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1996年2月
NDS9936
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻，提供
出色的开关性能。这些器件特别
适用于低电压应用，如直流/直流转换
磁盘驱动电机的控制，和其它电池供电的电路
其中，快速开关，低线的功率损耗，以及电阻
需要瞬变。
特点
5A， 30V 。
DS （ ON）
= 0.05
@ V
GS
= 10V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
表面贴装封装。
表面双MOSFET贴装封装。
________________________________________________________________________________
5
4
3
2
1
6
7
8
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
- 连续@ T
A
= 70°C
- 脉冲
P
D
@ T
A
= 25°C
功耗双操作
功率消耗单操作
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1A ）
（注1A ）
NDS9936
30
± 20
± 5.0
± 4.0
± 40
2
1.6
1
0.9
-55到150
78
40
单位
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
°C
° C / W
° C / W
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
（注1A ）
（注1 ）
1997仙童半导体公司
NDS9936.SAM
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
条件
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
=125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 5 A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 3.9 A
T
J
=125°C
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V,
I
D
= 5 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 15 V，I
D
= 1 A,
V
GS
= 10 V ，R
根
= 6
V
GS
= 10 V, V
DS
= 10 V
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 3.5 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
动态特性
525
315
185
12
10
25
10
17
1.5
3.7
30
25
50
50
35
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
40
20
3
8
S
1
0.7
1.4
1.1
0.044
0.066
0.066
0.099
民
30
2
20
100
-100
3
2.2
0.05
0.1
0.08
0.16
A
典型值
最大
单位
V
A
A
nA
nA
V
开关特性
基本特征
（注2 ）
开关特性
（注2 ）
1993仙童半导体公司
NDS9936.SAM
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
S
V
SD
t
rr
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
参数
条件
民
典型值
最大
1.7
单位
A
V
ns
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续型漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
V
GS
= 0 V，I
S
= 1.7 A
（注2 ）
0.78
70
1.2
160
V
GS
= 0V时，我
F
= 5 A ，二
F
/ DT = 100 A / μs的
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
T
J
T
A
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
对于单台设备的操作使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 78
o
安装在一个0.5℃ / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 125
o
安装在一个0.02 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
c. 135
o
安装在一个0.003 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDS9936.SAM
典型电气特性
18
V
GS
=10V
I
D
，漏源电流（A ）
2
6.0 5.0 4.5
12
漏源导通电阻
4.0
R
DS （ ON）
归一化
1.8
V
GS
= 3.5V
3.5
1.6
1.4
4.0
4.5
5.0
3.0
6
1.2
1
6.0
10
2.5
0
0
1
2
V
DS
，漏源电压（V ）
3
0.8
0
2
4
6
I
D
，漏电流（ A）
8
10
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化与栅极电压
和漏极电流。
1.6
2.5
I
D
= 5A
漏源导通电阻
1.4
漏源导通电阻
T（ ℃） 125
J
25
-55
V
GS
= 4.5 V
10V
4 .5V
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
R
DS （ ON）
归一化
2
1.2
1.5
1
0.8
1
10V
4 .5V
10V
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T，结温（ ° C）
J
125
150
0.5
0
2
4
6
I
D
，漏电流（ A）
8
10
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度。
V
DS
= 15V
8
I
D
，漏电流（ A）
TJ = -55°C
25
125
V
th
归一化
门源阈值电压
10
1.2
1.1
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
1
6
0.9
4
0.8
2
0.7
0
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
，门源电压（ V）
3.5
4
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
图5.传输特性。
图6.门阈值变化与
温度。
NDS9936.SAM
典型电气特性
（续）
漏源击穿电压
1.15
10
I
D
= 250A
I
S
，反向漏电流（ A）
1.1
5
2
1
0.5
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
TJ = 125°C
1.05
25°C
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1
-55°C
0.95
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
，结温（ ° C）
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图7.击穿电压变化与
温度。
图8.体二极管正向电压的变化
与电流和温度。
1500
1000
10
I
D
= 5A
V
GS
，栅源电压（V ）
8
V
DS
= 15V
电容（pF）
500
国际空间站
6
300
200
4
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
OSS
RSS
1
2
5
10
20
30
2
100
0.1
0.2
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
，漏源极电压（ V）
Q
g
，栅极电荷（ NC）
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性。
V
DD
V
IN
D
t
on
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
DUT
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
t
f
V
GS
V
O u那样牛逼
R
根
10%
10%
倒
G
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
PULSE W ID
图11.开关测试电路。
图12.开关波形。
NDS9936.SAM
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