-21.6
-30.1
-39.1
-49.0
MAG
0.480
0.480
0.480
0.476
0.467
0.449
0.436
0.413
0.394
0.382
0.374
0.375
0.378
0.374
0.365
0.354
0.341
0.345
0.352
0.353
0.349
0.337
0.319
S
22
昂
-2.0
-2.9
-5.9
-11.5
-22.0
-31.2
-40.4
-49.2
-58.3
-67.4
-74.9
-83.3
-90.8
-99.4
-108.0
-116.8
-125.5
-136.6
-148.4
-160.0
-170.6
177.9
165.2
0.06
0.04
0.03
0.17
0.30
0.46
0.56
0.68
0.77
0.85
0.90
0.93
0.96
0.98
1.00
1.01
1.01
0.99
0.97
0.96
0.94
0.92
0.91
K
S
21
（ dB）的
16.1
16.1
16.1
16.0
15.7
15.3
14.6
14.1
13.5
12.8
12.3
11.7
11.3
10.9
10.7
10.3
10.0
9.8
9.6
9.3
9.3
9.1
9.0
MAG
1
（ dB）的
35.0
33.3
29.6
26.5
23.7
21.8
20.4
19.4
18.5
17.7
17.0
16.3
15.8
15.2
14.4
13.6
13.3
13.5
13.1
12.8
12.6
12.3
12.1
注意：
1.增益计算：
2
2
2
|S
21
|
|S
21
|
(
K ± K
2
- 1
).
当K
≤
1 ， MAG是未定义的值味精使用。
, K = 1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
,
= S
11
S
22
- S
21
S
12
味精=
|S
12
|
|S
12
|
2 |S
12
S
21
|
MAG =最大可用增益
MSG =最大稳定增益
MAG =
NE32684A
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形84AS
1.78 ± 0.2
订购信息
部分
数
NE32684AS
NE32684A-T1
供货情况
批量达1K
1K/Reel
包
概要
84AS
84AS
S
注意：
长期使用含铅（1.7 mm最小） 84A封装可根据请求中
散装quantitites高达1000个。如需订购指定NE32684A -SL 。
1.78 ± 0.2 D
V
S
G
0.5 ± 0.1
（所有引线）
1.0 ± 0.2 （各导联）
1.7 MAX
+0.07
0.1
-0.03
型号代号（字母） 。
当信是直立的，
栅极引线是在正确的。
独家代理
NEC公司
RF &微波半导体产品 - 美国&加拿大
加州东部实验室， INC。
·
司令部
·
4590帕特里克·亨利·道
·
圣克拉拉，加利福尼亚州95054-1817
·
(408) 988-3500
·
电传34-6393 /传真（ 408 ） 988-0279
数据可能会有更改，恕不另行通知
查看更多NE32684ASPDF信息
推荐型号
NJU7202L
NPF-TSD-AB
NML08JR10TRF
NTCG103EH101
NN514256LZ-70
NEZ1011-2E
NX8563LA533-CC
NC7SZ74
NLX1G332
NAND01GW3A2AZB6E
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