C到Ku波段超低
噪声放大器N沟道HJ -FET
特点
超低噪声系数：
0.45分贝典型值在12千兆赫
噪声系数NF （ dB）的
NE325S01
噪声系数& ASSOCIATED
增益与频率
24
V
DS
= 2 V
I
D
= 10毫安
GATE长度：
≤
0.20
m
门宽：
200
m
低成本塑料封装
Ga
16
1.0
12
0.5
8
描述
0
NF
1
2
4
6
8 10
14
20
4
30
该NE325S01是一个异质结型场效应管，它使用结
Si掺杂的AlGaAs和未掺杂的InGaAs创造非常的
高流动性电子。其出色的低噪声指数和高
相关联的增益，使其适合于商业系统和
工业应用。
NEC严格的质量保证和测试程序保证
最高的可靠性和性能。
频率f （ GHz）的
推荐
工作条件
(T
A
= 25°C)
符号
V
DS
I
D
P
in
特征
漏源极电压
漏电流
输入功率
单位最小典型最大
V
mA
DBM
2
10
3
20
0
电气特性
(T
A
= 25°C)
NE325S01
S01
单位
dB
dB
mA
mS
V
A
11.0
20
45
-0.2
民
典型值
0.45
12.5
60
60
-0.7
0.5
-2.0
10
90
最大
0.55
产品型号
包装外形
符号
NF
1
G
A1
I
DSS
g
m
V
GS （ OFF ）
I
GSO
参数和条件
噪声系数，V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
相关的增益，V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12 GHz的
饱和漏极电流，V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
跨导，V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
门源截止电压，V
DS
= 2 V，I
D
= 100
A
门源漏电流，V
GS
= -3 V
注意：
的噪声系数和相关的增益1的典型值获得的那些，当从大量材料50％的设备分别单独
在与输入单独调谐，得到最小值的电路测量的。最高值是在生产线上建立的标准
作为"go -NO- go"筛查调整为"generic"类型，但不是每个标本。
美国加州东部实验室
相关的增益，G
A
（ dB）的
高相关的增益：
12.5分贝典型值在12千兆赫
20
NE325S01
外形尺寸
（以毫米单位）
包装外形S01
2.0
±
0.2
典型的噪声参数
(T
A
= 25°C)
V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
频率。
（千兆赫）
2
NF
民
（ dB）的
0.29
0.30
0.32
0.35
0.40
0.45
0.53
0.67
0.83
G
A
（ dB）的
20.0
18.3
16.5
15.0
13.6
12.5
12.0
11.8
11.5
Γ
选择
MAG
0.93
0.80
0.65
0.49
0.36
0.27
0.24
0.30
0.47
昂
14
29
48
72
102
139
-176
-122
-58
Rn/50
0.38
0.33
0.25
0.18
0.11
0.08
0.07
0.10
0.22
1
4
6
8
10
2
0.
2.
0
±
D
3
0.65典型。
1.9
±
0.2
1.6
2.0
±
0.2
0.5 TYP 。
2
12
14
16
18
4
1.
2.
3.
4.
1.5 MAX
来源
漏
来源
门
0.125
±
0.05
典型的恒定噪声图
CIRCLE
(V
DS
= 2 V，I
D
= 10 mA时， F = 12千兆赫）
1
0.6
2
5
0.2
最大0.4
4.0
±
0.2
订购信息
部分
数
NE325S01
NE325S01-T1
NE325S01-T1B
供货形式
体积
磁带&卷轴1000件/卷
磁带&卷轴4000件/卷
包
概要
S01
S01
S01
-0.6
-0.2
0
0.2
*
Γopt
0.6
0.8
1.0
-5
-2
-1
1.0
2.0
∞
生命支持应用
这些NEC的产品不得用于生命支持设备，设备或系统的使用在这些产品的故障可合理
可以预期会导致人身伤害。 CEL使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险和
同意完全赔偿CEL对此类不当使用或销售行为造成的所有损失。
北美的独家代理FOR
NEC
射频，微波&光电半导体
美国加州东部实验室
总部 4590帕特里克·亨利·道美国加州圣克拉拉， 95054-1817 （ 408 ） 988-3500 电传34-6393 传真（ 408 ） 988-0279
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数据可能会有更改，恕不另行通知
04/29/2002
数据表
异质结型场效应晶体管
NE325S01
C到Ku波段超低噪声放大器
N沟道HJ -FET
描述
该NE325S01是一个异质结型场效应管，它利用
异质结打造高电子迁移率。其优异的
低噪声和高增益相关使其适合于星展银行
另有商业系统。
包装尺寸
（单位：毫米）
2.0 ±0.2
特点
超低噪声系数和放大器;关联度高增益
NF = 0.45 dB典型值。 ，G
a
为12.5 dB典型值。在f = 12 GHz的
门长度：L
g
≤
0.20
m
闸门宽度：W
g
= 200
m
0
2.
1
.2
±0
0.5 TYP 。
订购信息
产品型号
NE325S01-T1
NE325S01-T1B
供给方式
磁带&卷轴1000件/卷
磁带&卷轴4000件/卷
记号
D
D
3
0.65典型。
1.9 ±0.2
1.6
4
绝对最大额定值（T
A
= 25 C)
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
总功耗
通道温度
储存温度
V
DS
V
GS
I
D
I
G
P
合计
T
ch
T
英镑
4.0
–3.0
I
DSS
100
165
125
-65到+125
V
V
mA
1.
2.
3.
4.
来源
漏
来源
门
A
mW
C
C
0.125 ±0.05
0.4MAX
4.0 ±0.2
推荐工作条件（T
A
= 25 C)
特征
漏源极电压
漏电流
输入功率
符号
V
DS
I
D
P
in
分钟。
典型值。
2
10
马克斯。
3
20
0
单位
V
mA
DBM
一号文件P11138EJ3V0DS00 （第3版）
发布日期1996年十月
日本印刷
1.5 MAX
2.0 ±0.2
2
1996
NE325S01
S-参数
V
DS
= 2 V，I
D
= 10毫安
开始2 GHz时，停止18 GHz时， STEP 500兆赫
标志
1：4千兆赫
2 ： 8 GHz的
3 ： 12 GHz的
4 ： 16 GHz的
5 ： 18 GHz的
S
11
1.0
0.5
S
12
+90
5
2.0
+135
+45
4
0
∞
±180
1
2
3
5
4
0
3
1
–0.5
2
–1.0
–2.0
–135
–45
R最大。 = 1
–90
R最大。 = 0.25
S
21
+90
S
22
1.0
0.5
2.0
+135
1
2
+45
5
3
4
0
±180
5
4
0
3
2
1
∞
–135
–45
–0.5
–90
–2.0
–1.0
R最大。 = 5
R最大。 = 1
4
QQ：2880707522 复制
