【通用双栅砷化镓MESFET特点适合用作RF放大器和混频器UHF应用低CRSS ：0.02 PF（ T】,IC型号NE25339-T1,NE25339-T1 PDF资料,NE25339-T1经销商,ic,电子元器件-51电子网

通用

双栅砷化镓MESFET

特点

适合用作RF放大器和

混频器UHF应用

低CRSS ：

0.02 PF（ TYP ）

高GPS ：

20分贝（典型值），900 MHz时

低NF ：

1.1分贝典型值在900MHz

= 1.0

= 1.5

= 800

离子注入

可在磁带& REEL或散装

功率增益，G

（ dB）的

NE25339

功率增益和噪声系数对比

漏源极电压

= 1 V，I

= 10 mA时， F = 900兆赫

描述

该NE253是800

双栅砷化镓场效应管设计

提供在其应用灵活性作为混合机， AGC放大器，

或低噪声放大器。作为一个例子，通过短接所述第二

栅极到源极，更高的增益，可实现比使用单

门的MESFET 。此装置是在微型模具（外加可用

面对山）封装。

漏源极电压，V

(V)

电气特性

= 25°C)

产品型号

包装外形

符号

DSX

DSS

G1S （OFF）的

G2S （OFF）的

G1SS

G2SS

国际空间站

RSS

参数和条件

噪声系数在V

= 5 V, V

G2S

= 1 V，I

= 10毫安，

F = 900兆赫

功率增益在V

= 5 V, V

G2S

= 1 V，I

= 10毫安，

F = 900兆赫

漏极至源极击穿电压在V

G1S

= -4 V,

G2S

= 0, I

= 20

饱和漏极电流在V

= 5 V, V

G2S

= 0 V, V

G1S

= 0 V

1号门到源截止电压为V

= 5 V,

G2S

= 0 V，I

= 100

2号门到源截止电压为V

= 5 V,

G1S

= 0 V，I

= 100

1号门反向电流在V

= 0, V

G1S

= -4V, V

G2S

= 0

门2反向电流在V

= 0. V

G2S

= -4V, V

G1S

= 0

在V正向转移导纳

= 5 V, V

G2S

= 1 V,

= 10 mA时， F = 1.0千赫

输入电容在V

= 5 V, V

G2S

= 1 V，I

= 10毫安，

F = 1 MHz的

在V反向传输电容

= 5 V, V

G2S

= 1 V,

= 10 mA时， F = 1兆赫

单位

1.0

1.5

0.02

2.0

0.035

-3.5

民

NE25339

典型值

1.1

最大

2.5

美国加州东部实验室

噪声系数NF （ dB）的

NE25339

绝对最大额定值

= 25°C)

符号

DSX

G1S

G2S

英镑

参数

漏源极电压

1号门至源极电压

2号门至源极电压

漏电流

通道温度

储存温度

总功耗

单位

°C

评级

-4.5

125

-55到+125

200

注意：

1.操作中过量的这些参数中的任何一个，可能会导致

在永久性损坏。

典型性能曲线

= 25°C)

总功耗对比

环境温度

250

100

漏电流与

1号门至源极电压

= 5 V

G2S

= 1 V

总功率耗散，P

（ mW）的

免费

空气

漏电流，我

（MA ）

200

0.5 V

150

100

-0.5 V

-1.0 V

100

125

1.8

-1.2

-0.6

+0.6

+1.2

环境温度，T

(°C)

1号门至源极电压，V

G1S

(V)

正向转移导纳主场迎战

1号门至源极电压

正向转移导纳主场迎战

漏电流

正向转移导纳， | Y

|女士

= 5 V

F = 1千赫

正向转移导纳， | Y

|女士

= 5 V

F = 1kHz时

G2S

= 1 V

GS2

=1V

0.5 V

-1.8

-1.2

-0.6

-0.5 V

+0.6

+1.2

-0.5 V

100

1号门至源极电压，V

G1S

(V)

漏电流，我

（MA ）

NE25339

典型性能曲线

= 25°C)

