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1997年2月
NDS8410S
单N沟道增强型场效应晶体管
概述
SO - 8 N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的，高电池产生
密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻，提供
出色的开关性能。这些器件特别
适用于低电压应用，如笔记本电脑
功率管理和其它电池供电的电路，其中
快速开关，低线的功率损耗，以及电阻
需要瞬变。
特点
8.6 A， 30 V
DS （ ON）
= 0.02
@ V
GS
= 10 V.
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
高功率和电流处理能力的一种广泛使用的
表面贴装封装。
____________________________________________________________________________________________
5
6
7
8
4
3
2
1
绝对最大额定值
T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
（注1C ）
（注1A ）
NDS8410S
30
±20
8.6
30
2.5
1.2
1
-55到150
单位
V
V
A
W
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
50
25
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDS8410S Rev.C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 55°C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10 V，I
D
= 8.6 A
T
J
= 125°C
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 10 V, V
DS
= 5 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 8.6 A
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
30
15
2
1.4
2.2
1.6
0.015
0.021
30
1
10
100
-100
V
A
A
nA
nA
基本特征
（注2 ）
栅极阈值电压
4
2.8
0.02
0.036
A
S
V
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
1105
790
295
pF
pF
pF
开关特性
（注2 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 10 V,
I
D
= 8.6 A，V
GS
= 10 V
V
DD
= 10 V，I
D
= 1 A,
V
根
= 10 V ，R
根
= 6
11
15
30
20
33
6.5
9
25
30
60
40
46
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
NDS8410S Rev.C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
2.1
（注2 ）
单位
A
V
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 2.1 A
0.75
1.2
P
D
(
t
) =
R
θ
J A
t
)
(
T
J
T
A
=
R
θ
J·C
R
θ
CA
t
)
+
(
T
J
T
A
=
I
2
(
t
) ×
R
DS
(
ON
)
D
T
J
典型
θ
JA
对于单台设备的操作使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 50
o
装在一个1在C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 105
o
安装在一个0.04 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
c. 125
o
安装在一个0.006 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
1c
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％
NDS8410S Rev.C
典型电气特性
30
3
漏源导通电阻
V
GS
=10V
6.0
5.5
5.0
R
DS （ ON）
归一化
，漏源电流（A ）
V
GS
= 4.0V
24
2.5
4.5
18
4.5
2
5.0
5.5
6.0
7.0
10
12
1.5
4.0
6
1
D
3.5
0
0
0.5
V
DS
I
0.5
1
1.5
2
，漏源电压（V ）
2.5
3
0
6
12
18
24
30
I
D
，漏电流（ A）
图1.区域特征
.
图2.导通电阻变化
与漏极电流和栅极电压
.
1.6
R
DS （ ON）
归一化
漏极 - 源极导通电阻（欧姆）
1.8
I
D
= 8.6A
漏源导通电阻
V
GS
= 10V
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
1.4
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
TJ = 125°C
1.2
1
25°C
0.8
-55°C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T，结温（ ° C）
J
125
150
0
5
10
15
20
I
D
，漏电流（ A）
25
30
图3.导通电阻变化
与温度。
图4.导通电阻变化
与漏电流和温度
.
40
1.2
V
DS
= 10V
32
T J = -55°C
25°C
-125°C
门源阈值电压
V
DS
= V
GS
1.1
I
D
= 250A
我，漏极电流（ A）
V
GS （ TH）
归一化
1
24
0.9
16
0.8
D
8
0.7
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
，门源电压（ V）
5.5
6
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
T，结温（ ° C）
J
125
150
图5.转移特点酒色
.
图6.门阈值变化
随温度
.
NDS8410S Rev.C
典型电气特性
（续）
1.1
20
10
5
1
漏源击穿电压
I
D
= 250A
1.08
1.06
1.04
1.02
1
0.98
0.96
0.94
-50
我，反向漏电流（ A）
V
GS
= 0V
TJ = 125°C
25°C
BV
DSS
归一化
0.1
-55°C
0.01
0.001
S
0.0001
-25
0
25
50
75
100
T
J
，结温（ ° C）
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1.2
图7.击穿电压
随温度的变化
.
图8.体二极管正向电压的变化与
源电流和温度
.
3000
2000
V
GS
，栅源电压（V ）
10
I
D
= 8.6A
8
V
DS
= 5V
10V
15V
电容（pF）
西塞
1000
科斯
500
6
4
300
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
CRSS
2
150
0.1
0
0.2
0.5
1
2
VDS （ V）
5
10
20
30
0
8
16
24
Q
g
，栅极电荷（ NC）
32
40
图9.电容特性
.
图10.栅极电荷特性
.
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
V
GS
V
OUT
R
根
10%
10%
倒
G
90%
S
V
IN
10%
50%
50%
脉冲宽度
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形
.
NDS8410S Rev.C
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