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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第61页 > NDS8426A
1998年1月
NDS8426A
单N沟道增强型场效应晶体管
概述
SO - 8 N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高生产
细胞密度， DMOS技术。这非常高的密度
工艺特别适合于减小导通状态
性，并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用，例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路，其中
快速开关，低线的功率损耗，以及电阻
需要瞬变。
特点
10.5 A， 20 V
DS （ ON）
= 0.0135
@ V
GS
= 4.5 V.
R
DS （ ON）
= 0.016
@ V
GS
= 2.7 V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
表面贴装封装。
___________________________________________________________________________________________
5
6
7
8
4
3
2
1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1A ）
NDS8426A
20
±8
10.5
30
2.5
1.2
1
-55到150
单位
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
R
θJA
R
θJC
工作和存储温度范围
°C
热特性
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
1998仙童半导体公司
NDS8426A Rev.B的
1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
V
GS
= 8 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -8 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10.5 A
T
J
= 125°C
V
GS
= 2.7 V，I
D
= 10 A
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
通态漏电流
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10 V,
I
D
= 10.5 A，V
GS
= 4.5 V
V
DD
= 5 V，I
D
= 1 A,
V
根
= 4.5 V ，R
根
= 6
V
GS
= 4.5 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 5 V，I
D
= 10.5 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
30
43
2150
890
165
11
26
145
40
43
7
8
30
55
220
100
60
0.4
0.3
0.6
0.5
0.012
0.017
0.014
20
1
10
100
-100
1
0.8
0.0135
0.024
0.016
A
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
A
A
nA
nA
V
基本特征
（注2 ）
动态特性
开关特性
（注2 ）
NDS8426A Rev.B的
1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
参数
连续源二极管电流
漏源二极管的正向电压
条件
民
典型值
最大
2.1
单位
A
V
漏源二极管的特性
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
0.6
1.2
（注2 ）
P
D
(
t
) =
T
J
T
A
R
θJA
(t)
=
T
J
T
A
R
θJC
+R
= CA
(t)
=
I
2
(
t
) ×
R
DS （ ON） @T
J
D
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 50
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 105
o
安装在一个0.04 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
c. 125
o
安装在一个0.006 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDS8426A Rev.B的
1
典型电气特性
40
I
D
，漏源电流（A ）
1.8
V
GS
=4.5V
3.5
2.7
R
DS （ ON）
归一化
漏源导通电阻
2.5
2.0
1.6
30
1.4
V
GS
= 2.0 V
20
1.5
1.2
2.5
2.7
3.0
3.5
10
1
4.5
0
0
0.5
1
1.5
2
0.8
0
8
V
DS
，漏源电压（V ）
16
24
I
D
，漏电流（ A）
32
40
图1.区域特征
.
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压
.
1.6
1.8
I
D
= 10.5A
漏源导通电阻
V
GS
=4.5V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
漏源导通电阻
1.4
R
DS （ ON）
归一化
1.2
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
= 4.5V
TJ = 125°C
25°C
1
0.8
-55°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T，结温（ ° C）
J
125
150
0
10
20
I
D
，漏电流（ A）
30
40
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化
与漏电流和温度
.
40
门源阈值电压
V
DS
= 5V
32
T J = -55°C
125
1.3
25
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
-50
-25
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
I
D
，漏电流（ A）
24
16
8
0
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
，门源电压（ V）
2.5
V
GS （ TH）
归一化
0
25
50
75
100
T，结温（ ° C）
J
125
150
图5.传输特性
.
图6.门阈值变化
随温度
.
NDS8426A Rev.B的
1
典型电气特性
（续）
1.12
30
漏源击穿电压
1.08
I
S
，反向漏电流（ A）
I
D
= 250A
10
V
GS
= 0V
TJ = 125°C
25°C
BV
DSS
归一化
1
1.04
0.1
-55°C
1
0.01
0.96
0.001
0.92
-50
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0.0001
0
0.3
0.6
0.9
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图7.击穿电压变化
随温度
.
图8.体二极管正向电压的变化
与源电流和
温度
.
5000
3000
2000
电容（pF）
V
GS
，栅源电压（V ）
4
I
D
= 10.5A
西塞
3
V
DS
= 5V
10V
15V
1000
科斯
2
500
200
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0 .2
0 .5
1
2
5
V
，漏源极电压（ V）
DS
1
CRSS
10
15 20
100
0 .1
0
0
8
16
24
Q
g
，栅极电荷（ NC）
32
40
图9.电容特性。
图10.栅极电荷特性
.
V
DD
V
IN
D
t
on
t
关闭
t
r
90%
R
L
V
OUT
t
D（上）
t
D（关闭）
90%
t
f
V
GS
R
根
V
OUT
G
DUT
10%
10%
倒
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形
.
NDS8426A Rev.B的
1
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NAND01GR4M0AZC5E
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