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1996年9月

NDT452P

P沟道增强型场效应晶体管

概述

功率SOT P沟道增强型功率场

场效应晶体管都采用飞兆半导体生产的

专有的，高密度， DMOS技术。这很

高密度工艺特别是针对减少

通态电阻，提供出色的开关

性能。这些装置特别适用于低

电压应用，例如笔记本电脑的电源

管理和DC电机控制。

特点

-3A ， -30V 。

DS （ ON）

= 0.18

@ V

= -10V.

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力的一种广泛使用的

表面贴装封装。

____________________________________________________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

- 连续

- 脉冲

最大功率耗散

= 25 ° C除非另有说明

NDT452P

-30

±20

（注1A ）

单位

±3

±20

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.3

1.1

-65到150

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

*订购选项J23Z的裁剪中心漏极引线。

1997仙童半导体公司

NDT452P牧师C3

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= -250 A

= -24 V, V

= 0 V

= 55°C

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

= 20 V, V

= 0 V

= -20 V, V

= 0 V

= V

, I

= -250 A

=125°C

静态漏源导通电阻

= -10 V，I

= -3 A

=125°C

= -4.5 V，I

= - 2.2 A

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

通态漏电流

= -10 V, V

= -5 V

= -4.5 V, V

= -5 V

正向跨导

= -15 V，I

= -3 A

= -10 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

525

300

130

-15

-4.5

3.7

-1

-0.85

-2

-1.7

0.15

0.23

0.27

-30

-2

-25

100

-100

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

-3

-2.6

0.18

0.32

开关特性

（注2 ）

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= -10 V,

= -3 A ，V

= -10 V

= -10 V，I

= -1.0 A,

根

= -10 V ，R

根

= 6

1.6

4.5

NDT452P牧师C3

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性和最大额定值

注意事项：

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 0 V，I

= -3 A

（注2 ）

-2.5

-1.2

(

) =

J A

)

(

J·C

)

(

) ×

(

)

典型

使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：

a. 42

装在一个1在C / W的时

垫2盎司覆铜。

B 。 95 C /中2盎司覆铜垫安装在0.066当W 。

c. 110

安装在一个0.0123 C / W的时

垫2盎司覆铜。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

NDT452P牧师C3

典型电气特性

-18

= -10V

，漏源电流（A ）

-15

-8.0

-7.0

-6.0

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

2.5

-12

-5.0

= -4.0V

-4.5V

-9

-5.0V

1.5

-4.0

-6

-3

-3.0

-6.0V

-7.0V

-8.0V

-10V

-1

-2

-3

-4

，漏源电压（V ）

-5

0.5

-2

-4

-6

，漏电流（ A）

-8

-10

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与栅极电压

和漏极电流。

1.5

3.5

漏源导通电阻

1.4

1.3

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

-50

= -3A

= -10V

DS （ ON）

归一化

= -4.5 V

DS （ ON）

归一化

2.5

TJ = 125°C

-4.5V

25°C

1.5

125°C

-10V

25°C

0.5

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

-2

-4

-6

，漏电流（ A）

-8

-10

图3.导通电阻变化

与温度。

图4.导通电阻变化与漏

电流和温度。

-10

1.15

TJ = -55°C

门源阈值电压

= -10V

-8

125

1.1

1.05

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

-50

= V

= -250A

我，漏极电流（ A）

-6

-4

-2

-1

-2

-3

-4

，门源电压（ V）

-5

归一化

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

图5.传输特性。

图6.门阈值变化与

温度。

NDT452P牧师C3

典型电气特性

（续）

1.1

漏源击穿电压

1.05

-I

，反向漏电流（ A）

= -250A

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

= 0V

DSS

归一化

T J = 125°C

25°C

-55°C

0.95

0.9

0.85

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

-0.4

-0.8

-1.2

-1.6

-2

，体二极管正向电压（ V）

图7.击穿电压变化与

温度。

图8.体二极管正向电压的变化

与电流和温度。

1000

= -3A

-V

，栅源电压（V ）

700

= -10V

国际空间站

电容（pF）

500

300

OSS

200

F = 1 MHz的

= 0 V

100

0.1

RSS

0.5

0.2

-V

，栅极电荷（ NC）

，漏源极电压（ V）

图9.电容特性。

图10.栅极电荷特性。

-V

关闭

90%

OUT

D（上）

D（关闭）

90%

OUT

根

10%

DUT

10%

90%

10%

50%

脉冲宽度

倒

图11.开关测试电路。

图12.开关波形。

NDT452P牧师C3

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