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1996年3月
NDP7050L / NDB7050L
N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
概述
这些逻辑电平N沟道增强型功率场
场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的，
高密度， DMOS技术。这非常高的密度
过程中已特别针对减少通态
电阻，优越的开关性能及
承受高能量脉冲雪崩和
换模式。这些装置特别适用于
低电压应用，如汽车，直流/直流
转换器， PWM马达控制，和其它电池供电
电路中快速切换，低线功率损耗，并
需要抗瞬变。
特点
75A ， 50V ，R
DS （ ON）
= 0.015
@ V
GS
= 5V
低驱动要求可直接操作的逻辑
驱动程序。 V
GS （ TH）
< 2.0V 。
在高温指定临界直流电气参数
温度。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可以不需要
外部齐纳二极管瞬态抑制器。
175°C最高结温额定值。
高密度电池设计极低R
DS （ ON）
.
的TO-220和TO- 263 （四
2
PAK ）封装为通孔
和表面贴装应用。
________________________________________________________________________________
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
参数
漏源电压
T
C
= 25 ° C除非另有说明
NDP7050L
50
50
± 20
± 40
75
225
150
1
-65 175
NDB7050L
单位
V
V
V
漏，栅极电压（R
GS
＆ LT ; 1M的
)
栅源电压 - 连续
- 非重复性（T
P
< 50 μS ）
漏电流
- 连续
- 脉冲
A
P
D
总功率耗散@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
W
W / ℃，
°C
T
J
,T
英镑
工作和存储温度范围
1997仙童半导体公司
NDP7050L.SAM
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源雪崩额定值
（注1 ）
W
DSS
I
AR
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
I
D（上）
g
FS
单脉冲漏源雪崩
能源
最大漏源雪崩电流
V
DD
= 25 V，I
D
= 75 A
550
75
mJ
A
开关特性
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
V
DS
= 50 V, V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
门 - 体泄漏，正向
门 - 体泄漏，反向
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
T
J
= 125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= 5 V，I
D
= 37.5 A
T
J
= 125°C
通态漏电流
正向跨导
V
GS
= 5 V, V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 37.5 A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
75
15
67
1
0.65
1.3
0.8
0.01
0.016
50
250
1
100
-100
V
A
mA
nA
nA
基本特征
（注1 ）
栅极阈值电压
2
1.5
0.015
0.024
A
S
V
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
输入电容
输出电容
反向传输电容
4200
1100
310
4000
1600
800
pF
pF
pF
开关特性
（注1 ）
打开 - 延迟时间
打开 - 上升时间
打开 - 关闭延迟时间
打开 - 关闭下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 48 V,
I
D
= 75 A，V
GS
= 5 V
V
DD
= 30 V，I
D
= 75 A,
V
GS
= 5 V ，R
根
= 10
R
GS
= 10
23
460
100
270
86
13
62
40
600
150
400
115
nS
nS
nS
nS
nC
nC
nC
NDP7050L.SAM
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
民
典型值
最大
单位
漏源二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
最大连续型漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0 V，I
S
= 37.5 A
（注1 ）
T
J
= 125°C
t
rr
I
rr
反向恢复时间
反向恢复电流
V
GS
= 0 V，I
F
= 60A,
dI
F
/ DT = 100 A / μs的
0.92
0.85
108
4.6
75
225
1.3
1.2
150
10
ns
A
A
A
V
热特性
R
θ
JC
R
θ
JA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
1
62.5
° C / W
° C / W
注意：
1.脉冲测试：脉冲宽度< 300微秒，占空比< 2.0 ％ 。
NDP7050L.SAM
典型电气特性
120
2
V
GS
= 10V
I
D
，漏源电流（A ）
100
6.0
漏源导通电阻
4.0
5.0
4.5
3.5
R
DS （ ON）
归一化
1.8
V
GS
= 3.0V
1.6
1.4
1.2
80
3.5
4.0
4.5
5.0
6.0
60
3.0
40
1
0.8
2.5
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
V
DS
，漏源电压（V ）
2.5
3
0.6
0
20
40
60
80
I
D
，漏电流（ A）
100
120
图1.区域特征
图2.导通电阻变化与门
电压和漏极电流
2
2
漏源导通电阻
漏源导通电阻
1.75
I
D
= 40A
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
归一化
V
GS
1.8
1.6
1.4
1.2
= 5V
TJ = 125°C
R
DS （ ON）
归一化
1.5
1.25
1
25°C
1
0.8
0.6
0
20
40
60
80
I
D
，漏电流（ A）
100
120
0.75
-55°C
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T，结温（ ° C）
J
150
175
图3.导通电阻变化
随温度
图4.导通电阻变化与漏
电流和温度
80
1 .4
V
GS （ TH）
归一化
门源阈值电压
V
DS
= 10V
60
T = -55°C
J
125°C
25°C
V
DS
= V
GS
1 .2
I
D
= 250A
，漏电流（ A）
1
40
0 .8
I
D
20
0 .6
0
0
1
V
GS
2
3
，门源电压（ V）
4
0 .4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
T
J
，结温（ ° C）
150
175
图5.传输特性
图6.门阈值变化与
温度
NDP7050L.SAM
典型电气特性
（续）
1.15
BV
DSS
归一化
漏源击穿电压
I
D
= 250A
我，反向漏电流（ A）
1.1
80
50
V
GS
= 0V
10
T J = 125°C
1
1.05
25°C
-55°C
1
0.1
0.95
0.01
0.9
-50
S
-25
0
T
J
25
50
75
100
125
，结温（ ° C）
150
175
0.001
0.2
0.4
V
SD
0.6
0.8
1
1.2
，体二极管正向电压（ V）
1.4
图7.击穿电压变化与
温度
图8.体二极管正向电压
变化与电流和温度
7000
5000
10
西塞
V
GS
，栅源电压（V ）
8
I
D
= 75A
V
DS
= 12V
48V
24V
电容（pF）
2000
科斯
1000
6
4
500
300
200
1
F = 1 MHz的
V
GS
= 0V
2
CRSS
0
2
V
3
DS
5
10
20
，漏源极电压（ V）
30
50
0
40
80
Q
g
，栅极电荷（ NC）
120
160
图9.电容特性
图10.栅极电荷特性
V
DD
t
D（上）
t
on
t
r
90%
t
F F
t
D（关闭）
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
V
根
V
O u那样牛逼
10%
10%
倒
R
根
R
GS
G
90%
V
IN
S
10%
50%
50%
PULSE W ID
图11.开关测试电路
图12.开关波形
NDP7050L.SAM
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