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1996年8月

NDT014L

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

概述

这些N沟道逻辑电平增强型功率场

场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，

高密度， DMOS technology.This密度非常高

过程特别是针对减少通态电阻，

提供出色的开关性能，并能承受高

能量脉冲雪崩和减刑

modes.Thesedevices特别适用于低电压

应用，如直流电动机的控制和DC / DC

转换中快速切换，低线功率损耗，并

需要抗瞬变。

特点

2.8 A， 60 V

DS （ ON）

= 0.2

@ V

= 4.5 V

DS （ ON）

= 0.16

@ V

= 10 V.

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力的一种广泛使用的

表面贴装封装。

_________________________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

= 25 ° C除非另有说明

NDT014L

± 20

（注1A ）

单位

- 连续

- 脉冲

± 2.8

± 10

最大功率耗散

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.3

1.1

-65到150

英镑

工作和存储温度范围

°C

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

1997仙童半导体公司

NDT014L Rev.D

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

= 0 V，I

= 250 A

= 60 V, V

= 0 V

= 55°C

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

= 20 V, V

= 0 V

= -20 V, V

= 0 V

= V

, I

= 250 A

= 125°C

静态漏源导通电阻

= 4.5 V，I

= 2.8 A

= 125°C

= 10 V，I

= 3.4 A

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

通态漏电流

= 4.5 V , V

= 5 V

= 10 V, V

= 5 V

正向跨导

= 5 V，I

= 2.8 A

= 30 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

214

4.2

0.8

1.5

1.1

0.17

0.22

0.12

250

100

-100

基本特征

（注2 ）

栅极阈值电压

0.2

0.36

0.16

开关特性

（注2 ）

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 10 V,

= 2.8 A，V

= 4.5 V

= 30 V，I

= 3 A,

根

= 10 V ，R

根

= 12

3.6

0.8

1.4

NDT014L Rev.D

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

漏源二极管的特性和最大额定值

注意事项：

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

(

) =

= 0 V，I

= 2.3 A

（注2 ）

= 0 V，I

= 2.3二

/ DT = 100 A / μs的

0.85

2.3

1.3

140

θJC

= CA

(t)

(

) ×

DS （ ON） @T

是总和的结到壳体和壳体至环境，其中的情况下热参考被定义为热电阻

θJA

(t)

焊接的漏极引脚安装表面。

由设计而

由用户定义。供参考：静止空气环境下的4.5"x5" FR- 4 PCB板的应用，典型的

被发现是：

a. 42

C / W与1

2盎司纯铜安装盘。

b. 95

C / W在0.066

2盎司纯铜安装盘。

c. 110

C / W ，在0.0123

2盎司纯铜安装盘。

在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

NDT014L Rev.D

典型电气特性

6.0

4.5

4.0

DS （ ON）

归一化

漏源导通电阻

，漏源电流（A ）

= 10V

5.0

1.75

1.5

=3.0V

3.5

1.25

4.0

4.5

5.0

6.0

3.0

2.5

，漏源电压（V ）

0.75

0.5

我，漏极电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与门

电压和漏电流。

1.75

= 2.8A

漏源导通电阻

1.75

= 4.5V

TJ = 125°C

漏源导通电阻

DS （ ON）

归一化

1.5

= 4.5V

DS （ ON）

归一化

1.5

1.25

25°C

0.75

-55°C

0.5

-50

-25

100

T，结温（ ° C）

125

150

0.5

我，漏极电流（ A）

图3.导通电阻变化与

温度。

图4.导通电阻变化与漏

电流和温度。

= 5V

，漏电流（ A）

T = -55°C

25°C

125°C

GS （ TH）

归一化

门源阈值电压

1.2

1.1

= V

= 250A

0.9

0.8

0.7

-50

-25

，门源电压（ V）

100

T，结TEMPERA

TURE （ ° C）

125

150

图5.传输特性。

图6.门阈值变化与

温度。

NDT014L Rev.D

典型电气特性

1.12

漏源击穿电压

= 250A

1.08

= 0V

我，反向漏电流（ A）

DSS

归一化

T J = 125°C

0.1

1.04

25°C

0.01

-55°C

0.001

0.96

0.92

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.0001

0.2

0.4

0.6

0.8

，体二极管正向电压（ V）

1.2

图7.击穿电压变化与

温度。

图8.体二极管正向电压的变化

与电流和温度

700

500

，栅源电压（V ）

= 2.8A

= 5V

20V

10V

西塞

电容（pF）

200

科斯

100

0.1

F = 1 MHz的

= 0V

CRSS

0.2

0.5

，漏源极电压（ V）

，栅极电荷（ NC）

图9.电容特性。

图10.栅极电荷特性。

D（上）

90%

关闭

D（关闭）

90%

OUT

根

OUT

DUT

10%

倒

90%

10%

50%

脉冲宽度

图11.开关测试电路

图12.开关波形

NDT014L Rev.D

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