NDS0605
2002年7月
NDS0605
P沟道增强型场效应晶体管
概述
这些P沟道增强型场效应
晶体管采用飞兆半导体专有的，
高密度， DMOS技术。这种非常高
密度方法已被设计为最小化导通
态电阻，提供坚固可靠
性能和快速切换。它们都可以使用，以
最小的努力，在大多数应用中需要高达
180毫安DC和可提供电流高达1A 。
此产品特别适合于低电压
应用程序需要低电流高侧开关。
特点
-0.18A ， -60V 。
R
DS （ ON）
= 5
@ V
GS
=
10
V
电压控制的P沟道小信号开关
高密度电池设计低R
DS （ ON）
高饱和电流
D
D
S
G
S
SOT-23
G
T
A
=25
o
C除非另有说明
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源电压
栅源电压
漏电流
- 连续
- 脉冲
最大功率耗散
减免上述25℃
参数
评级
60
±20
（注1 ）
单位
V
V
A
W
毫瓦/°C的
°C
°C
0.18
1
0.36
2.9
55
+150
300
（注1 ）
工作和存储结温范围
最大无铅焊接温度的
目的， 1/16“从案例10秒
热特性
R
θJA
热阻，结到环境
（注1 ）
350
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
605
设备
NDS0605
带尺寸
7’’
胶带宽度
8mm
QUANTITY
3000台
2002
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
NDS0605版本B （ W）
NDS0605
电气特性
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
I
DSS
I
GSS
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门体泄漏。
（注2 ）
测试条件
I
D
= –10
A
V
GS
= 0 V,
I
D
= –10
μA ，引用
至25℃
V
DS
= –48 V,
V
GS
=
±20
V,
V
GS
= 0 V
V
DS
= 0 V
最小典型最大
–60
–53
–1
–500
±100
单位
V
毫伏/°C的
A
A
nA
开关特性
V
DS
= –48 V,V
GS
= 0 V T，
J
= 125°C
基本特征
V
GS （ TH）
V
GS （ TH）
T
J
R
DS （ ON）
栅极阈值电压
栅极阈值电压
温度COEF网络cient
静态漏源
导通电阻
通态漏电流
正向跨导
V
DS
= V
GS
,
I
D
= –250 A
–1
I
D
= -250 μA ，参考25℃
V
GS
= -10 V，I
D
= –0.5 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –0.25 A
V
GS
= -10 V，I
D
= -0.5 A，T
J
=125°C
V
GS
= –10 V, V
DS
= – 10 V
V
DS
= –10V,
I
D
= – 0.2 A
–1.7
3
1.0
1.3
1.7
–3
V
毫伏/°C的
5.0
7.5
10
I
D（上）
g
FS
–0.6
0.07
0.43
A
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
（注2 ）
V
DS
= –25 V,
F = 1.0 MHz的
V
GS
= 0 V,
79
10
4
10
pF
pF
pF
V
GS
= -15 mV时， F = 1.0 MHz的
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
开启上升时间
关断延迟时间
关断下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DD
= –25 V,
V
GS
= –10 V,
I
D
= – 0.2 A,
R
根
= 6
2.5
6.3
10
7.5
5
12.6
20
15
2.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= –48 V,
V
GS
= –10 V
I
D
= –0.5 A,
1.8
0.3
0.4
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
V
SD
t
rr
Q
rr
最大连续漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
二极管的反向恢复时间
二极管的反向恢复电荷
V
GS
= 0 V,
I
S
= –0.5 A
（注2 ）
–0.8
17
（注2 ）
–
0.18
–1.5
A
V
nS
nC
I
F
= –0.5A
d
iF
/d
t
= 100 A / μs的
15
注意事项：
1.
R
θJA
是总和的结到壳体和壳到环境的热阻，其中所述壳体热参考被定义为所述焊料安装面
漏极引脚。
θJC
由设计而
= CA
是通过用户的电路板的设计来确定。
一个），安装在一个时350℃ / W的
最小焊盘..
在信纸尺寸的纸张1 ： 1规模
2.
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
NDS0610版本B （ W）
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
放弃
ImpliedDisconnect ？吃豆？
POP
等平面
Power247
LittleFET
的PowerTrench
的MicroFET
QFET
采用MicroPak
QS
MICROWIRE
QT光电
MSX
静音系列
MSXPro
RapidConfigure
OCX
RapidConnect
OCXPro
SILENT SWITCHER
OPTOLOGIC
SMART START
OPTOPLANAR
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
我牧师
QQ：2881677436 复制
