1996年2月
NDS9405
单P沟道增强型场效应晶体管
概述
这些P沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对已最大限度地减少通态电阻，
提供出色的开关性能，并能承受高
能量脉冲雪崩和换向模式。
这些装置特别适用于低电压
应用，如笔记本计算机的电源管理
和其它电池供电的电路，其中快速开关，低
在线需要的功率损耗，以及抗瞬变。
特点
-4.3A ， -20V 。
DS （ ON）
= 0.10
@ V
GS
= -10V
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
表面贴装封装。
____________________________________________________________________________________
5
6
4
3
7
8
2
1
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
栅源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS9405
-20
± 20
（注1A ）
（注1A ）
单位
V
V
A
漏电流 - 连续T
A
= 25°C
- 连续T
A
= 70°C
- 脉冲
T
A
= 25°C
± 4.3
± 3.3
± 20
P
D
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
2.5
W
1.2
1
-55到150
°C
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= -250 A
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250 A
T
J
= 125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10 V，I
D
= -2 A
T
J
= 125°C
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -2 A
T
J
= 125°C
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
V
GS
= -10 V, V
DS
= -5 V
V
GS
= -4.5, V
DS
= -5V
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -15 V，I
D
= -4.3 A
V
DS
= -10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
动态特性
1425
850
430
pF
pF
pF
-20
-5
9
S
-0.5
-0.85
0.053
0.075
0.08
0.12
-1.65
-20
-2
-25
100
-100
V
A
A
nA
nA
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
-3
-2.6
0.1
0.15
0.16
0.24
A
V
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= -10 V,
I
D
= -4.3 A，V
GS
= -10 V
V
DD
= -10 V，I
D
= -1 A,
V
根
= -10 V ，R
根
= 6
17
24
56
30
30
80
200
200
40
5
25
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
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电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
S
V
SD
t
rr
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
参数
条件
民
典型值
最大
-2.2
单位
A
V
ns
漏源二极管的特性和最大额定值
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
反向恢复时间
V
GS
= 0 V，I
S
= -1.25 A
（注2 ）
-0.78
80
-1.6
V
GS
= 0V时，我
F
= -1.25一，二
F
/ DT = 100 A / μs的
P
D
(
t
) =
T
J
T
A
R
θ
JA
(
t
)
=
T
J
T
A
R
θ
JC
+
R
θ
CA
(
t
)
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 50
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
b. 105
o
安装在一个0.04 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
c. 125
o
安装在一个0.006 C / W的时
2
垫2盎司cpper的。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
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典型电气特性
-20
V
GS
= -10V
3
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
I
D
，漏源电流（A ）
- 6.0 - 5.0
- 4.5
- 4.0
V
GS
= -3.5V
2.5
-15
2
-4.0V
-4.5V
-10
- 3.5
1.5
-5.0V
-6.0V
-5
- 3.0
1
-10V
0
0
-1
-2
-3
-4
V
DS
，漏源电压（V ）
-5
0.5
0
-3
-6
-9
I
D
，漏电流（ A）
-12
-15
图1.区域特征。
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压。
1.5
2.5
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
-50
I
D
= -4.3A
V
GS
= -10V
TJ = 25°C
2
V
GS
= -4.5V
1.5
V
GS
= -10V
1
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.5
0
-3
-6
-9
I
D
，漏电流（ A）
-12
-15
图3.导通电阻变化
随温度
.
图4.导通电阻变化
与漏极电流
.
20
1.1
V
DS
= -10V
16
125
门源阈值电压
TJ = -55°C
25
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0.75
-50
V
DS
= V
GS
-I
D
，漏电流（ A）
I
D
= -250A
12
8
4
0
1
2
3
4
5
-V
GS
，门源电压（ V）
6
-V
th
归一化
-25
0
25
50
75
100
T，结温（ ° C）
J
125
150
图5.传输特性。
图6.门阈值变化
随温度
.
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典型电气特性
（续）
1.15
20
漏源击穿电压
-I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
= -250A
1.1
10
5
2
1
V
GS
= 0V
BV
DSS
归一化
1.05
TJ = 125°C
0.1
25°C
-55°C
1
0.95
0.01
0.9
-50
-25
0
T
J
25
50
75
100
125
150
0
，结温（ ° C）
0.5
1
1.5
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
2
图7.击穿电压
随温度的变化。
图8.体二极管正向电压的变化与
源电流和温度。
2500
2000
-V
GS
，栅源电压（V ）
10
I
D
= -4.3A
国际空间站
8
V
DS
= -5V
-15V
-10V
1500
电容（pF）
1000
OSS
6
4
500
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
RSS
2
300
0.1
0.2
0.5
1
2
5
-V
，漏源极电压（ V）
DS
10
20
0
0
10
20
Q
g
，栅极电荷（ NC）
30
40
图9.电容特性
.
图10.栅极电荷特性。
-V
DD
V
IN
D
t
on
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
t
f
V
GS
R
根
V
OUT
G
DUT
10%
10%
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
PULSE W ID
倒
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形。
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