【1997年6月NDS8936双N沟道增强型场效应晶体管概述这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆】,IC型号NDS8936,NDS8936 PDF资料,NDS8936经销商,ic,电子元器件-51电子网

1997年6月

NDS8936

双N沟道增强型场效应晶体管

概述

这些N沟道增强型功率场效应

晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生

密度， DMOS技术。这非常高密度的过程

特别是针对减少通态电阻，提供

出色的开关性能。这些器件特别

适用于低电压应用，如笔记本电脑

功率管理和其它电池供电的电路，其中

快速开关，低线的功率损耗，以及电阻

需要瞬变。

特点

5.3A ， 30V 。

DS （ ON）

= 0.035

@ V

= 10V

DS （ ON）

= 0.05

@ V

= 4.5V.

高密度电池设计极低R

DS （ ON）

高功率和电流处理能力的一种广泛使用的

表面贴装封装。

表面双MOSFET贴装封装。

________________________________________________________________________________

绝对最大额定值

符号

DSS

GSS

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流 - 连续

- 脉冲

= 25 ° C除非另有说明

NDS8936

± 20

（注1A ）

单位

± 5.3

± 20

功耗双操作

功率消耗单操作

（注1A ）

（注1B ）

（注1C ）

1.6

0.9

-55到150

°C

英镑

θJA

θJC

工作和存储温度范围

热特性

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

（注1A ）

（注1 ）

° C / W

1997仙童半导体公司

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电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

DSS

GSSF

GSSR

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门 - 体泄漏，正向

门 - 体泄漏，反向

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

条件

= 0 V，I

= 250 A

= 24 V, V

= 0 V

= 55°C

= 20 V, V

= 0 V

= -20 V, V

= 0 V

= V

, I

= 250 A

= 125°C

= 10 V，I

= 5.3 A

= 125°C

= 4.5 V，I

= 4.4 A

= 125°C

D（上）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

通态漏电流

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开 - 延迟时间

打开 - 上升时间

打开 - 关闭延迟时间

打开 - 关闭下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

= 10 V,

= 5.3 A，V

= 10 V

= 10 V，I

= 1 A,

根

= 10 V ，R

根

= 6

= 10 V, V

= 5 V

= 4.5 V, V

= 5 V

= 10 V，I

= 5.3 A

= 15 V, V

= 0 V,

F = 1.0 MHz的

动态特性

720

370

250

2.2

5.5

10.5

0.7

1.6

1.2

0.033

0.046

0.064

民

100

-100

2.8

2.2

0.035

0.063

0.05

0.09

典型值

最大

单位

开关特性

基本特征

（注2 ）

开关特性

（注2 ）

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电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

符号

注意事项：

1. R

在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。

被担保

设计，同时

是通过用户的电路板的设计来确定。

参数

条件

民

典型值

最大

1.2

单位

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

反向恢复时间

= 0 V，I

= 5.3 A

（注2 ）

0.9

1.3

100

= 0 V，I

= 1.25 A ，二

/ DT = 100 A / μs的

(

) =

(

)

(

)

(

) ×

(

)

典型

qJA

对于单台设备的操作使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：

a. 78

安装在一个0.5℃ / W的时

垫2盎司覆铜。

b. 125

安装在一个0.02 C / W的时

垫2盎司覆铜。

c. 135

安装在一个0.003 C / W的时

垫2盎司覆铜。

比例为1 ： 1的信纸尺寸的纸张。

2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％。

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典型电气特性

=10V

6.0 5.0

4.5

漏源导通电阻

= 3.0V

4.0

DS （ ON）

归一化

，漏源电流（A ）

2.5

3.5

4.0

4.5

3.5

1.5

5.0

6.0

3.0

0.5

1.5

，漏源电压（V ）

2.5

0.5

，漏电流（ A）

图1.区域特征。

图2.导通电阻变化与门

电压和漏电流。

1.6

漏源导通电阻

= 5.3A

1.4

= 10V

漏源导通电阻

1.75

DS （ ON）

归一化

的s

=10V

DS （ ON）

归一化

1.5

1.2

TJ = 125°C

1.25

25°C

0.8

-55°C

0.75

0.6

-50

-25

100

T，结温（ ° C）

125

150

0.5

，漏电流（ A）

图3.导通电阻变化与

温度。

图4.导通电阻变化与漏

电流和温度。

1.2

125°C

归一化

门源阈值电压

= 10V

，漏电流（ A）

TJ = -55°C

25°C

1.1

= V

= 250A

0.9

0.8

0.7

，门源电压（ V）

0.6

-50

-25

100

T，结温（ ° C）

125

150

图5.传输特性。

图6.门阈值变化与

温度。

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典型电气特性

1.1

漏源击穿电压

1.05

= 250A

，反向漏电流（ A）

=0V

DSS

归一化

TJ = 125°C

0.1

25°C

-55°C

0.95

0.01

0.9

-50

-25

100

，结温（ ° C）

125

150

0.001

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

，体二极管正向电压（ V）

图7.击穿电压变化与

温度。

图8.体二极管正向电压的变化

与电流和温度

2000

1500

= 5.3A

，栅源电压（V ）

= 5V

10V

20V

1000

电容（pF）

国际空间站

500

OSS

200

F = 1 MHz的

= 0V

RSS

100

0.1

0.2

0.5

，漏源极电压（ V）

，栅极电荷（ NC）

图9.电容特性。

图10.栅极电荷特性。

，跨导（ SIEMENS ）

= 10V

TJ = -55°C

25°C

125°C

，漏电流（ A）

图11.跨导变化与漏

电流和温度。

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