输入电容与

2号门至源极电压

2.0

功率增益和噪声系数对比

2号门至源极电压

输入电容，C

国际空间站

（PF ）

G1S

= 1 V时我

- 毫安

功率增益，G

（ dB）的

G1S

= 1 V时我

= 5毫安

-15

1.0

-30

= 5 V

F = 1千赫

-1.0

+1.0

-45

-3.0

-2.0

-1.0

+1.0

+2.0

2号门至源极电压，V

G2S

(V)

2号门至源极电压，V

G2S

(V)

功率增益和噪声系数对比

漏电流

功率增益，G

（ dB）的

= 5 V

G2S

= 1 V

F = 900兆赫

漏电流，我

（MA ）

测试电路图

900兆赫的摹

和NF测试电路

G2S

(1 V)

1000pF

47 k

1000 pF的

UP TO 10 pF的

输入

最多

10 pF的

47 k

最多

10 pF的

RFC

UP TO 10 pF的

产量

1000pF

, L

， 35 X 5 X 0.2毫米

注：我

= 10毫安

G1S

(5 V)

噪声系数NF （ dB）的

NE25339

非线性模型

单位模型参数

参数

时间

电容

电感

阻力

电压

当前

单位

秒

法拉

亨利

欧

伏

安培

FET非线性模型参数

(1)

参数

UGW

NGF

RIS

RID

头

CDSO

C11O

C11TH

VINFL

DELTGS

DELTDS

LAMBDA

C11DELT

C12O

C12SAT

CGDSAT

KBK

VBR

NBR

（ 1 ）天秤座EEFET3型号

FET1

100e-6

8.78e-10

1.33

1.0e-12

5.0e-15

0.25e-12

0.1e-12

-1.12

1.2

0.25

0.01e-12

1.0e-15

0.03

6.5

FET2

100e-6

8.78e-10

1.33

1.0e-12

5.0e-15

0.5e-12

0.1e-12

-1.12

1.2

0.1

0.25

0.01e-12

1.0e-15

0.03

6.5

参数

IDSOC

RDB

CBS

GDBM

KDB

超深亚微米

GMMAXAC

GAMMAAC

KAPAAC

PEFFAC

VTOAC

VTSOAC

VDELTAC

GMMAX

伽玛

KAPA

Peff

VTO

VTSO

VDELT

VCH

VSAT

VGO

VDSO

FET1

0.07

1.0e9

0.16e-12

0.00035

0.0195

0.006

0.95

1.67

-1.895

-10

0.0294

0.005

0.8

1.636

-2

-10

1.47

FET2

0.07

1.0e9

0.16e-12

0.0394

0.06

0.95

2.07

-1.895

-10

0.0394

0.006

0.026

1.636

-2

-10

1.47

NE25339

概要

PORT

Pdrain

端口= 2

帽

CpkgG2D

C = 0.15

IND

L = 1.30e -02

水库

R = 4.50

帽

Cg2d

C = 0.15

PORT

端口= 3

IND

Lg2

L = 2.50

水库

Rg2

R = 0.2

EEFET3

FET2

UGW=800

N=4

FILE = 720 m_t.mdif

模式=非线性

帽

CpkgDS

C = 0.21

帽

CpkgG1G2

C = 0.21

帽

Cg1d

C = 4.30e -02

IND

Lg1

L = 1.00E -02

水库

R12

R = 0.10

EEFET3

FET1

UGW=800

N=4

FILE = 720 m_b.mdif

模式=非线性

PORT

Pgate1

端口= 1

水库

Rg1

R = 0.2

帽

Cg1s

C = 1.00E -02

帽

Cg2s

C = 0.25

水库

R = 5.30

IND

L=3

帽

CpkgG1S

C = 0.15

单位

参数

电容

电感

阻力

单位

皮法

纳亨

欧

PORT

端口= 4

注意事项：

1.本UGW价值尺度第1页上的参数。

2.该N值是栅指的数量和规模的

模型参数第1页。

频率：

偏见：

0.1至1.5千兆赫

= 3 V ， Vg的

S = -1.45 V， Vg的

s = 1,2的V时，我

= 3毫安

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SOT143

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