1997年6月
NDS332P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些P沟道逻辑电平增强型功率场
场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高生产
细胞密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻。这些
器件特别适用于低电压的应用，如
笔记本电脑电源管理，便携式电子产品，
和其它电池供电的电路中快速高边
切换和低线的功率损耗，需要在一个非常小的
外形表面贴装封装。
特点
-1 ， -20 V ，R
DS （ ON）
= 0.41
@ V
GS
= -2.7 V
R
DS （ ON）
= 0.3
@ V
GS
= -4.5 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS （ TH）
< 1.0V 。
采用铜引线框架的专利包装设计
优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
________________________________________________________________________________
D
G
S
Asolute最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
参数
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS332P
-20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
-1
-10
0.5
0.46
-55到150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDS332P英文内容
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续电流源
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.42 A
（注2 ）
-0.75
-0.42
-1.2
A
V
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
P
D
(t) =
T
J
T
A
R
θJA
(t)
=
T
J
T
A
R
θJC
+R
= CA
(t)
=
I
2
(t) ×
R
DS （ ON） @T
J
D
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 250
o
安装在一个0.02 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 270
o
安装在一个0.001 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDS332P英文内容
典型电气特性
（续）
1.12
1
漏源击穿电压
V
GS
=0V
I
D
= -250A
1.08
-I ，反向漏电流（ A）
BV
DSS
归一化
0.1
0.05
1.04
TJ = 125°C
0.01
25°C
-55°C
1
0.96
0.001
0.92
-50
-25
0
T
J
25
50
75
100
，结温（ ° C）
125
150
S
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1
图7.击穿电压变化与
温度
.
图8.体二极管ForwardVoltageVariation与
源电流和温度
.
500
300
电容（pF）
200
5
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -1A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
4
西塞
科斯
3
100
2
50
30
20
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
0.2
-V
DS
CRSS
1
0.5
1
2
5
，漏源极电压（ V）
10
20
0
0
1
2
3
Q
g
，栅极电荷（ NC）
4
5
图9.电容特性
.
图10.栅极电荷特性
.
V
DD
V
IN
D
t
on
t
D（上）
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
t
f
R
L
V
OUT
DUT
V
GS
V
OUT
10%
10%
90%
R
根
G
V
IN
S
10%
50%
50%
脉冲宽度
倒
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形
.
NDS332PRev 。 ê
1997年6月
NDS332P
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些P沟道逻辑电平增强型功率场
场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，高生产
细胞密度， DMOS技术。这非常高密度的过程
特别是针对减少通态电阻。这些
器件特别适用于低电压的应用，如
笔记本电脑电源管理，便携式电子产品，
和其它电池供电的电路中快速高边
切换和低线的功率损耗，需要在一个非常小的
外形表面贴装封装。
特点
-1 ， -20 V ，R
DS （ ON）
= 0.41
@ V
GS
= -2.7 V
R
DS （ ON）
= 0.3
@ V
GS
= -4.5 V.
非常低的水平栅极驱动要求可直接
操作3V电路。 V
GS （ TH）
< 1.0V 。
采用铜引线框架的专利包装设计
优异的热和电性能。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
呈导通电阻和最大直流电流
能力。
紧凑的工业标准SOT- 23表面贴装
封装。
________________________________________________________________________________
D
G
S
Asolute最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
,T
英镑
参数
漏源电压
T
A
= 25 ° C除非另有说明
NDS332P
-20
±8
（注1A ）
单位
V
V
A
栅源电压 - 连续
漏电流 - 连续
- 脉冲
最大功率耗散
（注1A ）
（注1B ）
-1
-10
0.5
0.46
-55到150
W
工作和存储温度范围
°C
热特性
R
θ
JA
R
θ
JC
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
（注1A ）
（注1 ）
250
75
° C / W
° C / W
1997仙童半导体公司
NDS332P英文内容
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
最大连续电流源
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= -0.42 A
（注2 ）
-0.75
-0.42
-1.2
A
V
注意事项：
1. R
θ
JA
在这里的情况下热参考被定义为漏极引脚的焊锡安装表面的结到壳体和壳到环境的热阻之和。
θ
JC
被担保
设计，同时
θ
CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
P
D
(t) =
T
J
T
A
R
θJA
(t)
=
T
J
T
A
R
θJC
+R
= CA
(t)
=
I
2
(t) ×
R
DS （ ON） @T
J
D
典型
θ
JA
使用上4.5"x5" FR- 4 PCB的静止空气环境下图所示的电路板布局：
a. 250
o
安装在一个0.02 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
b. 270
o
安装在一个0.001 C / W的时
2
垫2盎司覆铜。
1a
1b
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.脉冲测试：脉冲宽度< 300μS ，占空比< 2.0 ％ 。
NDS332P英文内容
典型电气特性
（续）
1.12
1
漏源击穿电压
V
GS
=0V
I
D
= -250A
1.08
-I ，反向漏电流（ A）
BV
DSS
归一化
0.1
0.05
1.04
TJ = 125°C
0.01
25°C
-55°C
1
0.96
0.001
0.92
-50
-25
0
T
J
25
50
75
100
，结温（ ° C）
125
150
S
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
-V
SD
，体二极管正向电压（ V）
1
图7.击穿电压变化与
温度
.
图8.体二极管ForwardVoltageVariation与
源电流和温度
.
500
300
电容（pF）
200
5
-V
GS
，栅源电压（V ）
I
D
= -1A
V
DS
= -5V
-10V
-15V
4
西塞
科斯
3
100
2
50
30
20
0.1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
0.2
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CRSS
1
0.5
1
2
5
，漏源极电压（ V）
10
20
0
0
1
2
3
Q
g
，栅极电荷（ NC）
4
5
图9.电容特性
.
图10.栅极电荷特性
.
V
DD
V
IN
D
t
on
t
D（上）
t
r
90%
t
关闭
t
D（关闭）
90%
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f
R
L
V
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V
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V
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10%
10%
90%
R
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G
V
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S
10%
50%
50%
脉冲宽度
倒
图11.开关测试电路
.
图12.开关波形
.
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